Jiangsu Solid Power Semiconductor Co.,Ltd
Produk
Produk
Rumah > Produk > Modul IGBT 62mm > Chassis Mount Sic MOSFET Power Module 1200V 120A DS-SPS120MB12G6S-S04310003

Chassis Mount Sic MOSFET Power Module 1200V 120A DS-SPS120MB12G6S-S04310003

Rincian produk

Nomor model: SPS120MB12G6S

Syarat Pembayaran & Pengiriman

Dapatkan Harga Terbaik
Menyoroti:

Sic MOSFET Power Module 1200V

,

120A Sic MOSFET Power Module

,

120A Sic MOSFET Modul

Konfigurasi:
Single
Arus - Kolektor (Ic) (Maks):
200A
Arus - Kolektor Berdenyut (Icm):
400A
Tipe Modul:
IGBT
Tipe pemasangan:
Dudukan Chasis
Suhu operasi:
-40°C ~ 150°C
Paket / Kasus:
Modul
Jenis Paket:
62mm
Daya - Maks:
600W
Paket Perangkat Pemasok:
62mm
Vce(aktif) (Maks) @ Vge, Ic:
2.5V @ 15V, 100A
Tegangan - Kerusakan Emitor Kolektor (Maks):
1200V
Konfigurasi:
Single
Arus - Kolektor (Ic) (Maks):
200A
Arus - Kolektor Berdenyut (Icm):
400A
Tipe Modul:
IGBT
Tipe pemasangan:
Dudukan Chasis
Suhu operasi:
-40°C ~ 150°C
Paket / Kasus:
Modul
Jenis Paket:
62mm
Daya - Maks:
600W
Paket Perangkat Pemasok:
62mm
Vce(aktif) (Maks) @ Vge, Ic:
2.5V @ 15V, 100A
Tegangan - Kerusakan Emitor Kolektor (Maks):
1200V
Chassis Mount Sic MOSFET Power Module 1200V 120A DS-SPS120MB12G6S-S04310003

Solid Power-DS-SPS120MB12G6S-S04310003

 

1200V 120A SiC MOSFET Setengah Jembatan Modul

 

     Chassis Mount Sic MOSFET Power Module 1200V 120A DS-SPS120MB12G6S-S04310003 0

Fitur:

  • Aplikasi High Frequency Switching
  • Zero arus pemulihan terbalik dari dioda
  • arus ekor nol dari MOSFET
  • Kerugian yang sangat rendah
  • Kemudahan Melakukan Parallel

Tipikal Aplikasi:

  • Pemanasan Induksi
  • Inverter Surya dan Angin
  • Konverter DC/DC
  • Pengisi daya bateraiChassis Mount Sic MOSFET Power Module 1200V 120A DS-SPS120MB12G6S-S04310003 1

 

MOSFET

 

Maksimal Nilai Nominal/ Maksimum nilai yang ditetapkan

 

Artikel

 

Simbol

 

Ketentuan

 

Nilai

 

Satuan

 

漏极-源极 listrik

Tegangan sumber pembuangan

 

VDSS

 

Tvj=25°C

 

1200

 

V

 

aliran listrik terus menerus

Berkelanjutan DC arus pembuangan

 

ID

 

VGS=20V, TC= 25°C, Tvjmax=175°C

VGS=20V, TC= 85°C, Tvjmax=175°C

 

180

 

120

 

 

A

 

脉冲漏极 arus listrik

Saluran pembuangan pulsa arus

 

ID denyut nadi

 

Lebar pulsa tpterbatas olehTvjmax

 

480

 

A

 

total kerugian daya

Total daya pergeseran

 

Ptot

 

TC= 25°C,Tvjmax=175°C

 

576

 

W

 

Tekanan listrik puncak

Tegangan sumber gerbang maksimum

 

VGSS

 

 

-10/25

 

V

 

Nilai Karakteristik/ 特征值

 

Artikel

 

Simbol

 

Ketentuan

 

Min. Seperti itu. Max. Apa yang terjadi?

 

Satuan

 

漏极-源极通态 resistensi listrik

Sumber pembuangan di resistensi

 

 

RDS( pada)

 

ID= 120A,VGS = 20V

 

Tvj=25°C

Tvj=125°C

Tvj = 150°C

 

13.0

16.0 18.0

 

16.0

 

 

极 值 tegangan listrik

Tegangan ambang gerbang

 

 

VGS (th)

 

IC= 30mA, VCE=VGE, Tvj=25°C

IC= 30mA, VCE=VGE, Tvj=150°C

 

2.0

 

2.4

1.7

 

4.0

 

V

 

跨导

 

Transkonduktansi

 

gfs

 

VDS = 20 V, AkuDS = 120 A, Tvj=25°C

VDS = 20 V, AkuDS = 120 A, Tvj=150°C

 

68.9

61.8

 

S

 

¥极电荷

Gerbang biaya

 

Kantor Pusat

 

VGE=-5V...+20V

 

474

 

 

nC

 

内部 极电阻

Gerbang internal resistor

 

RGint

 

