DS-SPS450B12G6M4-S04020021 V-1.0. H Bridge Mosfet Modul 1200V 450A ODM
Solid Power-DS-SPS450B12G6M4-S04020021 V-1.0.
1200V 450A IGBT Setengah Jembatan Modul
Fitur:
D 1200V Trench+ Field Stop teknologi
□ Dioda roda bebas dengan pemulihan mundur cepat dan lembut
□ VCE (Saturday)dengan koefisien suhu positif
□ Kerugian switching rendah
□ Kerentanan sirkuit pendek
□ Pemanasan induksi
□ Pengelasan
□ Aplikasi switching frekuensi tinggi
Paket IGBT
| Artikel |
Simbol |
Ketentuan |
Nilai-nilai |
Satuan |
|
Tegangan uji isolasi
|
VISOL |
RMS, f = 50 Hz, t = 1 min |
4.0 |
kV |
|
Bahan baseplate modul
|
|
|
Cu |
|
|
Isolasi internal
|
|
(kelas 1, IEC 61140)
Isolasi dasar (kelas 1, IEC 61140)
|
Al2O3 |
|
|
Jarak merangkak
|
Dcreep |
terminal ke heatsink |
29.0 |
mm |
| Dcreep |
terminal ke terminal |
23.0 |
|
Pengumuman
|
DClear |
terminal ke heatsink |
23.0 |
mm |
| DClear |
terminal ke terminal |
11.0 |
|
Indeks pelacakan komparatif
|
CTI |
|
> 400 |
|
| |
|
| Artikel |
Simbol |
Ketentuan |
Nilai-nilai |
Satuan |
| Min. |
Seperti itu. |
Max. Apa yang terjadi? |
|
Modul induktansi yang sesat
|
LsCE |
|
|
20 |
|
nH |
|
Modul resistensi timbal, terminal - chip
|
RCC+EE |
|
TC= 25°C |
|
0.70 |
|
mΩ |
|
Suhu penyimpanan
|
Tstg |
|
- 40 |
|
125 |
°C |
|
Torsi pemasangan untuk pemasangan modul
|
M5 |
|
3.0 |
|
6.0 |
Nm |
|
Torsi koneksi terminal
|
M6 |
|
2.5 |
|
5.0 |
Nm |
|
Berat badan
|
G |
|
|
320 |
|
g |
IGBT Maksimal Berkualitas Nilai-nilai
| Artikel |
Simbol |
Ketentuan |
Nilai-nilai |
Satuan |
|
Tegangan kolektor-emitter
|
VCES |
|
Tvj= 25°C |
1200 |
V |
|
Tegangan maksimum gate-emitter
|
VGES |
|
± 20 |
V |
|
Tegangan transisi gerbang-emitter
|
VGES |
tp≤ 10μs, D=0.01 |
± 30 |
V |
|
Arus DC kolektor terus menerus
|
AkuC |
|
TC= 25°C |
675 |
A |
| TC= 100°C |
450 |
|
Listrik kolektor berdenyut,tp terbatas oleh Tjmax
|
ICpulse |
|
900 |
A |
|
Penghambatan daya
|
Ptot |
|
1875 |
W |
Karakteristik Nilai-nilai
| Artikel |
Simbol |
Ketentuan |
Nilai-nilai |
Satuan |
| Min. |
Seperti itu. |
Max. Apa yang terjadi? |
|
Tegangan jenuh kolektor-emitter
|
VCE (sat) |
AkuC=450A, VGE=15V |
Tvj= 25°C |
|
1.50 |
1.80 |
V
|
| Tvj= 125°C |
|
1.65 |
|
| Tvj= 150°C |
|
1.70 |
|
|
Tegangan ambang gerbang
|
VGE (th) |
VCE=VGEAkuC= 18mA |
5.0 |
5.8 |
6.5 |
V |
|
Arus pemotongan kolektor-emitter
|
ICES |
VCE= 1200V, VGE=0V |
Tvj= 25°C |
|
|
100 |
μA |
| Tvj= 150°C |
|
|
5 |
mA |
|
Arus kebocoran gate-emitter
|
IGES |
VCE=0V,VGE=±20V, Tvj= 25°C |
-200 |
|
200 |
nA |
|
Biaya Gerbang
|
QG |
VCE=600V, IC= 450A, VGE= ± 15V |
