Rincian produk
Nomor model: SPS120MB12G6S
Syarat Pembayaran & Pengiriman
Konfigurasi: |
Single |
Arus - Kolektor (Ic) (Maks): |
200A |
Arus - Kolektor Berdenyut (Icm): |
400A |
Tipe Modul: |
IGBT |
Tipe pemasangan: |
Dudukan Chasis |
Suhu operasi: |
-40°C ~ 150°C |
Paket / Kasus: |
Modul |
Jenis Paket: |
62mm |
Daya - Maks: |
600W |
Paket Perangkat Pemasok: |
62mm |
Vce(aktif) (Maks) @ Vge, Ic: |
2.5V @ 15V, 100A |
Tegangan - Kerusakan Emitor Kolektor (Maks): |
1200V |
Konfigurasi: |
Single |
Arus - Kolektor (Ic) (Maks): |
200A |
Arus - Kolektor Berdenyut (Icm): |
400A |
Tipe Modul: |
IGBT |
Tipe pemasangan: |
Dudukan Chasis |
Suhu operasi: |
-40°C ~ 150°C |
Paket / Kasus: |
Modul |
Jenis Paket: |
62mm |
Daya - Maks: |
600W |
Paket Perangkat Pemasok: |
62mm |
Vce(aktif) (Maks) @ Vge, Ic: |
2.5V @ 15V, 100A |
Tegangan - Kerusakan Emitor Kolektor (Maks): |
1200V |
Solid Power-DS-SPS120MB12G6S-S04310003
1200V 120A SiC MOSFET Setengah Jembatan Modul
Fitur:
Tipikal Aplikasi:
MOSFET
Maksimal Nilai Nominal/ Maksimum nilai yang ditetapkan |
|||||||
Artikel |
Simbol |
Ketentuan |
Nilai |
Satuan |
|||
漏极-源极 listrik Tegangan sumber pembuangan |
VDSS |
Tvj=25°C |
1200 |
V |
|||
aliran listrik terus menerus Berkelanjutan DC arus pembuangan |
ID |
VGS=20V, TC= 25°C, Tvjmax=175°C VGS=20V, TC= 85°C, Tvjmax=175°C |
180
120 |
A |
|||
脉冲漏极 arus listrik Saluran pembuangan pulsa arus |
ID denyut nadi |
Lebar pulsa tpterbatas olehTvjmax |
480 |
A |
|||
total kerugian daya Total daya pergeseran |
Ptot |
TC= 25°C,Tvjmax=175°C |
576 |
W |
|||
Tekanan listrik puncak Tegangan sumber gerbang maksimum |
VGSS |
-10/25 |
V |
||||
Nilai Karakteristik/ 特征值 |
|||||||
Artikel |
Simbol |
Ketentuan |
Min. Seperti itu. Max. Apa yang terjadi? |
Satuan |
|||
漏极-源极通态 resistensi listrik Sumber pembuangan di resistensi |
RDS( pada) |
ID= 120A,VGS = 20V |
Tvj=25°C Tvj=125°C Tvj = 150°C |
13.0 16.0 18.0 |
16.0 |
mΩ mΩ mΩ |
|
极 值 tegangan listrik Tegangan ambang gerbang |
VGS (th) |
IC= 30mA, VCE=VGE, Tvj=25°C IC= 30mA, VCE=VGE, Tvj=150°C |
2.0 |
2.4 1.7 |
4.0 |
V |
|
跨导
Transkonduktansi |
gfs |
VDS = 20 V, AkuDS = 120 A, Tvj=25°C VDS = 20 V, AkuDS = 120 A, Tvj=150°C |
68.9 61.8 |
S |
|||
¥极电荷 Gerbang biaya |
Kantor Pusat |
VGE=-5V...+20V |
474 |
nC |
|||
内部 极电阻 Gerbang internal resistor |
RGint |
Tvj=25°C |
2.2 |
Oh |
|||
input kapasitas listrik Kapasitas input |
Ces |
f=1MHz,TVj= 25°C,VDS=1000V, VAC= 25mV, VGE=0V |
