Jiangsu Solid Power Semiconductor Co.,Ltd
Produk
Produk
Rumah > Produk > Modul IGBT 62mm > 1200V 300A SiC MOSFET Half Bridge Module Semikonduktor DS-SPS300MB12G6S-S04310004

1200V 300A SiC MOSFET Half Bridge Module Semikonduktor DS-SPS300MB12G6S-S04310004

Rincian produk

Nomor model: SPS300MB12G6S

Syarat Pembayaran & Pengiriman

Dapatkan Harga Terbaik
Menyoroti:

SiC MOSFET Half Bridge Module

,

Semikonduktor Half Bridge Module

,

1200V 300A Sic MOSFET Modul

1200V 300A SiC MOSFET Half Bridge Module Semikonduktor DS-SPS300MB12G6S-S04310004

Solid Power-DS-SPS300MB12G6S-S04310004

 

1200V 300A SiC MOSFET Setengah Jembatan Modul

 

 1200V 300A SiC MOSFET Half Bridge Module Semikonduktor DS-SPS300MB12G6S-S04310004 0

 

Fitur:

  • Aplikasi High Frequency Switching
  • Zero arus pemulihan terbalik dari dioda
  • arus ekor nol dari MOSFET
  • Kerugian yang sangat rendah
  • Kemudahan Melakukan Parallel

Tipikal Aplikasi:

  • Pemanasan Induksi
  • Inverter Surya dan Angin
  • Konverter DC/DC
  • Pengisi daya baterai

 

MOSFET

 

Maksimal Nilai Nominal/ Maksimum jumlah

 

Artikel

 

Simbol

 

Ketentuan

 

Nilai

 

Satuan

 

漏极-源极 listrik

Tegangan sumber pembuangan

 

VDSS

 

Tvj= 25°C

 

1200

 

V

 

aliran listrik terus menerus

Lanjutkans DC arus pembuangan

 

AkuD

 

VGS=20V, TC= 25°C, Tvjmax= 175°C

VGS=20V, TC= 85°C, Tvjmax= 175°C

 

400

 

300

 

 

A

 

脉冲漏极 arus listrik

Saluran pembuangan pulsa arus

 

AkuD denyut nadi

 

Lebar pulsa tpterbatas olehTvjmax

 

1200

 

A

 

total kerugian daya

Total daya bercampurPeraturan

 

Puntuk

 

TC= 25°C,Tvjmax= 175°C

 

1153

 

W

 

Tekanan listrik puncak

Gerbang maksimum-tekanan sumber

 

VGSS

 

 

-10/25

 

V

 

KarakterNilai/ 特征值

 

Artikel

 

Simbol

 

Ketentuan

 

Min. Seperti itu. Max. Apa yang terjadi?

 

Satuan

 

漏极-源极通态 resistensi listrik

Sumber pembuangan di resistensi

 

 

RDS( pada)

 

AkuD= 300A,VGS=20V

 

Tvj= 25°C

Tvj= 125°C

Tvj= 150°C

 

4.0

5.4 6.0

 

5.6

 

 

极 值 tegangan listrik

Batas batas gerbangtegangan

 

 

VGS (th)

 

AkuC= 90mA, VCE=VGE, Tvj= 25°C

AkuC= 90mA, VCE=VGE, Tvj= 150°C

 

1.9

 

2.4

1.6

 

4.0

 

V

 

跨导

 

Transkonduktansi

 

gfs

 

VDS = 20 V, AkuDS = 300 A, Tvj= 25°C

VDS = 20 V, AkuDS = 300 A, Tvj= 150°C

 

211

 

186

 

S

 

¥极电荷

Gerbang biaya

 

QG

 

VGE=-5V... +20V

 

 

1170

 

 

nC

 

内部 极电阻

Gerbang internal resistor

 

RGint

 

Tvj= 25°C

 

2.0

 

 

Oh

 

input kapasitas listrik

Input capketegangan

 

C- Tidak

 

f=1MHz,Tvj= 25°C,VDS=1000V, VAC= 25mV, VGE=0V

 

 

25.2

 

nF

 

kapasitas listrik output

Output Kapasitas

 

 

CTerdengar

 

f=1MHz,Tvj= 25°C,VDS=1000V, VAC= 25mV, VGE=0V

 

 

1500

 

pF

 

Kapasitas transmisi listrik sebaliknya

Kembali ke belakangKapasitas sfera

 

 

Cres

 

f=1MHz,Tvj= 25°C,VDS=1000V, VAC= 25mV, VGE=0V

 

 

96

 

pF

 

零 电压bocoran listrik

Gerbang nol vusia tua saluran pembuangan arus

 

AkuDSS

 

VDS= 1200V, VGS=0V, Tvj= 25°C

 

