Produk

Rumah > Produk > Modul IGBT 62mm > Modul IGBT Half Bridge 62mm 1200V 600A DS-SPS600B12G6-S0402G0037 V-1.0.

Kategori

IGBT diskrit

(2)

Kontak

Kontak: Mr. Zhou

Telp: 86-1360-528-8329

Hubungi Sekarang

Kirimkan Kami

Modul IGBT Half Bridge 62mm 1200V 600A DS-SPS600B12G6-S0402G0037 V-1.0.

Name: Modul IGBT Half Bridge 62mm 1200V 600A DS-SPS600B12G6-S0402G0037 V-1.0.
Brand: Modul IGBT Half Bridge 62mm 1200V 600A DS-SPS600B12G6-S0402G0037 V-1.0.
SKU: SPS600B12G6
Rating: 5 (187 reviews)

Rincian produk

Nomor model: SPS600B12G6

Syarat Pembayaran & Pengiriman

Dapatkan Harga Terbaik

Rincian produk

Deskripsi Produk

Menyoroti: 
                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                Half Bridge IGBT Modul 62mm, 62mm IGBT Half Bridge Module, 600A IGBT Half Bridge Module
                              

Arus Kolektor:	100A	Tegangan kolektor-emitor:	1200V
Saat ini:	100A	Biaya Gerbang:	100nC
Tegangan gerbang-emitor:	±20V	Tegangan Isolasi:	2500V
Suhu Operasional Maksimum:	150°C	Gaya Pemasangan:	Baut
Arus Keluar:	100A	Jenis Paket:	62mm
Membalikkan Waktu Pemulihan:	100ns	Beralih Frekuensi:	20Khz
Ketahanan Termal:	0.2°C/W	Tegangan:	1200V

Arus Kolektor:	100A
Tegangan kolektor-emitor:	1200V
Saat ini:	100A
Biaya Gerbang:	100nC
Tegangan gerbang-emitor:	±20V
Tegangan Isolasi:	2500V
Suhu Operasional Maksimum:	150°C
Gaya Pemasangan:	Baut
Arus Keluar:	100A
Jenis Paket:	62mm
Membalikkan Waktu Pemulihan:	100ns
Beralih Frekuensi:	20Khz
Ketahanan Termal:	0.2°C/W
Tegangan:	1200V

Modul IGBT Half Bridge 62mm 1200V 600A DS-SPS600B12G6-S0402G0037 V-1.0.

Solid Power-DS-SPS600B12G6-S0402G0037 V-1.0.

1200V 600A IGBT Half Bridge Module

Modul IGBT Half Bridge 62mm 1200V 600A DS-SPS600B12G6-S0402G0037 V-1.0. 0

Fitur:

1200V Trench+ Field Stop teknologi
Dioda freewheel dengan pemulihan mundur cepat dan lembut
VCE (sat) dengan koefisien suhu positif
Kerugian switching yang rendah
Kerentanan sirkuit pendek

Aplikasi khas:

Motor/Servo Drive
Konverter Turbin Angin
Inverter PV
Konverter penyimpanan energi
UPS

Paket

Artikel	Simbol	Ketentuan		Nilai-nilai			Satuan
Tegangan uji isolasi	VISOL	RMS, f = 50 Hz, t = 1 min		4.0			kV
Bahan baseplate modul				Cu
Isolasi internal		(kelas 1, IEC 61140) Isolasi dasar (kelas 1, IEC 61140)		Al2O3
Jarak merangkak	Dcreep	terminal ke heatsink		29.0			mm
	Dcreep	terminal ke terminal		23.0
Pengumuman	DClear	terminal ke heatsink		23.0			mm
	DClear	terminal ke terminal		11.0
Indeks pelacakan komparatif	CTI			> 400

Artikel	Simbol	Ketentuan		Nilai-nilai			Satuan
				Min.	Seperti itu.	Max. Apa yang terjadi?
Modul induktansi yang sesat	LsCE				20		nH
Modul resistensi timbal, terminal - chip	RCC+EE		TC=25°C		0.70		mΩ
Suhu penyimpanan	Tstg			- 40		125	°C
Torsi pemasangan untuk pemasangan modul	M6			3.0		6.0	Nm
Torsi koneksi terminal	M6			2.5		5.0	Nm
Berat badan	G				320		g