Tvj=25°C

 

2.2

 

 

Oh

 

input kapasitas listrik

Kapasitas input

 

Ces

 

f=1MHz,TVj= 25°C,VDS=1000V, VAC= 25mV, VGE=0V

 

 

8850

 

pF

 

kapasitas listrik output

Output Kapasitas

 

 

Coes

 

f=1MHz,TVj= 25°C,VDS=1000V, VAC= 25mV, VGE=0V

 

 

564

 

pF

 

Kapasitas transmisi listrik sebaliknya

Kapasitas transfer terbalik

 

 

Cres

 

f=1MHz,TVj= 25°C,VDS=1000V, VAC= 25mV, VGE=0V

 

 

66

 

pF

 

零 电压bocoran listrik

Tegangan gerbang nol saluran pembuangan arus

 

IDSS

 

VDS= 1200V, VGS=0V, Tvj=25°C

 

300

 

μA

 

-源极漏电流

Sumber gerbang arus kebocoran

 

IGSS

 

VDS=0V, VGS=20V, Tvj=25°C

 

100

 

nA

 

开通延迟时间 (untuk waktu yang lama)( listrik beban)

Menghidupkan waktu keterlambatan, induktif beban

 

 

Td( pada)

 

TVj= 25°C Tvj= 125°C Tvj=150°C

 

10

8

 

8

 

ns

ns

ns

 

上升时间( listrik beban)

Waktu untuk bangun, induktif beban

 

tr

 

TVj= 25°C Tvj= 125°C Tvj=150°C

 

36

34

 

34

 

ns

ns

ns

 

关断延迟时间( listrik beban)

Waktu penundaan penutupan, induktif beban

 

 

Td(off)

 

ID= 120A, VDS=600V

VGS=-5/20V

RGon=3.3Ω

 

Tvj=25°C

Tvj=125°C

Tvj = 150°C

 

128

140

 

140

 

ns

ns

ns

 

下降时间( listrik beban)

Waktu musim gugur, induktif beban

 

Tf

 

RGoff = 3,3Ω

= 56 nH

 

Induktif Beban,

 

Tvj=25°C

Tvj=125°C

Tvj = 150°C

 

62

62

 

62

 

ns

ns

ns

 

开通 损耗能量(Setiap impuls)

Menghidupkan energi kerugian per denyut nadi

 

 

Eon

 

TVj= 25°C Tvj= 125°C Tvj=150°C

 

2.35

2.15

2.15

 

mJ

mJ

 

关断损耗能量 (mengurangi konsumsi energi)(Setiap denyut nadi)

Energi pemadam kerugian per denyut nadi

 

Eoff

 

TVj= 25°C Tvj= 125°C Tvj=150°C

 

1.65

1.80

1.80

 

mJ

mJ

 

 

结-外 热阻

Termal resistensi, juPembagian kasus

 

RthJC

 

Per MOSFET / Setiap MOSFET

 

0.23

 

K/W

 

suhu kerja

Suhu danMengganti kondisi

 

 

TVjop

 

 

-40 150

 

°C

 

 

Dioda/二极管

 

Maksimal Nilai Nominal/ maksimal

 

Artikel

 

Simbol

 

Ketentuan

 

Nilai

 

Satuan

 

terus menerus lurus arus listrik

Dioda kontinu ke depan arus

 

 

Jika

 

VGS = -5 V, TC = 25 ̊C

 

177

 

A

 

Nilai Karakteristik/ 特征值

 

Artikel

 

Simbol

 

Ketentuan

 

Min. Seperti itu. Max. Apa yang terjadi?

 

Satuan

 

Tegangan listrik

Tegangan ke depan

 

 

VSD

 

 

Jika= 120A, VGS=0V

 

TVj= 25°C Tvj=150°C

 

 

1.45

1.90

 

 

1.80

 

V

V

 

结-外 热阻

Termal resistensi, juPembagian kasus

 

RthJC

 

Per dioda / Setiap pipa

 

0.30

 

K/W

 

suhu kerja

Suhu danMengganti kondisi

 

TVjop

 

 

- 40 150

 

°C

 

 

Modul/ 模块

 

Artikel

 

Simbol

 

Ketentuan

 

Nilai

 

Satuan

 

绝缘 pengujian tekanan listrik

Tegangan uji isolasi

 

VISOL

 

RMS, f=50Hz, t=1min

 

2.5

 

 

kV

 

模块基板材料

Bahan dari modul baseplate

   

 

 

Cu

 

 

内部绝缘

Internal isolasi

 

 

基本绝缘(kelas 1, AkuEC 61140)

Dasar isolasi (kelas 1, IEC 61140)

 

Al2O3

 

 

爬电距离

Jarak merangkak

 

 

端子-散热片/ terminal to heatsink

端子-端子/ terminal ke terminal

 

29.0

23.0

 

 

mm

 

电气间隙

Pengumuman

 

 

端子-散热片/ terminal to heatsink

端子-端子/ terminal ke terminal

 

23.0

11.0

 

mm

 

Indeks tanda listrik

Pelacakan komparatif indeks

 

 

CTI

 

 

 

> 400

 

 

 

Artikel

 

Simbol

 

Ketentuan

 

Min.

