Jiangsu Solid Power Semiconductor Co.,Ltd
Produk
Produk
Rumah > Produk > Modul IGBT 62mm > 200A 1200V IGBT Half Bridge Module 62mm DS-SPS200B12G6H4-S04020005

200A 1200V IGBT Half Bridge Module 62mm DS-SPS200B12G6H4-S04020005

Rincian produk

Nomor model: SPS200B12G6H4

Syarat Pembayaran & Pengiriman

Dapatkan Harga Terbaik
Menyoroti:

200A IGBT Half Bridge Module

,

Modul Half Bridge 200A

,

62mm IGBT Half Bridge Module

Arus Kolektor:
100A
Tegangan Saturasi Kolektor-Emitor:
2.5V
Tegangan kolektor-emitor:
±1200V
Peringkat saat ini:
100A
Arus Kebocoran Gerbang-Emitor:
± 10μA
Tegangan ambang gerbang-emitor:
5V
Tegangan gerbang-emitor:
±20V
Suhu Operasional Maksimum:
150°C
Tipe Modul:
IGBT
Jenis Paket:
62mm
Sirkuit pendek menahan waktu:
10μs
Beralih Frekuensi:
20Khz
Ketahanan Termal:
0.1°C/W
Nomor tegangan:
1200V
Arus Kolektor:
100A
Tegangan Saturasi Kolektor-Emitor:
2.5V
Tegangan kolektor-emitor:
±1200V
Peringkat saat ini:
100A
Arus Kebocoran Gerbang-Emitor:
± 10μA
Tegangan ambang gerbang-emitor:
5V
Tegangan gerbang-emitor:
±20V
Suhu Operasional Maksimum:
150°C
Tipe Modul:
IGBT
Jenis Paket:
62mm
Sirkuit pendek menahan waktu:
10μs
Beralih Frekuensi:
20Khz
Ketahanan Termal:
0.1°C/W
Nomor tegangan:
1200V
200A 1200V IGBT Half Bridge Module 62mm DS-SPS200B12G6H4-S04020005

 

 

Solid Power-DS-SPS200B12G6H4-S04020005


1200V 200A IGBT Setengah Jembatan Modul

 

200A 1200V IGBT Half Bridge Module 62mm DS-SPS200B12G6H4-S04020005 0

 

Fitur:

  • Teknologi 1200V Planar Field Stop
  • Dioda freewheel dengan pemulihan mundur cepat dan lembut
  • Kerugian switching yang rendah
  • Kemampuan RBSOA yang tinggi

 

Tipikal Aplikasi:

  • Pemanasan induksi
  • Pengelasan
  • Aplikasi switching frekuensi tinggi

 

IGBT, Inverter / IGBT, invertor

 

Maksimal Nilai Nominal/ Maksimum nilai yang ditetapkan

 

Artikel

 

Simbol

 

Ketentuan

 

Nilai

 

Satuan

 

集电极-发射极电压

Pengumpul-penerbittegangan

 

VCES

 

Tvj= 25°C

 

1200

 

V

 

连续集电极直流电流

Berkelanjutan DC PembuanganCtor arus

 

AkuC

 

TC = 100°C, Tvj maksimal= 175°C

TC = 25°C, Tvj maksimal= 175°C

 

200

 

280

 

A

A

 

集电极重复 puncak nilai arus listrik

Puncak Ulangimengaktifkan arus kolektor

 

AkuCRM

 

tp=1ms

 

400

 

A

 

total kerugian daya

Total daya bercampurPeraturan

 

Puntuk

 

TC= 25°C, Tvj= 175°C

 

1070

 

W

 

Tekanan listrik puncak

Kapasitas maksimumtegangan emiter e

 

VGES

 

 

±20

 

V

 

 

 

Nilai Karakteristik/ 特征值

 

Artikel

 

Simbol

 

Ketentuan

 

Min. Seperti itu. Max. Apa yang terjadi?

 

Satuan

 

集电极- 发射极 和电压

Saturati kolektor-emitterpada tegangan

 

VCE(duduk)

 

AkuC= 200A,VGE=15V

 

Tvj= 25°C Tvj= 125°C Tvj= 150°C

 

1.50

 

2.40

2.95

3.00

 

3.00

 

V

V

V

 

Tekanan listrik 极 值

Batas batas gerbangtegangan

 

 

VGE (th)

 

AkuC=8mA, VCE=VGE, Tvj= 25°C

 

 

5.0 6.0 7.0

 

V

 

¥极电荷

Gerbang biaya

 

QG

 

 

VGE=-15V...+15V

 

0.8

 

μC

 

内部 极电阻

Gerbang internal resistor

 

RGint

 

Tvj= 25°C

 

 

2.5

 

Oh

 

input kapasitas listrik

Input capketegangan

 

C- Tidak

 

f=1MHz, Tvj= 25°C, VCE= 25V, VGE=0V

 

8.76

 

nF

 

Kapasitas transmisi listrik kebalikan

Kembali ke belakangKapasitas sfera

 

