Jiangsu Solid Power Semiconductor Co.,Ltd
Produk
Produk
Rumah > Produk > Modul IGBT 62mm > Modul IGBT Putih Komponen Elektronik 62mm DS-SPS300B17G6R8-S04020024 V1.0

Modul IGBT Putih Komponen Elektronik 62mm DS-SPS300B17G6R8-S04020024 V1.0

Rincian produk

Nomor model: SPS300B17G6R8

Syarat Pembayaran & Pengiriman

Dapatkan Harga Terbaik
Menyoroti:

Modul IGBT 62mm Putih

,

Komponen Elektronik Modul IGBT 62mm

,

Modul IGBT Putih

Peringkat saat ini:
150A
Arus Kebocoran Gerbang-Emitor:
±100nA
Tegangan ambang gerbang-emitor:
5V
Arus Kolektor Maksimum:
300A
Tegangan Kolektor-Emitor Maksimum:
1200V
Suhu Persimpangan Maksimum:
150°C
Disipasi Daya Maksimum:
500W
Gaya Pemasangan:
Baut
Jangkauan suhu operasi:
-40°C hingga 125°C
Jenis Paket:
62mm
Jenis Produk:
Modul Semikonduktor Daya
Beralih Frekuensi:
20Khz
Ketahanan Termal:
0.1°C/W
Nomor tegangan:
600V
Peringkat saat ini:
150A
Arus Kebocoran Gerbang-Emitor:
±100nA
Tegangan ambang gerbang-emitor:
5V
Arus Kolektor Maksimum:
300A
Tegangan Kolektor-Emitor Maksimum:
1200V
Suhu Persimpangan Maksimum:
150°C
Disipasi Daya Maksimum:
500W
Gaya Pemasangan:
Baut
Jangkauan suhu operasi:
-40°C hingga 125°C
Jenis Paket:
62mm
Jenis Produk:
Modul Semikonduktor Daya
Beralih Frekuensi:
20Khz
Ketahanan Termal:
0.1°C/W
Nomor tegangan:
600V
Modul IGBT Putih Komponen Elektronik 62mm DS-SPS300B17G6R8-S04020024 V1.0

Solid Power-DS-SPS300B17G6R8-S04020024 V1.0

 

1700V 300A IGBT Setengah Jembatan Modul

 

Modul IGBT Putih Komponen Elektronik 62mm DS-SPS300B17G6R8-S04020024 V1.0 0

 

Fitur:

 

D 1700V Trench+ Field Stop teknologi

□ Dioda roda bebas dengan pemulihan mundur cepat dan lembut

□ VCE (Saturday)dengan koefisien suhu positif

□ Kerugian switching rendah

 

Tipikal Aplikasi: 

 

□ Motor/Servo Drive

□ Konverter bertenaga tinggi

□ UPS

□ Fotovoltaik

 

Paket

Artikel Simbol Ketentuan Nilai-nilai Satuan

Tegangan uji isolasi

VISOL RMS, f = 50 Hz, t = 1 min

4.0

kV

Bahan baseplate modul

   

Cu

 

Isolasi internal

 

(kelas 1, IEC 61140)

Isolasi dasar (kelas 1, IEC 61140)

Al2O3

 

Jarak merangkak

Dcreep terminal ke heatsink 29.0

mm

Dcreep terminal ke terminal 23.0

Pengumuman

DClear terminal ke heatsink 23.0

mm

DClear terminal ke terminal 11.0

Indeks pelacakan komparatif

CTI  

> 400

 
   
Artikel Simbol Ketentuan Nilai-nilai Satuan
Min. Seperti itu. Max. Apa yang terjadi?