 

Seperti itu.

 

Max. Apa yang terjadi?

 

Satuan

 

杂散电感, modul

Pergilah Induktansi modul

 

LsCE

   

 

20

 

 

nH

 

modul resistensi kabel listrik,端子- chip

Modul timbal resistensi, terminal - chip

 

RCC+EE

 

TC=25°C

 

 

0.465

 

 

 

temperatur penyimpanan

 

Suhu penyimpanan

 

Tstg

 

 

- 40

 

 

125

 

°C

 

模块安装的安装扭矩

Torsi pemasangan untuk modul pemasangan

 

M5

 

 

2.50

 

 

5.00

 

 

Nm

 

端子 连接 torsi

Torsi koneksi terminal

 

M6

 

 

3.00

 

 

5.00

 

Nm

 

Berat badan

 

Berat badan

 

G

   

 

300

 

 

g

 

 

MOSFET MOSFET

Karakteristik output MOSFET (tipis) Karakteristik output MOSFET (tipis)

IC=f (VCE) IC=f ((VCE)

Tvj=25°C Tvj=150°C

 

 

  Chassis Mount Sic MOSFET Power Module 1200V 120A DS-SPS120MB12G6S-S04310003 2

 

Sumber pembuangan normal pada resistensi (tipis) Sumber pembuangan normal pada resistensi (tipis)

RDSon ((P.U.) = f ((Tvj) RDSon= f ((IDS)

IDS = 120A VGS = 20V VGS = 20V

 

 

    Chassis Mount Sic MOSFET Power Module 1200V 120A DS-SPS120MB12G6S-S04310003 3

 

 

Sumber pembuangan pada resistensi (tipis) Tegangan ambang (tipis)

RDSon=f(Tvj) VDS(th)=f(Tvj)

IDS=120A VDS=VGS, IDS=30mA

 

    Chassis Mount Sic MOSFET Power Module 1200V 120A DS-SPS120MB12G6S-S04310003 4

 

MOSFET

Karakteristik transfer MOSFET (tipis) Karakteristik Forward Diode (tipis)

IDS=f(VGS) IDS=f(VDS

VDS = 20V Tvj = 25°C

  Chassis Mount Sic MOSFET Power Module 1200V 120A DS-SPS120MB12G6S-S04310003 5

   

 

Karakteristik dioda ke depan (tipikal) karakteristik 3rdKuadran (tipikal)

IDS = f ((VDS) IDS = f ((VDS)

Tvj=150°C Tvj=25°C

   Chassis Mount Sic MOSFET Power Module 1200V 120A DS-SPS120MB12G6S-S04310003 6

Chassis Mount Sic MOSFET Power Module 1200V 120A DS-SPS120MB12G6S-S04310003 7

karakteristik 3rdKwadran (tipis) karakteristik muatan gerbang MOSFET (tipis)

IDS=f(VDS) VGS=f(QG

Tvj=150°C VDS=800V, IDS=120A, Tvj=25°C

 

Chassis Mount Sic MOSFET Power Module 1200V 120A DS-SPS120MB12G6S-S04310003 8

MOSFET

Karakteristik Kapasitas MOSFET ((tipikal) Kerugian beralih MOSFET (tipikal)

C=f ((VDS) E=f ((IC)

VGS=0V, Tvj=25°C, f=1MHz VGE=-5/20V, RG=3.3 Ω, VCE=600V

    Chassis Mount Sic MOSFET Power Module 1200V 120A DS-SPS120MB12G6S-S04310003 9

Chassis Mount Sic MOSFET Power Module 1200V 120A DS-SPS120MB12G6S-S04310003 10

  

MOSFET MOSFET

Kerugian switching MOSFET (tipis) Impedansi termal sementara MOSFET

E=f (RG) ZthJC=f (t)

VGE=-5/20V, IC=120A, VCE=600V

 

 

      Chassis Mount Sic MOSFET Power Module 1200V 120A DS-SPS120MB12G6S-S04310003 11

 

Dioda impedansi termal sementara

ZthJC=f (t)

 

 

 Chassis Mount Sic MOSFET Power Module 1200V 120A DS-SPS120MB12G6S-S04310003 12

 

 

 

"1200V 120A SiC MOSFET Half Bridge Module" mengintegrasikan dua MOSFET Silicon Carbide dalam konfigurasi half-bridge.memberikan kontrol yang tepat atas tegangan (1200V) dan arus (120A)Pendinginan yang efektif sangat penting untuk operasi yang dapat diandalkan, dan spesifikasi rinci dapat ditemukan di lembar data produsen.

 

Sirkuit Diagram Judul 

     Chassis Mount Sic MOSFET Power Module 1200V 120A DS-SPS120MB12G6S-S04310003 13


 

 

 


Paket garis besar 

 

 

     Chassis Mount Sic MOSFET Power Module 1200V 120A DS-SPS120MB12G6S-S04310003 14