Cres

 

f=1MHz, Tvj= 25°C, VCE= 25V, VGE=0V

 

 

0.40

 

nF

 

集电极-发射极截止电流 (menghentikan aliran listrik)

Pengumpul-penerbit batas cbiaya

 

 

AkuCES

 

VCE= 1200V, VGE=0V, Tvj= 25°C

 

5.00

 

 

mA

 

-发射极漏电流

Pemancar gerbang kebocoran arus

 

AkuGES

 

 

VCE=0V, VGE=20V, Tvj= 25°C

 

200

 

nA

 

开通延迟时间 (untuk waktu yang lama)( listrik beban)

Menghidupkan waktu penundaan, induktif beban

 

td( pada)

 

Tvj= 25°C Tvj= 125°C Tvj= 150°C

 

65

75

 

75

 

ns

ns

ns

 

上升时间( listrik beban)

Waktu untuk bangun, induktif beban

 

tr

 

Tvj= 25°C Tvj= 125°C Tvj= 150°C

 

45

55

 

55

 

ns

ns

ns

 

关断延迟时间( listrik beban)

Putus dwaktu elay, induktif beban

 

td(off)

 

AkuC=200A, VCE=600V

VGE= ± 15V

RGon=3,3 Ω

RGoff=3,3 Ω

 

Induktif Lo.ad

 

Tvj= 25°C Tvj= 125°C Tvj= 150°C Tvj= 25°C Tvj= 125°C Tvj= 150°C

 

205

230

 

235

 

ns

ns

ns

 

下降时间( listrik beban)

Waktu musim gugur, induktif beban

 

 

tf

 

55

85

 

85

 

ns

ns

ns

 

开通 损耗能量(Setiap impuls)

Menghidupkan energi kerugian per PuItu.

 

Epada

 

Tvj= 25°C Tvj= 125°C Tvj= 150°C

 

16.7

26.4

28.2

 

mJ

mJ

mJ

 

关断损耗能量(Setiap denyut nadi)

Energi mati kerugian per denyut nadi

 

 

Eoff

 

Tvj= 25°C Tvj= 125°C Tvj= 150°C

 

4.9

8.8

9.6

 

mJ

mJ

mJ

 

短路数据

SC data

 

AkuSC

 

VGE≤15V, VCC=800V

VCEmax=VCES- LSCE·di/dt, tp=10μs, Tvj= 150°C

 

 

800

 

A

 

结-外 热阻

Termal resistensi, juPembagian kasus

 

RthJC

 

Per IGBT / Setiap IGBT

 

0.14

 

K/W

 

 

temperatur kerja

Suhu danMengganti kondisi

 

Tvjop

 

- 40

 

150

 

 

°C

 

 

Dioda, Inverter/ 二极管, invertor

Maksimal Nilai Nominal/ maksimal

 

Artikel

 

Simbol CKondisi

 

Nilai

 

 

Satuan

 

Tegangan puncak yang berulang ke arah sebaliknya

Puncak berulang tegangan terbalike

 

VRRM Tvj= 25°C

 

1200

 

 

 

V

 

terus menerus lurus arus listrik

Berkelanjutan DC untukarus ruang

 

AkuF

 

200

 

 

A

 

正向重复 puncak arus listrik

Puncak arus maju berulang

 

 

AkuFRM tp=1ms

 

400

 

 

A

 

 

 

Nilai Karakteristik/ 特征值

 

Artikel

 

SimbolKetentuan

 

Min. Seperti itu.

 

Max. Apa yang terjadi?

 

Satuan

 

Tegangan listrik

Tegangan ke depan

 

VF AkuF=200A

 

Tvj= 25°C Tvj= 125°CTvj= 150°C

 

1.50

 

1.80

1.80

1.80

 

2.40

 

V

V

V

 

arus listrik puncak pemulihan kebalikan

 

Puncak Kembali Pemulihan cbiaya

 

AkuRM

 

 

Qr

 

 

 

ERek

 

 

AkuF=200A

-di/dt=3200A/μs VR = 600V

 

VGE=-15V

 

Tvj= 25°C Tvj= 125°CTvj= 150°CTvj= 25°C Tvj= 125°CTvj= 150°CTvj= 25°C Tvj= 125°CTvj= 150°C

 

140

140

 

140

 

 

A

A

A

 

Pengisian daya pemulihan sebaliknya

Biaya Pemulihan

 

14.5

22.528.0

 

 

μC

μC

μC

 

Kehilangan pemulihan terbalik (setiap denyut nadi)

Kembali Pemulihan energi (per jantung)

 

4.5

8.7 9.9

 

 

mJ

mJ

mJ

 

结-外 热阻

Termal resistensi, juPembagian kasus

 

RthJC Per dioda / Setiap个二极管

 

 

 

0.23

 

K/W

 

temperatur kerja

Suhu danMengganti kondisi

 

 

Tvjop

 

- 40

 

150

 

°C

 

 

 

 