8850 |
pF |
|||
kapasitas listrik output Output Kapasitas |
Coes |
f=1MHz,TVj= 25°C,VDS=1000V, VAC= 25mV, VGE=0V |
564 |
pF |
|||
Kapasitas transmisi listrik sebaliknya Kapasitas transfer terbalik |
Cres |
f=1MHz,TVj= 25°C,VDS=1000V, VAC= 25mV, VGE=0V |
66 |
pF |
|||
零 电压bocoran listrik Tegangan gerbang nol saluran pembuangan arus |
IDSS |
VDS= 1200V, VGS=0V, Tvj=25°C |
300 |
μA |
|||
极-源极漏电流 Sumber gerbang arus kebocoran |
IGSS |
VDS=0V, VGS=20V, Tvj=25°C |
100 |
nA |
|||
开通延迟时间 (untuk waktu yang lama)( listrik beban) Menghidupkan waktu keterlambatan, induktif beban |
Td( pada) |
TVj= 25°C Tvj= 125°C Tvj=150°C |
10 8
8 |
ns ns ns |
|||
上升时间( listrik beban) Waktu untuk bangun, induktif beban |
tr |
TVj= 25°C Tvj= 125°C Tvj=150°C |
36 34
34 |
ns ns ns |
|||
关断延迟时间( listrik beban) Waktu penundaan penutupan, induktif beban |
Td(off) |
ID= 120A, VDS=600V VGS=-5/20V RGon=3.3Ω |
Tvj=25°C Tvj=125°C Tvj = 150°C |
128 140
140 |
ns ns ns |
||
下降时间( listrik beban) Waktu musim gugur, induktif beban |
Tf |
RGoff = 3,3Ω Lσ = 56 nH
Induktif Beban, |
Tvj=25°C Tvj=125°C Tvj = 150°C |
62 62
62 |
ns ns ns |
||
开通 损耗能量(Setiap impuls) Menghidupkan energi kerugian per denyut nadi |
Eon |
TVj= 25°C Tvj= 125°C Tvj=150°C |
2.35 2.15 2.15 |
mJ mJ |
|||
关断损耗能量 (mengurangi konsumsi energi)(Setiap denyut nadi) Energi pemadam kerugian per denyut nadi |
Eoff |
TVj= 25°C Tvj= 125°C Tvj=150°C |
1.65 1.80 1.80 |
mJ mJ |
结-外 热阻 Termal resistensi, juPembagian kasus |
RthJC |
Per MOSFET / Setiap MOSFET |
0.23 |
K/W |
||
suhu kerja Suhu danMengganti kondisi |
TVjop |
-40 150 |
°C |
|||
Dioda/二极管
Maksimal Nilai Nominal/ maksimal |
||||||
Artikel |
Simbol |
Ketentuan |
Nilai |
Satuan |
||
terus menerus lurus arus listrik Dioda kontinu ke depan arus |
Jika |
VGS = -5 V, TC = 25 ̊C |
177 |
A |
||
Nilai Karakteristik/ 特征值 |
||||||
Artikel |
Simbol |
Ketentuan |
Min. Seperti itu. Max. Apa yang terjadi? |
Satuan |
||
Tegangan listrik Tegangan ke depan |
VSD |
Jika= 120A, VGS=0V |
TVj= 25°C Tvj=150°C |
1.45 1.90 |
1.80 |
V V |
结-外 热阻 Termal resistensi, juPembagian kasus |
RthJC |
Per dioda / Setiap pipa |
0.30 |
K/W |
||
suhu kerja Suhu danMengganti kondisi |
TVjop |
- 40 150 |
°C |
Modul/ 模块 |
||||
Artikel |
Simbol |
Ketentuan |
Nilai |
Satuan |
绝缘 pengujian tekanan listrik Tegangan uji isolasi |
VISOL |
RMS, f=50Hz, t=1min |
2.5 |
kV |
模块基板材料 Bahan dari modul baseplate |
