Rincian produk
Nomor model: SPS300B17G6R8
Syarat Pembayaran & Pengiriman
Peringkat saat ini: |
150A |
Arus Kebocoran Gerbang-Emitor: |
±100nA |
Tegangan ambang gerbang-emitor: |
5V |
Arus Kolektor Maksimum: |
300A |
Tegangan Kolektor-Emitor Maksimum: |
1200V |
Suhu Persimpangan Maksimum: |
150°C |
Disipasi Daya Maksimum: |
500W |
Gaya Pemasangan: |
Baut |
Jangkauan suhu operasi: |
-40°C hingga 125°C |
Jenis Paket: |
62mm |
Jenis Produk: |
Modul Semikonduktor Daya |
Beralih Frekuensi: |
20Khz |
Ketahanan Termal: |
0.1°C/W |
Nomor tegangan: |
600V |
Peringkat saat ini: |
150A |
Arus Kebocoran Gerbang-Emitor: |
±100nA |
Tegangan ambang gerbang-emitor: |
5V |
Arus Kolektor Maksimum: |
300A |
Tegangan Kolektor-Emitor Maksimum: |
1200V |
Suhu Persimpangan Maksimum: |
150°C |
Disipasi Daya Maksimum: |
500W |
Gaya Pemasangan: |
Baut |
Jangkauan suhu operasi: |
-40°C hingga 125°C |
Jenis Paket: |
62mm |
Jenis Produk: |
Modul Semikonduktor Daya |
Beralih Frekuensi: |
20Khz |
Ketahanan Termal: |
0.1°C/W |
Nomor tegangan: |
600V |
Solid Power-DS-SPS300B17G6R8-S04020024 V1.0
1700V 300A IGBT Setengah Jembatan Modul
Fitur:
D 1700V Trench+ Field Stop teknologi
□ Dioda roda bebas dengan pemulihan mundur cepat dan lembut
□ VCE (Saturday)dengan koefisien suhu positif
□ Kerugian switching rendah
Tipikal Aplikasi:
□ Motor/Servo Drive
□ Konverter bertenaga tinggi
□ UPS
□ Fotovoltaik
Paket
Artikel | Simbol | Ketentuan | Nilai-nilai | Satuan | |||
Tegangan uji isolasi |
VISOL | RMS, f = 50 Hz, t = 1 min |
4.0 |
kV |
|||
Bahan baseplate modul |
Cu |
||||||
Isolasi internal |
(kelas 1, IEC 61140) Isolasi dasar (kelas 1, IEC 61140) |
Al2O3 |
|||||
Jarak merangkak |
Dcreep | terminal ke heatsink | 29.0 |
mm |
|||
Dcreep | terminal ke terminal | 23.0 | |||||
Pengumuman |
DClear | terminal ke heatsink | 23.0 |
mm |
|||
DClear | terminal ke terminal | 11.0 | |||||
Indeks pelacakan komparatif |
CTI |
> 400 |
|||||
Artikel | Simbol | Ketentuan | Nilai-nilai | Satuan | |||
Min. | Seperti itu. | Max. Apa yang terjadi? | |||||
Modul induktansi yang sesat |
LsCE |
20 |
nH |
||||
Modul resistensi timbal, terminal - chip |
RCC+EE | TC= 25°C |
0.70 |
mΩ |
|||
Suhu penyimpanan |
Tstg |
- 40 |
125 |
°C | |||
Torsi pemasangan untuk pemasangan modul |
M6 |
3.0 |
6.0 |
Nm |
|||
Torsi koneksi terminal |
M6 |
2.5 |
5.0 |
Nm |
|||
Berat badan |
G |
320 |
g |
IGBT Maksimal Berkualitas Nilai-nilai
Artikel | Simbol | Ketentuan | Nilai-nilai | Satuan | |