IGBT

Nilai Nominal Maksimal / maksimal

Artikel	Simbol	Ketentuan		Nilai-nilai	Satuan
Tegangan kolektor-emitter	VCES		Tvj=25°C	1200	V
Tegangan maksimum gate-emitter	VGES			± 20	V
Tegangan transisi gerbang-emitter	VGES	tp≤10μs, D=0.01		± 30	V
Arus DC kolektor terus menerus	IC		TC=25°C	700	A
Arus DC kolektor terus menerus	IC		TC=80°C	550	A
Arus kolektor berdenyut,tp dibatasi oleh Tjmax	ICpulse			1200	A
Penghambatan daya	Ptot			2142	W

Nilai Karakteristik / 特征值

Artikel	Simbol	Ketentuan		Nilai-nilai			Satuan
Artikel	Simbol	Ketentuan		Min.	Seperti itu.	Max. Apa yang terjadi?	Satuan
集电极- 发射极和电压 Tegangan jenuh kolektor-emitter	VCE (sat)	IC=600A, VGE=15V	Tvj=25°C		2.00	2.40	V
			Tvj = 125°C		2.40
			Tvj = 150°C		2.50
极值 tegangan listrik Tegangan ambang gerbang	VGE (th)	VCE=VGE, IC=24mA		5.5	6.3	7.0	V
集电极-发射极截止电流 Arus pemotongan kolektor-emitter	ICES	VCE = 1200V, VGE = 0V	Tvj=25°C			100	μA
集电极-发射极截止电流 Arus pemotongan kolektor-emitter	ICES	VCE = 1200V, VGE = 0V	Tvj = 150°C			5	mA
极- 发射极漏电流 Arus kebocoran gate-emitter	IGES	VCE = 0V, VGE = ± 20V, Tvj = 25°C		-200		200	nA
¥极电荷 Biaya Gerbang	Kantor Pusat	VCE=600V, IC=600A, VGE=±15V			5.0		μC
input kapasitas listrik Kapasitas Masuk	Ces	VCE = 25V, VGE = 0V, f = 100kHz			80.0		nF
kapasitas listrik output Kapasitas output	Coes				2.85
Kapasitas transmisi listrik sebaliknya Kapasitas transfer terbalik	Cres				1.48
内部极电阻 Resistor gerbang internal	RGint	Tvj=25°C			2		Oh
开通延迟时间 (电感负载) 开通延迟时间 (电感负载) Waktu penundaan menyala, beban induktif	Pada saat ini	VCC=600V,IC=600A RG=1.5Ω, VGE=±15V	Tvj=25°C		340		ns
			Tvj = 125°C		376		ns
			Tvj = 150°C		384		ns
上升时间 (电感负载) Waktu kebangkitan, beban induktif	tr		Tvj=25°C		108		ns
			Tvj = 125°C		124		ns
			Tvj = 150°C		132		ns
关断延迟时间 (电感负载) Waktu penundaan mati, beban induktif	td (off)	VCC=600V,IC=600A RG=1.5Ω, VGE=±15V	Tvj=25°C		616		ns
			Tvj = 125°C		676		ns
			Tvj = 150°C		682		ns
Waktu yang dihabiskan Waktu jatuh, beban induktif	Tf		Tvj=25°C		72		ns
			Tvj = 125°C		76		ns
			Tvj = 150°C		104		ns
开通损耗能量 (每脉冲) Kerugian energi saat menyala per denyut nadi	Eon	VCC=600V,IC=600A RG=1.5Ω, VGE=±15V	Tvj=25°C		57.9		mJ
			Tvj = 125°C		82.2		mJ
			Tvj = 150°C		91.4		mJ
关断损耗能量 (每脉冲) Matikan kehilangan energi per denyut nadi	Eoff		Tvj=25°C		45.2		mJ
			Tvj = 125°C		55.3		mJ
			Tvj = 150°C		58.7		mJ
短路数据 Data SC	ISC	VGE≤15V, VCC = 800V	tp≤10 μs Tvj = 150°C			2500	A
IGBT penghubung- luar 热阻 Resistensi termal IGBT, kasus persimpangan	RthJC					0.07	K / W
suhu kerja Suhu operasi	TJop			- 40		150	°C

Dioda / 二极管

Nilai Nominal Maksimal / maksimal

Artikel	Simbol	Ketentuan		Nilai-nilai	Satuan
Tegangan puncak yang berulang kebalikan Tegangan terbalik berulang	VRRM		Tvj=25°C	1200	V
terus menerus lurus arus listrik Listrik terus menerus DC ke depan	Jika			600	A
√ √ √ √ √ √ √ 2 Diode pulsed current,tp terbatas oleh TJmax	IFpulse			1200	A