Cu |
|||
内部绝缘 Internal isolasi |
基本绝缘(kelas 1, AkuEC 61140) Dasar isolasi (kelas 1, IEC 61140) |
Al2O3 |
||
爬电距离 Jarak merangkak |
端子-散热片/ terminal to heatsink 端子-端子/ terminal ke terminal |
29.0 23.0 |
mm |
|
电气间隙 Pengumuman |
端子-散热片/ terminal to heatsink 端子-端子/ terminal ke terminal |
23.0 11.0 |
mm |
|
Indeks tanda listrik Pelacakan komparatif indeks |
CTI |
> 400 |
Artikel |
Simbol |
Ketentuan |
Min. |
Seperti itu. |
Max. Apa yang terjadi? |
Satuan |
杂散电感, modul Pergilah Induktansi modul |
LsCE |
20 |
nH |
|||
modul resistensi kabel listrik,端子- chip Modul timbal resistensi, terminal - chip |
RCC+EE |
TC=25°C |
0.465 |
mΩ |
||
temperatur penyimpanan
Suhu penyimpanan |
Tstg |
- 40 |
125 |
°C |
||
模块安装的安装扭矩 Torsi pemasangan untuk modul pemasangan |
M5 |
2.50 |
5.00 |
Nm |
||
端子 连接 torsi Torsi koneksi terminal |
M6 |
3.00 |
5.00 |
Nm |
||
Berat badan
Berat badan |
G |
300 |
g |
MOSFET MOSFET
Karakteristik output MOSFET (tipis) Karakteristik output MOSFET (tipis)
IC=f (VCE) IC=f ((VCE)
Tvj=25°C Tvj=150°C
Sumber pembuangan normal pada resistensi (tipis) Sumber pembuangan normal pada resistensi (tipis)
RDSon ((P.U.) = f ((Tvj) RDSon= f ((IDS)
IDS = 120A VGS = 20V VGS = 20V
Sumber pembuangan pada resistensi (tipis) Tegangan ambang (tipis)
RDSon=f(Tvj) VDS(th)=f(Tvj)
IDS=120A VDS=VGS, IDS=30mA
MOSFET
Karakteristik transfer MOSFET (tipis) Karakteristik Forward Diode (tipis)
IDS=f(VGS) IDS=f(VDS
VDS = 20V Tvj = 25°C
Karakteristik dioda ke depan (tipikal) karakteristik 3rdKuadran (tipikal)
IDS = f ((VDS) IDS = f ((VDS)
Tvj=150°C Tvj=25°C
karakteristik 3rdKwadran (tipis) karakteristik muatan gerbang MOSFET (tipis)
IDS=f(VDS) VGS=f(QG
Tvj=150°C VDS=800V, IDS=120A, Tvj=25°C
MOSFET
Karakteristik Kapasitas MOSFET ((tipikal) Kerugian beralih MOSFET (tipikal)
C=f ((VDS) E=f ((IC)
VGS=0V, Tvj=25°C, f=1MHz VGE=-5/20V, RG=3.3 Ω, VCE=600V
MOSFET MOSFET
Kerugian switching MOSFET (tipis) Impedansi termal sementara MOSFET
E=f (RG) ZthJC=f (t)
VGE=-5/20V, IC=120A, VCE=600V
Dioda impedansi termal sementara
ZthJC=f (t)
"1200V 120A SiC MOSFET Half Bridge Module" mengintegrasikan dua MOSFET Silicon Carbide dalam konfigurasi half-bridge.memberikan kontrol yang tepat atas tegangan (1200V) dan arus (120A)Pendinginan yang efektif sangat penting untuk operasi yang dapat diandalkan, dan spesifikasi rinci dapat ditemukan di lembar data produsen.
Sirkuit Diagram Judul
Paket garis besar