Tegangan kolektor-emitter |
VCES | Tvj= 25°C |
1700 |
V |
|
Tegangan maksimum gate-emitter |
VGES |
± 20 |
V |
||
Tegangan transisi gerbang-emitter |
VGES | tp≤ 10μs, D=0.01 |
± 30 |
V |
|
Arus DC kolektor terus menerus |
AkuC | TC= 25°C | 500 |
A |
|
TC= 100°C | 300 | ||||
Listrik kolektor berdenyut,tp terbatas oleh Tjmax |
ICpulse |
600 |
A |
||
Penghambatan daya |
Ptot |
1500 |
W |
Karakteristik Nilai-nilai
Artikel | Simbol | Ketentuan | Nilai-nilai | Satuan | |||
Min. | Seperti itu. | Max. Apa yang terjadi? | |||||
Tegangan jenuh kolektor-emitter |
VCE (sat) | AkuC= 300A, VGE=15V | Tvj= 25°C | 1.70 | 2.00 |
V |
|
Tvj= 125°C | 1.95 | ||||||
Tvj= 150°C | 2.00 | ||||||
Tegangan ambang gerbang |
VGE (th) | VCE=VGEAkuC=12mA |
5.1 |
5.9 |
6.6 |
V |
|
Arus pemotongan kolektor-emitter |
ICES | VCE=1700V, VGE=0V | Tvj= 25°C | 100 | μA | ||
Tvj= 150°C | 5 | mA | |||||
Arus kebocoran gate-emitter |
IGES | VCE=0V,VGE=±20V, Tvj= 25°C | -200 | 200 | nA | ||
Biaya Gerbang |
QG | VCE= 900V, IC= 300A, VGE= ± 15V | 1.6 | μC | |||
Kapasitas Masuk |
Ces | VCE= 25V, VGE=0V, f =100kHz | 25.0 |
nF |
|||
Kapasitas output |
Coes | 1.4 | |||||
Kapasitas transfer terbalik |
Cres | 0.4 | |||||
Resistor gerbang internal |
RGint | Tvj= 25°C | 3.5 | Oh | |||
Waktu penundaan menyala, beban induktif |
Pada saat ini | VCC=900V,IC= 300A RG=3,3Ω, VGE= ± 15V | Tvj= 25°C | 185 | ns | ||
Tvj= 125°C | 220 | ns | |||||
Tvj= 150°C | 230 | ns | |||||
Waktu kebangkitan, beban induktif |
tr | Tvj= 25°C | 76 | ns | |||
Tvj= 125°C | 92 | ns | |||||
Tvj= 150°C | 96 | ns | |||||
Waktu penundaan mati, beban induktif |
td (off) | VCC=900V,IC= 300A RG=3,3Ω, VGE= ± 15V | Tvj= 25°C | 550 | ns | ||
Tvj= 125°C | 665 | ns | |||||
Tvj= 150°C | 695 | ns | |||||
Waktu jatuh, beban induktif |
tf | Tvj= 25°C | 390 | ns | |||
Tvj= 125°C | 610 | ns | |||||
Tvj= 150°C | 675 | ns | |||||
Kerugian energi saat menyala per denyut nadi |
Eon | VCC=900V,IC= 300A RG=3,3Ω, VGE= ± 15V | Tvj= 25°C | 44.7 | mJ | ||
Tvj= 125°C | 73.2 | mJ | |||||
Tvj= 150°C | 84.6 | mJ | |||||
Matikan kehilangan energi per denyut nadi |
Eoff | Tvj= 25°C | 68.5 | mJ | |||
Tvj= 125°C | 94.7 | mJ | |||||
Tvj= 150°C | 102.9 | mJ | |||||
Data SC |
ISC | VGE≤15V, VCC=900V | tp≤10μs Tvj= 150°C |
950 |
A |
||
Resistensi termal IGBT, kasus persimpangan |
RthJC | 0.10 | K / W | ||||
Suhu operasi |
TJop | - 40 | 175 | °C |
Dioda maksimum Berkualitas Nilai-nilai
Artikel | Simbol | Ketentuan | Nilai-nilai | Satuan | |