Modul/ 模块

 

Artikel

 

Simbol

 

Ketentuan

 

Nilai

 

Satuan

 

绝缘 pengujian tekanan listrik

Isolasitegangan uji

 

VISOL

 

RMS, f=50Hz, t=1min

 

3.0

 

 

kV

 

模块基板材料

Bahan dari modul baseplate

   

 

 

Cu

 

 

内部绝缘

Internal isolasi

 

 

基本绝缘(kelas 1, AkuEC 61140)

Dasar isolasi (kelas 1, IEC 61140)

 

Al2O3

 

 

爬电距离

MenjijikkanTante

 

 

端子-散热片/ terminal to Heatsink

端子-端子/ terminal ke terMinal

 

29.0

23.0

 

 

mm

 

电气间隙

Pengumuman

 

 

端子-散热片/ terminal to Heatsink

端子-端子/ terminal ke terMinal

 

23.0

11.0

 

mm

 

Indeks tanda listrik

KomparativPelacakan indeks

 

 

CTI

 

 

 

> 400

 

 

 

Artikel

 

Simbol

 

Ketentuan

 

Min.

 

Seperti itu.

 

Max. Apa yang terjadi?

 

Satuan

 

杂散电感, modul

Pergilah induktansi modul

 

LSCE

   

 

20

 

 

nH

 

模块引脚电阻, 端子- chip

 

Modul Timah Resistensi ,Terminal-Cpinggul

 

RCC??+EE

RAA+CC??

   

 

0.7

 

 

 

temperatur penyimpanan

 

Tem penyimpananperatur

 

Tstg

 

 

 

- 40

 

 

 

125

 

 

°C

 

模块安装的安装扭距

Tor pemasanganyang untuk modul pemasangan

 

 

M

 

M6

 

3.00

 

 

6.00

 

 

Nm

 

端子联接扭距

Koneksi terminaln torsi

 

M

 

M6

 

2.50

 

 

5.00

 

Nm

 

Berat badan

 

Berat badan

 

G

   

 

320

 

 

g

 

200A 1200V IGBT Half Bridge Module 62mm DS-SPS200B12G6H4-S04020005 1 

IGBT IGBT

Karakteristik output IGBT, Inverter (tipis) Karakteristik output IGBT, Inverter (tipis)

AkuC=f (V)CE) IC=f(VCE)

VGE=15V              Tvj = 150°C

 

 

 

200A 1200V IGBT Half Bridge Module 62mm DS-SPS200B12G6H4-S04020005 2

 

IGBT IGBT

Karakteristik transfer IGBT, Inverter (tipis) Karakteristik transfer IGBT, Inverter (tipis)

IC=f (VGE) E=f (IC), Eoff=f (IC)

VCE=20V VGE=±15V, RGon=3,3 Ω, RGoff=3,3 Ω, VCE=600V

 

200A 1200V IGBT Half Bridge Module 62mm DS-SPS200B12G6H4-S04020005 3

IGBT IGBT

Kehilangan switching IGBT, Inverter (tipis) Impedansi termal sementara IGBT, Inverter

E=f (RG) ZthJC=f (t)

VGE = ± 15V, IC = 200A, VCE = 600V

 

  200A 1200V IGBT Half Bridge Module 62mm DS-SPS200B12G6H4-S04020005 4

 

IGBT

Area operasi aman bias terbalik IGBT, Inverter (RBSOA) Karakteristik ke depan Diode, Inverter (tipis)

IC=f (VCE) IF=f (VF)

VGE=±15V, RGoff=3,3 Ω, Tvj=150°C

 

200A 1200V IGBT Half Bridge Module 62mm DS-SPS200B12G6H4-S04020005 5

 

 

Kehilangan switching Diode, Inverter (tipis) Kehilangan switching Diode, Inverter (tipis)

Erec=f (IF) Erec=f (RG)

RGon=3.3Ω, VCE=600V IF=200A, VCE=600V

 

200A 1200V IGBT Half Bridge Module 62mm DS-SPS200B12G6H4-S04020005 6

FRD

FRD impedansi termal sementara, Inverter

ZthJC=f (t)

 

 

200A 1200V IGBT Half Bridge Module 62mm DS-SPS200B12G6H4-S04020005 7

 

"1200V 200A IGBT Half Bridge Module" mengintegrasikan dua IGBT dalam konfigurasi half-bridge untuk aplikasi yang membutuhkan kontrol atas tegangan sedang hingga tinggi dan tingkat arus.Pendinginan yang efektif sangat penting, dan spesifikasi rinci dapat ditemukan di lembar data produsen.

200A 1200V IGBT Half Bridge Module 62mm DS-SPS200B12G6H4-S04020005 8

Sirkuit Diagram Judul 

 

200A 1200V IGBT Half Bridge Module 62mm DS-SPS200B12G6H4-S04020005 9

 

 

Paket garis besar

 

200A 1200V IGBT Half Bridge Module 62mm DS-SPS200B12G6H4-S04020005 10