|
5.0 |
|
μC |
|
Kapasitas Masuk
|
Ces |
VCE= 25V, VGE=0V, f =100kHz |
|
90.0 |
|
nF
|
|
Kapasitas output
|
Coes |
|
2.84 |
|
|
Kapasitas transfer terbalik
|
Cres |
|
0.81 |
|
|
Waktu penundaan menyala, beban induktif
|
Pada saat ini |
VCC=600V,IC=450A RG=1,8Ω,
VGE=15V
|
Tvj= 25°C |
|
168 |
|
ns |
| Tvj= 125°C |
|
172 |
|
ns |
| Tvj= 150°C |
|
176 |
|
ns |
|
Waktu kebangkitan, beban induktif
|
tr |
Tvj= 25°C |
|
80 |
|
ns |
| Tvj= 125°C |
|
88 |
|
ns |
| Tvj= 150°C |
|
92 |
|
ns |
|
Waktu penundaan mati, beban induktif
|
td (off) |
VCC=600V,IC=450A RG=1,8Ω,
VGE=15V
|
Tvj= 25°C |
|
624 |
|
ns |
| Tvj= 125°C |
|
668 |
|
ns |
| Tvj= 150°C |
|
672 |
|
ns |
|
Waktu jatuh, beban induktif
|
tf |
Tvj= 25°C |
|
216 |
|
ns |
| Tvj= 125°C |
|
348 |
|
ns |
| Tvj= 150°C |
|
356 |
|
ns |
|
Kerugian energi saat menyala per denyut nadi
|
Eon |
VCC=600V,IC=450A RG=1,8Ω,
VGE=15V
|
Tvj= 25°C |
|
17.2 |
|
mJ |
| Tvj= 125°C |
|
27.1 |
|
mJ |
| Tvj= 150°C |
|
30.0 |
|
mJ |
|
Matikan kehilangan energi per denyut nadi
|
Eoff |
Tvj= 25°C |
|
52.3 |
|
mJ |
| Tvj= 125°C |
|
64.3 |
|
mJ |
| Tvj= 150°C |
|
67.1 |
|
mJ |
|
Data SC
|
ISC |
VGE≤15V, VCC=800V |
tp≤10μs Tvj= 150°C |
|
|
2000 |
A |
|
Resistensi termal IGBT, kasus persimpangan
|
RthJC |
|
|
|
0.08 |
K / W |
|
Suhu operasi
|
TJop |
|
- 40 |
|
150 |
°C |
Dioda Maksimal Berkualitas Nilai-nilai
| Artikel |
Simbol |
Ketentuan |
Nilai-nilai |
Satuan |
|
Tegangan terbalik berulang
|
VRRM |
|
Tvj= 25°C |
1200 |
V |
|
Listrik terus menerus DC ke depan
|
AkuF |
|
450 |
A
|
|
Dioda arus berdenyut,tp dibatasi oleh TJmax
|
IFpulse |
|
900 |
Karakteristik Nilai-nilai
| Artikel |
Simbol |
Ketentuan |
Nilai-nilai |
Satuan |
| Min. |
Seperti itu. |
Max. Apa yang terjadi? |
|
Tegangan ke depan
|
VF |
AkuF= 450A, VGE=0V |
Tvj= 25°C |
|
2.30 |
2.70 |
V
|
| Tvj= 125°C |
|
2.50 |
|
| Tvj= 150°C |
|
2.50 |
|
|
Waktu pemulihan terbalik
|
trr |
AkuF= 450A
DIF/dt=-5600A/μs (T)vj= 150°C) VR=600V,
VGE=-15V
|
Tvj= 25°C |
|
134 |
|
ns
|
| Tvj= 125°C |
216 |
| Tvj= 150°C |
227 |
|
arus pemulihan terbalik puncak
|
IRRM |
Tvj= 25°C |
|
317 |
|
A
|
| Tvj= 125°C |
376 |
| Tvj= 150°C |
379 |
|
Biaya pemulihan terbalik
|
QRR |
Tvj= 25°C |
|
40.5 |
|
μC
|
| Tvj= 125°C |
63.2 |
| Tvj= 150°C |
65.4 |
|
Kehilangan energi pemulihan terbalik per denyut nadi
|
Erec |
Tvj= 25°C |
|
15.9 |
|
mJ
|
| Tvj= 125°C |
27.0 |
| Tvj= 150°C |
28.1 |
|
Resistensi termal dioda, kasus persimpangan
|
RthJCD |
|
|
|
0.13 |
K / W |
|
Suhu operasi
|
TJop |
|
- 40 |
|
150 |
°C |