Modul induktansi yang sesat

LsCE    

20

 

nH

Modul resistensi timbal, terminal - chip

RCC+EE   TC= 25°C  

0.70

 

Suhu penyimpanan

Tstg  

- 40

 

125

°C

Torsi pemasangan untuk pemasangan modul

M6  

3.0

 

6.0

Nm

Torsi koneksi terminal

M6  

2.5

 

5.0

Nm

Berat badan

G    

320

 

g

 

 

 

IGBT Maksimal Berkualitas Nilai-nilai 

Artikel Simbol Ketentuan Nilai-nilai Satuan

Tegangan kolektor-emitter

VCES   Tvj= 25°C

1700

V

Tegangan maksimum gate-emitter

VGES  

± 20

V

Tegangan transisi gerbang-emitter

VGES tp≤ 10μs, D=0.01

± 30

V

Arus DC kolektor terus menerus

AkuC   TC= 25°C 500

A

TC= 100°C 300

Listrik kolektor berdenyut,tp terbatas oleh Tjmax

ICpulse  

600

A

Penghambatan daya

Ptot  

1500

W

 

 

Karakteristik Nilai-nilai 

Artikel Simbol Ketentuan Nilai-nilai Satuan
Min. Seperti itu. Max. Apa yang terjadi?

Tegangan jenuh kolektor-emitter

VCE (sat) AkuC= 300A, VGE=15V Tvj= 25°C   1.70 2.00

V

Tvj= 125°C   1.95  
Tvj= 150°C   2.00  

Tegangan ambang gerbang

VGE (th) VCE=VGEAkuC=12mA

5.1

5.9

6.6

V

Arus pemotongan kolektor-emitter

ICES VCE=1700V, VGE=0V Tvj= 25°C     100 μA
Tvj= 150°C     5 mA

Arus kebocoran gate-emitter

IGES VCE=0V,VGE=±20V, Tvj= 25°C -200   200 nA

Biaya Gerbang

QG VCE= 900V, IC= 300A, VGE= ± 15V   1.6   μC

Kapasitas Masuk

Ces VCE= 25V, VGE=0V, f =100kHz   25.0  

nF

Kapasitas output

Coes   1.4  

Kapasitas transfer terbalik

Cres   0.4  

Resistor gerbang internal

RGint Tvj= 25°C   3.5   Oh

Waktu penundaan menyala, beban induktif

Pada saat ini VCC=900V,IC= 300A RG=3,3Ω, VGE= ± 15V Tvj= 25°C   185   ns
Tvj= 125°C   220   ns
Tvj= 150°C   230   ns

Waktu kebangkitan, beban induktif

tr Tvj= 25°C   76   ns
Tvj= 125°C   92   ns
Tvj= 150°C   96   ns

Waktu penundaan mati, beban induktif

td (off) VCC=900V,IC= 300A RG=3,3Ω, VGE= ± 15V Tvj= 25°C   550   ns
Tvj= 125°C   665   ns
Tvj= 150°C   695   ns

Waktu jatuh, beban induktif

tf Tvj= 25°C   390   ns
Tvj= 125°C   610   ns
Tvj= 150°C   675   ns

Kerugian energi saat menyala per denyut nadi

Eon VCC=900V,IC= 300A RG=3,3Ω, VGE= ± 15V Tvj= 25°C   44.7   mJ
Tvj= 125°C   73.2   mJ
Tvj= 150°C   84.6   mJ

Matikan kehilangan energi per denyut nadi

Eoff Tvj= 25°C   68.5   mJ
Tvj= 125°C   94.7   mJ
Tvj= 150°C   102.9   mJ

Data SC

ISC VGE≤15V, VCC=900V tp≤10μs Tvj= 150°C    

950

A

Resistensi termal IGBT, kasus persimpangan

RthJC       0.10 K / W

Suhu operasi

TJop   - 40   175 °C

 

 

Dioda maksimum Berkualitas Nilai-nilai 

Artikel Simbol Ketentuan Nilai-nilai Satuan

Tegangan terbalik berulang

VRRM   Tvj= 25°C

1700

V

Listrik terus menerus DC ke depan

AkuF   TC= 25°C 300

 

A

TC= 100°C 170

Dioda arus berdenyut,tp dibatasi oleh TJmax

IFpulse   600

 

 

Karakteristik Nilai-nilai

Artikel Simbol Ketentuan Nilai-nilai Satuan
Min. Seperti itu. Max. Apa yang terjadi?