300

 

μA

 

-源极漏电流

Sumber gerbang learus akage

 

AkuGSS

 

VDS=0V, VGS=20V, Tvj= 25°C

 

100

 

nA

 

开通延迟时间 (untuk waktu yang lama)( listrik beban)

Menghidupkan waktu keterlambatan, induktif beban

 

 

td( pada)

 

Tvj= 25°C Tvj= 125°C Tvj= 150°C

 

76

66

 

66

 

ns

ns

ns

 

上升时间( listrik beban)

Waktu untuk bangun, induktif beban

 

tr

 

Tvj= 25°C Tvj= 125°C Tvj= 150°C

 

62

56

 

56

 

ns

ns

ns

 

关断延迟时间( listrik beban)

Putus dwaktu elay, induktif beban

 

 

td(off)

 

AkuD= 300A, VDS=600V

VGS=-5/20V

RGon= 2,5Ω

 

Tvj= 25°C

Tvj= 125°C

Tvj= 150°C

 

308

342

 

342

 

ns

ns

ns

 

下降时间( listrik beban)

Waktu musim gugur, induktif beban

 

tf

 

RGoff= 2,5Ω

= 56 nH

 

Induktif Load,

 

Tvj= 25°C

Tvj= 125°C

Tvj= 150°C

 

94

92

 

92

 

ns

ns

ns

 

开通 损耗能量(Setiap impuls)

Menghidupkan energi kerugian per PuItu.

 

 

Epada

 

Tvj= 25°C Tvj= 125°C Tvj= 150°C

 

5.55

4.35

4.35

 

mJ

mJ

 

关断损耗能量 (mengurangi konsumsi energi)(Setiap denyut nadi)

Energi pemadam kerugian per denyut nadi

 

Eoff

 

Tvj= 25°C Tvj= 125°C Tvj= 150°C

 

12.10

12.35

12.35

 

mJ

mJ

 

 

结-外 热阻

Termal resistensi, juPembagian kasus

 

RthJC

 

Per MOSFET / Setiap MOSFET

 

0.12

 

K/W

 

suhu kerja

Suhu danMengganti kondisi

 

 

Tvjop

 

 

- 40150

 

°C

 

 

Dioda/二极管

 

Maksimal Nilai Nominal/ maksimal定值

 

Artikel

 

Simbol

 

Ketentuan

 

Nilai

 

Satuan

 

terus menerus lurus arus listrik

Dioda kontinu untukPengejar arus

 

 

AkuF

 

VGS = -5 V, TC = 25 ̊C

 

400

 

A

 

KarakterNilai/ 特征值

 

Artikel

 

Simbol

 

Ketentuan

 

Min. Seperti itu. Max. Apa yang terjadi?

 

Satuan

 

Tegangan listrik

Tegangan ke depan

 

 

VSD

 

 

AkuF= 300A, VGS=0V

 

Tvj= 25°C Tvj= 150°C

 

1.60

2.00

 

 

1.80

 

V

V

 

结-外 热阻

Termal resistensi, juPembagian kasus

 

RthJC

 

Per dioda/ Setiap pipa

 

0.13

 

K/W

 

suhu kerja

Suhu danMengganti kondisi

 

Tvjop

 

 

- 40 150

 

°C

 

 

Modul/

 

Artikel

 

Simbol

 

Ketentuan

 

Nilai

 

Satuan

 

绝缘 pengujian tekanan listrik

Isolasitegangan uji

 

VISOL

 

RMS, f=50Hz, t=1min

 

2.5

 

 

kV

 

模块基板材料

Bahan dari modul baseplate

   

 

 

Cu

 

 

内部绝缘

Internal isolasi

 

 

基本绝缘(kelas 1, AkuEC 61140)

Dasar isolasi (kelas 1, IEC 61140)

 

Al2O3

 

 

爬电距离

MenjijikkanTante

 

 

端子-散热片/ terminal to heatsink

端子-端子/ terminal ke terMinal

 

29.0

23.0

 

 

mm

 

电气间隙

Pengumuman

 

 

端子-散热片/ terminal to heatsink

端子-端子/ terminal ke terMinal

 

23.0

11.0

 

mm

 

Indeks tanda listrik

Pelacakan komparatif indeks

 

 

CTI

 

 

 

> 400

 

 

 

Artikel

 

Simbol

 

Ketentuan

 

Min.

 

Seperti itu.

 

Max. Apa yang terjadi?

