Rincian produk
Nomor model: SPS300MB12G6S
Syarat Pembayaran & Pengiriman
Solid Power-DS-SPS300MB12G6S-S04310004
1200V 300A SiC MOSFET Setengah Jembatan Modul
Fitur:
Tipikal Aplikasi:
MOSFET
Maksimal Nilai Nominal/ Maksimum jumlah值 |
|||||||
Artikel |
Simbol |
Ketentuan |
Nilai |
Satuan |
|||
漏极-源极 listrik Tegangan sumber pembuangan |
VDSS |
Tvj= 25°C |
1200 |
V |
|||
aliran listrik terus menerus Lanjutkans DC arus pembuangan |
AkuD |
VGS=20V, TC= 25°C, Tvjmax= 175°C VGS=20V, TC= 85°C, Tvjmax= 175°C |
400
300 |
A |
|||
脉冲漏极 arus listrik Saluran pembuangan pulsa arus |
AkuD denyut nadi |
Lebar pulsa tpterbatas olehTvjmax |
1200 |
A |
|||
total kerugian daya Total daya bercampurPeraturan |
Puntuk |
TC= 25°C,Tvjmax= 175°C |
1153 |
W |
|||
Tekanan listrik puncak Gerbang maksimum-tekanan sumber |
VGSS |
-10/25 |
V |
||||
KarakterNilai/ 特征值 |
|||||||
Artikel |
Simbol |
Ketentuan |
Min. Seperti itu. Max. Apa yang terjadi? |
Satuan |
|||
漏极-源极通态 resistensi listrik Sumber pembuangan di resistensi |
RDS( pada) |
AkuD= 300A,VGS=20V |
Tvj= 25°C Tvj= 125°C Tvj= 150°C |
4.0 5.4 6.0 |
5.6 |
mΩ mΩ mΩ |
|
极 值 tegangan listrik Batas batas gerbangtegangan |
VGS (th) |
AkuC= 90mA, VCE=VGE, Tvj= 25°C AkuC= 90mA, VCE=VGE, Tvj= 150°C |
1.9 |
2.4 1.6 |
4.0 |
V |
|
跨导
Transkonduktansi |
gfs |
VDS = 20 V, AkuDS = 300 A, Tvj= 25°C VDS = 20 V, AkuDS = 300 A, Tvj= 150°C |
211
186 |
S |
|||
¥极电荷 Gerbang biaya |
QG |
VGE=-5V... +20V |
1170 |
nC |
|||
内部 极电阻 Gerbang internal resistor |
RGint |
Tvj= 25°C |
2.0 |
Oh |
|||
input kapasitas listrik Input capketegangan |
C- Tidak |
f=1MHz,Tvj= 25°C,VDS=1000V, VAC= 25mV, VGE=0V |
25.2 |
nF |
|||
kapasitas listrik output Output Kapasitas |
CTerdengar |
f=1MHz,Tvj= 25°C,VDS=1000V, VAC= 25mV, VGE=0V |
1500 |
pF |
|||
Kapasitas transmisi listrik sebaliknya Kembali ke belakangKapasitas sfera |
Cres |
f=1MHz,Tvj= 25°C,VDS=1000V, VAC= 25mV, VGE=0V |
96 |
pF |
|||
零 电压bocoran listrik Gerbang nol vusia tua saluran pembuangan arus |
AkuDSS |
VDS= 1200V, VGS=0V, Tvj= 25°C |
300 |
μA |
|||
极-源极漏电流 Sumber gerbang learus akage |
AkuGSS |
VDS=0V, VGS=20V, Tvj= 25°C |
100 |
nA |
|||
开通延迟时间 (untuk waktu yang lama)( listrik beban) Menghidupkan waktu keterlambatan, induktif beban |
td( pada) |
Tvj= 25°C Tvj= 125°C Tvj= 150°C |
76 66
66 |
ns ns ns |
|||
上升时间( listrik beban) Waktu untuk bangun, induktif beban |
tr |
Tvj= 25°C Tvj= 125°C Tvj= 150°C |
62 56
56 |
ns ns ns |
|||
关断延迟时间( listrik beban) Putus dwaktu elay, induktif beban |
td(off) |
AkuD= 300A, VDS=600V VGS=-5/20V RGon= 2,5Ω |
Tvj= 25°C Tvj= 125°C Tvj= 150°C |
308 342
342 |
ns ns ns |
||
下降时间( listrik beban) Waktu musim gugur, induktif beban |
tf |
RGoff= 2,5Ω Lσ = 56 nH
Induktif Load, |
Tvj= 25°C Tvj= 125°C Tvj= 150°C |
94 92
92 |
ns ns ns |
||
开通 损耗能量(Setiap impuls) Menghidupkan energi kerugian per PuItu. |
Epada |
Tvj= 25°C Tvj= 125°C Tvj= 150°C |
5.55 4.35 4.35 |
mJ mJ |
|||
关断损耗能量 (mengurangi konsumsi energi)(Setiap denyut nadi) Energi pemadam kerugian per denyut nadi |
Eoff |
Tvj= 25°C Tvj= 125°C Tvj= 150°C |
12.10 12.35 12.35 |
mJ mJ |
结-外 热阻 Termal resistensi, juPembagian kasus |
RthJC |
Per MOSFET / Setiap MOSFET |
0.12 |
K/W |
||
suhu kerja Suhu danMengganti kondisi |
Tvjop |
- 40150 |
°C |
|||
Dioda/二极管
Maksimal Nilai Nominal/ maksimal定值 |
||||||