Nilai Karakteristik / 特征值

Artikel	Simbol	Ketentuan		Nilai-nilai			Satuan
				Min.	Seperti itu.	Max. Apa yang terjadi?
Tegangan listrik Tegangan ke depan	VF	IF=600A, VGE=0V	Tvj=25°C		1.65	2.00	V
			Tvj = 125°C		1.80
			Tvj = 150°C		1.80
Waktu pemulihan Waktu pemulihan terbalik	Trr	IF=600A dIF/dt=-4900A/μs (Tvj=150°C) VR=600V, VGE=-15V	Tvj=25°C		224		ns
			Tvj = 125°C		300
			Tvj = 150°C		335
arus listrik puncak pemulihan kebalikan arus pemulihan terbalik puncak	IRRM		Tvj=25°C		624		A
			Tvj = 125°C		649
			Tvj = 150°C		665
Pengisian daya pemulihan sebaliknya Biaya pemulihan terbalik	QRR		Tvj=25°C		95		μC
			Tvj = 125°C		134.9
			Tvj = 150°C		147.4
Kehilangan pemulihan terbalik (setiap denyut nadi) Kehilangan energi pemulihan terbalik per denyut nadi	Erec		Tvj=25°C		35.4		mJ
			Tvj = 125°C		49.7
			Tvj = 150°C		55.9
二极管结- luar 热阻 Resistensi termal dioda, kasus persimpangan	RthJCD					0.13	K / W
suhu kerja Suhu operasi	TJop			- 40		150	°C

Modul IGBT Half Bridge 62mm 1200V 600A DS-SPS600B12G6-S0402G0037 V-1.0. 1

Modul IGBT Half Bridge 62mm 1200V 600A DS-SPS600B12G6-S0402G0037 V-1.0. 2

Modul IGBT Half Bridge 62mm 1200V 600A DS-SPS600B12G6-S0402G0037 V-1.0. 3

Tags:

Modul IGBT 34mm

Modul IGBT 62mm

Modul IGBT EconoDual3

Modul IGBT EasyPIM

Modul IGBT EconoPack

Modul IGBT EconoPIM

Modul Otomotif

Discretes SiC hibrida

MOSFET diskrit

IGBT diskrit

Modul IGBT Half Bridge 62mm 1200V 600A DS-SPS600B12G6-S0402G0037 V-1.0.

Half Bridge IGBT Modul 62mm

62mm IGBT Half Bridge Module

600A IGBT Half Bridge Module

1200V 600A IGBT Half Bridge Module

Paket

Dioda / 二极管

Nilai Nominal Maksimal / maksimal

Modul Daya IGBT,

H Bridge IGBT Module,

Modul IGBT Daya Tinggi

200A 1200V IGBT Half Bridge Module 62mm DS-SPS200B12G6H4-S04020005

Modul IGBT Khusus 62mm Kerugian Switching Rendah DS-SPS200B17G6R8-S04020023 V1.0

1200V 150A H Bridge IGBT Module DS-SPS150B12G6H4-S04020033 Untuk Mesin Las

Chassis Mount Sic MOSFET Power Module 1200V 120A DS-SPS120MB12G6S-S04310003

Modul IGBT Putih Komponen Elektronik 62mm DS-SPS300B17G6R8-S04020024 V1.0

1200V 300A SiC MOSFET Half Bridge Module Semikonduktor DS-SPS300MB12G6S-S04310004

DS-SPS450B12G6M4-S04020021 V-1.0. H Bridge Mosfet Modul 1200V 450A ODM

Modul IGBT Daya Tinggi 62mm 1200V 450A DS-SPS450B12G6H4-S04020010

1200V 300A IGBT Modul 62mm DS-SPS300B12G6H4-S04020027 V1.0

OEM IGBT Power Module 1200V 300A Half Bridge Module DS-SPS300B12G6M4-S04020025

1200V 300A IGBT Half Bridge Module Solid Power-DS-SPS300B12G6M4-S04020025 V-1.0

Modul IGBT 34mm

Modul IGBT 62mm

Modul IGBT EconoDual3

Modul IGBT EasyPIM

Modul IGBT EconoPack

Modul IGBT EconoPIM

Modul Otomotif