 

Satuan

 

杂散电感, modul

Pergilah Induktansi modul

 

LSCE

   

 

20

 

 

nH

 

modul resistensi kabel listrik,端子- chip

Modul timbal resistensi, terminal - chip

 

RCC+EE

 

TC= 25°C

 

 

0.465

 

 

 

temperatur penyimpanan

 

Tem penyimpananperatur

 

Tstg

 

 

- 40

 

 

125

 

°C

 

模块安装的安装扭矩

Tor pemasanganyang untuk modul pemasangan

 

M5

 

 

2.50

 

 

5.00

 

 

Nm

 

端子 连接 torsi

Koneksi terminaln torsi

 

M6

 

 

3.00

 

 

5.00

 

Nm

 

Berat badan

 

Berat badan

 

G

   

 

300

 

 

g

 

 

 

MOSFET MOSFET

Karakteristik output MOSFET (tipis) Karakteristik output MOSFET (tipis)

IC=f (VCE) IC=f ((VCE)

Tvj=25°C Tvj=150°C

 

 

1200V 300A SiC MOSFET Half Bridge Module Semikonduktor DS-SPS300MB12G6S-S04310004 1

 

Sumber pembuangan normal pada resistensi (tipis) Sumber pembuangan normal pada resistensi (tipis)

RDAnakku.(P.U.) = f(Tvj) RDSon=f(IDS)

AkuDS= 120A VGS= 20V VGS=20V

 

  

  

1200V 300A SiC MOSFET Half Bridge Module Semikonduktor DS-SPS300MB12G6S-S04310004 2

 

 

Sumber pembuangan pada resistensi (tipis) Tegangan ambang (tipis)

RDAnakku.=f(Tvj) VDS (th)=f(Tvj)

AkuDS= 120A VDS=VGSAkuDS= 30mA

 

1200V 300A SiC MOSFET Half Bridge Module Semikonduktor DS-SPS300MB12G6S-S04310004 3

 

 

MOSFET

Karakteristik transfer MOSFET (tipikal) Karakteristik Forward Diode (tipikal)

AkuDS=f(VGS)AkuDS=f(VDS)

VDS=20V Tvj= 25°C

 

1200V 300A SiC MOSFET Half Bridge Module Semikonduktor DS-SPS300MB12G6S-S04310004 4

 

 

 

Karakteristik dioda ke depan (tipikal) karakteristik 3rdKuadran (tipikal)

AkuDS=f(VDS) IDS=f(VDS)

Tvj= 150°C Tvj= 25°C

 

1200V 300A SiC MOSFET Half Bridge Module Semikonduktor DS-SPS300MB12G6S-S04310004 5

 

 

MOSFET

karakteristik 3rdKwadran (tipis) karakteristik muatan gerbang MOSFET (tipis)

AkuDS=f(VDS) VGS= f (QG)

Tvj= 150°C VDS= 800V, IDS= 120A, Tvj= 25°C

1200V 300A SiC MOSFET Half Bridge Module Semikonduktor DS-SPS300MB12G6S-S04310004 6

 

 

MOSFET MOSFET

Karakteristik Kapasitas MOSFET ((tipikal) Kerugian beralih MOSFET (tipikal)

C=f(VDS) E=f(IC)

VGS=0V, Tvj= 25°C, f=1MHz VGE=-5/20V, RG= 2,5 Ω, VCE=600V

1200V 300A SiC MOSFET Half Bridge Module Semikonduktor DS-SPS300MB12G6S-S04310004 7

 

 

 

MOSFET MOSFET

Kerugian switching MOSFET (tipis) Impedansi termal sementara MOSFET

E=f (RG) ZthJC=f (t)

VGE=-5/20V, IC=120A, VCE=600V

 

1200V 300A SiC MOSFET Half Bridge Module Semikonduktor DS-SPS300MB12G6S-S04310004 8

 

 

Dioda impedansi termal sementara

ZtHJC=f (t)

1200V 300A SiC MOSFET Half Bridge Module Semikonduktor DS-SPS300MB12G6S-S04310004 9

 

"1200V 300A SiC MOSFET Half Bridge Module" mengintegrasikan dua Silicon Carbide Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor (SiC MOSFETs) dalam konfigurasi setengah jembatan.Dirancang untuk aplikasi daya tinggi, memberikan kontrol yang tepat atas tegangan (1200V) dan arus (300A), dengan keuntungan seperti peningkatan efisiensi dan kinerja di lingkungan industri.Pendinginan yang efektif sangat penting untuk operasi yang dapat diandalkan, dan spesifikasi rinci dapat ditemukan di lembar data produsen.

 

 

Sirkuit Diagram Judul 

 

 

 

1200V 300A SiC MOSFET Half Bridge Module Semikonduktor DS-SPS300MB12G6S-S04310004 10

 

 

 

Paket garis besar 

 

 

 

1200V 300A SiC MOSFET Half Bridge Module Semikonduktor DS-SPS300MB12G6S-S04310004 11

mm