Tegangan terbalik berulang |
VRRM | Tvj= 25°C |
1700 |
V |
|
Listrik terus menerus DC ke depan |
AkuF | TC= 25°C | 300 |
A |
|
TC= 100°C | 170 | ||||
Dioda arus berdenyut,tp dibatasi oleh TJmax |
IFpulse | 600 |
Karakteristik Nilai-nilai
Artikel | Simbol | Ketentuan | Nilai-nilai | Satuan | |||
Min. | Seperti itu. | Max. Apa yang terjadi? | |||||
Tegangan ke depan |
VF | AkuF= 300A, VGE=0V | Tvj= 25°C | 2.45 | 2.80 |
V |
|
Tvj= 125°C | 2.65 | ||||||
Tvj= 150°C | 2.65 | ||||||
Waktu pemulihan terbalik |
trr |
AkuF= 300A DIF/dt=-4000A/μs (Tvj= 150°C) VR= 900V, VGE=-15V |
Tvj= 25°C | 160 |
ns |
||
Tvj= 125°C | 230 | ||||||
Tvj= 150°C | 270 | ||||||
arus pemulihan terbalik puncak |
IRRM | Tvj= 25°C | 380 |
A |
|||
Tvj= 125°C | 400 | ||||||
Tvj= 150°C | 415 | ||||||
Biaya pemulihan terbalik |
QRR | Tvj= 25°C | 61 |
μC |
|||
Tvj= 125°C | 104 | ||||||
Tvj= 150°C | 123 | ||||||
Kehilangan energi pemulihan terbalik per denyut nadi |
Erec | Tvj= 25°C | 29.7 |
mJ |
|||
Tvj= 125°C | 53.6 | ||||||
Tvj= 150°C | 63.4 | ||||||
Resistensi termal dioda, kasus persimpangan |
RthJCD |
0.20 |
K / W |
||||
Suhu operasi |
TJop |
- 40 |
175 |
°C |
Output karakteristik (tipikal) Output karakteristik (tipikal)
AkuC= f (VCE) IC= f (VCE)
Tvj= 150°C
IGBT
Transfer karakteristik (tipikal) Mengganti kerugian IGBT(biasanya)
AkuC= f (VGE) E = f (RG)
VCE= 20V VGE= ±15V, IC= 300A, VCE= 900V
IGBT RBSOA
Mengganti kerugian IGBT(biasanya) Kembali bias aman mengoperasikan Area (RBSOA)
E = f (IC) IC=f (V)CE)
VGE= ± 15V, RG= 3.3Ω, VCE= 900V VGE= ± 15V, RGoff= 3,3Ω, Tvj= 150°C
Tipikal Kapasitas sebagai a fungsi dari kolektor-emitter tegangan Muatan gerbang (tipikal)
C = f (V)CE) VGE= f (QG)
f = 100 kHz, VGE= 0V IC= 300A, VCE= 900V
-
IGBT
IGBT sementara termal impedansi sebagai a fungsi dari denyut nadi lebar Ke depan karakteristik dari Dioda (tipikal)
Zth(j-c) = f (t) IF= f (VF)
Kehilangan switching Diode ((tipikal) Switchingkehilangan Diode (biasanya)
ERek= f (RG) ERek= f (IF)
AkuF= 300A, VCE= 900V RG= 3.3Ω, VCE= 900V
Dioda sementara termal impedansi sebagai a fungsi dari denyut nadi lebar
Zth ((j-c) = f (t)
"1700V 300A IGBT Half Bridge Module" mengintegrasikan dua Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) dalam konfigurasi half-bridge.menawarkan kontrol yang tepat atas tegangan (1700V) dan arus (300A)Pendinginan yang efektif sangat penting, dan spesifikasi rinci dapat ditemukan di lembar data produsen.
Sirkuit Diagram Judul
Paket garis besar