Artikel |
Simbol |
Ketentuan |
Nilai |
Satuan |
||
terus menerus lurus arus listrik Dioda kontinu untukPengejar arus |
AkuF |
VGS = -5 V, TC = 25 ̊C |
400 |
A |
||
KarakterNilai/ 特征值 |
||||||
Artikel |
Simbol |
Ketentuan |
Min. Seperti itu. Max. Apa yang terjadi? |
Satuan |
||
Tegangan listrik Tegangan ke depan |
VSD |
AkuF= 300A, VGS=0V |
Tvj= 25°C Tvj= 150°C |
1.60 2.00 |
1.80 |
V V |
结-外 热阻 Termal resistensi, juPembagian kasus |
RthJC |
Per dioda/ Setiap pipa |
0.13 |
K/W |
||
suhu kerja Suhu danMengganti kondisi |
Tvjop |
- 40 150 |
°C |
Modul/ 模块 |
||||
Artikel |
Simbol |
Ketentuan |
Nilai |
Satuan |
绝缘 pengujian tekanan listrik Isolasitegangan uji |
VISOL |
RMS, f=50Hz, t=1min |
2.5 |
kV |
模块基板材料 Bahan dari modul baseplate |
Cu |
|||
内部绝缘 Internal isolasi |
基本绝缘(kelas 1, AkuEC 61140) Dasar isolasi (kelas 1, IEC 61140) |
Al2O3 |
||
爬电距离 MenjijikkanTante |
端子-散热片/ terminal to heatsink 端子-端子/ terminal ke terMinal |
29.0 23.0 |
mm |
|
电气间隙 Pengumuman |
端子-散热片/ terminal to heatsink 端子-端子/ terminal ke terMinal |
23.0 11.0 |
mm |
|
Indeks tanda listrik Pelacakan komparatif indeks |
CTI |
> 400 |
Artikel |
Simbol |
Ketentuan |
Min. |
Seperti itu. |
Max. Apa yang terjadi? |
Satuan |
杂散电感, modul Pergilah Induktansi modul |
LSCE |
20 |
nH |
|||
modul resistensi kabel listrik,端子- chip Modul timbal resistensi, terminal - chip |
RCC+EE |
TC= 25°C |
0.465 |
mΩ |
||
temperatur penyimpanan
Tem penyimpananperatur |
Tstg |
- 40 |
125 |
°C |
||
模块安装的安装扭矩 Tor pemasanganyang untuk modul pemasangan |
M5 |
2.50 |
5.00 |
Nm |
||
端子 连接 torsi Koneksi terminaln torsi |
M6 |
3.00 |
5.00 |
Nm |
||
Berat badan
Berat badan |
G |
300 |
g |
MOSFET MOSFET
Karakteristik output MOSFET (tipis) Karakteristik output MOSFET (tipis)
IC=f (VCE) IC=f ((VCE)
Tvj=25°C Tvj=150°C
RDAnakku.(P.U.) = f(Tvj) RDSon=f(IDS)
AkuDS= 120A VGS= 20V VGS=20V
Sumber pembuangan pada resistensi (tipis) Tegangan ambang (tipis)
RDAnakku.=f(Tvj) VDS (th)=f(Tvj)
AkuDS= 120A VDS=VGSAkuDS= 30mA
MOSFET
Karakteristik transfer MOSFET (tipikal) Karakteristik Forward Diode (tipikal)
AkuDS=f(VGS)AkuDS=f(VDS)
VDS=20V Tvj= 25°C
Karakteristik dioda ke depan (tipikal) karakteristik 3rdKuadran (tipikal)
AkuDS=f(VDS) IDS=f(VDS)
Tvj= 150°C Tvj= 25°C
MOSFET
karakteristik 3rdKwadran (tipis) karakteristik muatan gerbang MOSFET (tipis)
AkuDS=f(VDS) VGS= f (QG)
Tvj= 150°C VDS= 800V, IDS= 120A, Tvj= 25°C
MOSFET MOSFET
Karakteristik Kapasitas MOSFET ((tipikal) Kerugian beralih MOSFET (tipikal)
C=f(VDS) E=f(IC)
VGS=0V, Tvj= 25°C, f=1MHz VGE=-5/20V, RG= 2,5 Ω, VCE=600V
MOSFET MOSFET
Kerugian switching MOSFET (tipis) Impedansi termal sementara MOSFET
E=f (RG) ZthJC=f (t)
VGE=-5/20V, IC=120A, VCE=600V
Dioda impedansi termal sementara
ZtHJC=f (t)
"1200V 300A SiC MOSFET Half Bridge Module" mengintegrasikan dua Silicon Carbide Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor (SiC MOSFETs) dalam konfigurasi setengah jembatan.Dirancang untuk aplikasi daya tinggi, memberikan kontrol yang tepat atas tegangan (1200V) dan arus (300A), dengan keuntungan seperti peningkatan efisiensi dan kinerja di lingkungan industri.Pendinginan yang efektif sangat penting untuk operasi yang dapat diandalkan, dan spesifikasi rinci dapat ditemukan di lembar data produsen.
Sirkuit Diagram Judul
Paket garis besar