Tegangan ke depan

VF AkuF= 300A, VGE=0V Tvj= 25°C   2.45 2.80

V

Tvj= 125°C   2.65  
Tvj= 150°C   2.65  

Waktu pemulihan terbalik

trr

AkuF= 300A

DIF/dt=-4000A/μs (Tvj= 150°C) VR= 900V,

VGE=-15V

Tvj= 25°C   160  

ns

Tvj= 125°C 230
Tvj= 150°C 270

arus pemulihan terbalik puncak

IRRM Tvj= 25°C   380  

A

Tvj= 125°C 400
Tvj= 150°C 415

Biaya pemulihan terbalik

QRR Tvj= 25°C   61  

μC

Tvj= 125°C 104
Tvj= 150°C 123

Kehilangan energi pemulihan terbalik per denyut nadi

Erec Tvj= 25°C   29.7  

mJ

Tvj= 125°C 53.6
Tvj= 150°C 63.4

Resistensi termal dioda, kasus persimpangan

RthJCD      

0.20

K / W

Suhu operasi

TJop  

- 40

 

175

°C

 

 

 

Output karakteristik (tipikal) Output karakteristik (tipikal)

AkuC= f (VCE) IC= f (VCE)

Tvj= 150°C

 

Modul IGBT Putih Komponen Elektronik 62mm DS-SPS300B17G6R8-S04020024 V1.0 1

 

 

 

                                                                                                                IGBT

Transfer karakteristik (tipikal) Mengganti kerugian IGBT(biasanya)

AkuC= f (VGE) E = f (RG)

VCE= 20V VGE= ±15V, IC= 300A, VCE= 900V

 

Modul IGBT Putih Komponen Elektronik 62mm DS-SPS300B17G6R8-S04020024 V1.0 2

 

 

IGBT RBSOA

 Mengganti kerugian IGBT(biasanya) Kembali bias aman mengoperasikan Area (RBSOA)

E = f (IC) IC=f (V)CE)

VGE= ± 15V, RG= 3.3Ω, VCE= 900V VGE= ± 15V, RGoff= 3,3Ω, Tvj= 150°C

 

Modul IGBT Putih Komponen Elektronik 62mm DS-SPS300B17G6R8-S04020024 V1.0 3

 

 

Tipikal Kapasitas sebagai a fungsi dari kolektor-emitter tegangan Muatan gerbang (tipikal)

C = f (V)CE) VGE= f (QG)

f = 100 kHz, VGE= 0V IC= 300A, VCE= 900V

 

Modul IGBT Putih Komponen Elektronik 62mm DS-SPS300B17G6R8-S04020024 V1.0 4

 

-

IGBT

IGBT sementara termal impedansi sebagai a fungsi dari denyut nadi lebar Ke depan karakteristik dari Dioda (tipikal)

Zth(j-c) = f (t) IF= f (VF)

 

Modul IGBT Putih Komponen Elektronik 62mm DS-SPS300B17G6R8-S04020024 V1.0 5

 

 

 

 

Kehilangan switching Diode ((tipikal) Switchingkehilangan Diode (biasanya)

ERek= f (RG) ERek= f (IF)

AkuF= 300A, VCE= 900V RG= 3.3Ω, VCE= 900V

 

Modul IGBT Putih Komponen Elektronik 62mm DS-SPS300B17G6R8-S04020024 V1.0 6

 

 

Dioda sementara termal impedansi sebagai a fungsi dari denyut nadi lebar

Zth ((j-c) = f (t)

 

Modul IGBT Putih Komponen Elektronik 62mm DS-SPS300B17G6R8-S04020024 V1.0 7

 

 

"1700V 300A IGBT Half Bridge Module" mengintegrasikan dua Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) dalam konfigurasi half-bridge.menawarkan kontrol yang tepat atas tegangan (1700V) dan arus (300A)Pendinginan yang efektif sangat penting, dan spesifikasi rinci dapat ditemukan di lembar data produsen.

 

Sirkuit Diagram Judul 

 

 

 

Modul IGBT Putih Komponen Elektronik 62mm DS-SPS300B17G6R8-S04020024 V1.0 8

 

 

 

 

Paket garis besar 

 

 

Modul IGBT Putih Komponen Elektronik 62mm DS-SPS300B17G6R8-S04020024 V1.0 9