Output karakteristik (tipikal) Output karakteristik (tipikal)
AkuC= f (VCE) IC= f (VCE) Tvj= 150°C
IGBT
Transfer karakteristik (tipikal) Pergantian kerugian IGBT(biasanya)
AkuC= f (VGE) E = f (RG)
VCE= 20V VGE= ±15V, IC= 450A, VCE= 600V
IGBT RBSOA
Mengganti kerugian IGBT(biasanya) Kembali bias aman mengoperasikan Area (RBSOA)
E = f (IC) IC=f (V)CE)
VGE= ± 15V, RG= 1,8Ω, VCE= 600V VGE= ± 15V, RGoff= 3,3Ω, Tvj= 150°C
Tipikal Kapasitas sebagai a fungsi dari kolektor-emitter Gerbang tegangan biaya(biasanya)
C = f (V)CE) VGE= f (QG)
f = 100 kHz, VGE= 0V IC= 450A, VCE= 600V
IGBT
IGBT sementara termal impedansi sebagai a fungsi dari denyut nadi lebar Ke depan karakteristik dari Dioda (tipikal)
Zth(j-c) = f (t) IF= f (VF)
Mengganti kerugian Diode (biasanya) Switch kerugian Dioda (biasanya)
ERek= f (RG) ERek= f (IF)
AkuF= 450A, VCE= 600V RG= 1,8Ω, VCE= 600V
Dioda sementara termal impedansi sebagai a fungsi dari denyut nadilebar
Zth ((j-c) = f (t)
IGBT 1200V (Insulated Gate Bipolar Transistor) adalah perangkat semikonduktor dengan tegangan nominal 1200 volt.Jenis perangkat ini umumnya digunakan dalam aplikasi tegangan tinggi seperti power inverter dan motor drive.
Poin-poin utama:
1. Tegangan Rating (1200V): Menunjukkan tegangan maksimum yang dapat ditangani IGBT. Cocok untuk aplikasi yang membutuhkan kontrol tegangan tinggi,seperti penggerak motor bertenaga tinggi dan catu daya tak terputus.
2. Aplikasi: IGBT 1200V umum digunakan di bidang daya tinggi seperti penggerak motor industri, catu daya tak terputus (UPS), sistem energi terbarukan, dll.,di mana kontrol tegangan tinggi yang tepat diperlukan.
3Kecepatan Switching: IGBT dapat menyala dan mati dengan cepat, membuatnya cocok untuk aplikasi yang membutuhkan switching frekuensi tinggi.Karakteristik switching khusus tergantung pada model dan produsen.
4. Persyaratan pendinginan:** Seperti banyak perangkat elektronik daya, IGBT menghasilkan panas selama operasi.sering diperlukan untuk memastikan kinerja dan keandalan perangkat.
5. Lembar data:Untuk informasi rinci tentang IGBT 1200V tertentu, sangat penting untuk merujuk ke lembar data produsen.karakteristik listrik, dan pedoman untuk aplikasi dan manajemen termal.
Ketika menggunakan IGBT 1200V dalam sirkuit atau sistem, desainer harus mempertimbangkan faktor-faktor seperti persyaratan drive gerbang, mekanisme perlindungan,dan pertimbangan termal untuk memastikan operasi yang benar dan andal.
Sirkuit Diagram Judul
Paket garis besar
Dimensi dalam (mm)
mm
Pesan Anda harus antara 20-3.000 karakter!
