Produk

Rumah > Produk > Modul IGBT 34mm > 150A Modul IGBT Daya Tinggi 34mm DS-SPS150B12G3M4-S0401G0021 V1.0.

Kategori

IGBT diskrit

(2)

Kontak

Kontak: Mr. Zhou

Telp: 86-1360-528-8329

Hubungi Sekarang

Kirimkan Kami

150A Modul IGBT Daya Tinggi 34mm DS-SPS150B12G3M4-S0401G0021 V1.0.

Name: 150A Modul IGBT Daya Tinggi 34mm DS-SPS150B12G3M4-S0401G0021 V1.0.
Brand: 150A Modul IGBT Daya Tinggi 34mm DS-SPS150B12G3M4-S0401G0021 V1.0.
SKU: SPS150B12G3M4
Rating: 4.7 (194 reviews)

Rincian produk

Nomor model: SPS150B12G3M4

Syarat Pembayaran & Pengiriman

Dapatkan Harga Terbaik

Rincian produk

Deskripsi Produk

Menyoroti: 
                                                High Power IGBT Module 34mm, 150A High Power IGBT Modul, 150A IGBT Modul 34mm
                              

150A Modul IGBT Daya Tinggi 34mm DS-SPS150B12G3M4-S0401G0021 V1.0.

Solid Power-DS-SPS150B12G3M4-S0401G0021 V1.0.

1200V 150A IGBT Setengah Jembatan Modul

1200V 150A IGBT

Fitur:

D 1200V Trench+ Field Stop teknologi

□ Dioda roda bebas dengan pemulihan mundur cepat dan lembut

□ V_{CE (Saturday)}dengan koefisien suhu positif

□ Kerugian switching rendah

Tipikal Aplikasi:

□ Motor/Servo Drive

□ Konverter bertenaga tinggi

□ UPS

□ Fotovoltaik

Paket

Artikel	Simbol	Ketentuan		Nilai-nilai			Satuan
Tegangan uji isolasi	VISOL	RMS, f = 50 Hz, t = 1 min		4.0			kV
Bahan baseplate modul				Cu
Isolasi internal		(kelas 1, IEC 61140) Isolasi dasar (kelas 1, IEC 61140)		Al₂O₃
Jarak merangkak	Dcreep	terminal ke heatsink		17.0			mm
	Dcreep	terminal ke terminal		20.0
Pengumuman	DClear	terminal ke heatsink		17.0			mm
	DClear	terminal ke terminal		9.5
Indeks pelacakan komparatif	CTI			> 200

Artikel	Simbol	Ketentuan		Nilai-nilai			Satuan
				Min.	Seperti itu.	Max. Apa yang terjadi?
Modul induktansi yang sesat	LsCE				20		nH
Modul resistensi timbal, terminal - chip	RCC+EE		T_C= 25°C		0.65		mΩ
Suhu penyimpanan	Tstg			- 40		125	°C
Torsi pemasangan untuk pemasangan modul	M6			3.0		5.0	Nm
Torsi koneksi terminal	M5			2.5		5.0	Nm
Berat badan	G				160		g

IGBT

Maksimal Berkualitas Nilai-nilai

Artikel	Simbol	Ketentuan		Nilai-nilai	Satuan
Tegangan kolektor-emitter	VCES		T_vj= 25°C	1200	V
Tegangan maksimum gate-emitter	VGES			± 20	V
Tegangan transisi gerbang-emitter	VGES	t_p≤ 10μs, D=0.01		± 30	V
Arus DC kolektor terus menerus	Aku_C		T_C= 25°C	200	A
Arus DC kolektor terus menerus	Aku_C		T_C= 100°C	150	A
Listrik kolektor berdenyut,tp terbatas oleh T_jmax	ICpulse			300	A
Penghambatan daya	Ptot			600	W

Karakteristik Nilai-nilai

Artikel	Simbol	Ketentuan		Nilai-nilai			Satuan
Artikel	Simbol	Ketentuan		Min.	Seperti itu.	Max. Apa yang terjadi?	Satuan
Tegangan jenuh kolektor-emitter	VCE (sat)	Aku_C= 150A, V_GE=15V	T_vj= 25°C		1.50	1.80	V
			T_vj= 125°C		1.65
			T_vj= 150°C		1.70
Tegangan ambang gerbang	VGE (th)	V_CE=V_GEAku_C=6mA		5.0	5.8	6.5	V
Arus pemotongan kolektor-emitter	ICES	V_CE= 1200V, V_GE=0V	T_vj= 25°C			100	μA
Arus pemotongan kolektor-emitter	ICES	V_CE= 1200V, V_GE=0V	T_vj= 150°C			5	mA
Arus kebocoran gate-emitter	IGES	V_CE=0V,V_GE=±20V, T_vj= 25°C		-200		200	nA
Biaya Gerbang	Q_G	V_CE=600V, I_C= 150A, V_GE= ± 15V			1.8		μC
Kapasitas Masuk	Ces	V_CE= 25V, V_GE=0V, f =100kHz			30.0		nF
Kapasitas output	Coes				0.95
Kapasitas transfer terbalik	Cres				0.27
Resistor gerbang internal	RGint	T_vj= 25°C			2		Oh
Waktu penundaan menyala, beban induktif	Pada saat ini	V_CC=600V,I_C=150A R_G=3,3Ω, V_GE= ± 15V	T_vj= 25°C		128		ns
			T_vj= 125°C		140		ns
			T_vj= 150°C		140		ns
Waktu kebangkitan, beban induktif	t_r		T_vj= 25°C		48		ns
			T_vj= 125°C		52		ns
			T_vj= 150°C		52		ns
Waktu penundaan mati, beban induktif	td (off)	V_CC=600V,I_C=150A R_G=3,3Ω, V_GE= ± 15V	T_vj= 25°C		396		ns
			T_vj= 125°C		448		ns
			T_vj= 150°C		460		ns
Waktu jatuh, beban induktif	t_f		T_vj= 25°C		284		ns
			T_vj= 125°C		396		ns
			T_vj= 150°C		424		ns
Kerugian energi saat menyala per denyut nadi	Eon	V_CC=600V,I_C=150A R_G=3,3Ω, V_GE= ± 15V	T_vj= 25°C		4.9		mJ
			T_vj= 125°C		7.6		mJ
			T_vj= 150°C		8.3		mJ
Matikan kehilangan energi per denyut nadi	Eoff		T_vj= 25°C		16.1		mJ
			T_vj= 125°C		21.7		mJ
			T_vj= 150°C		22.5		mJ
Data SC	ISC	V_GE≤15V, V_CC=800V	tp≤10μs T_vj= 150°C			650	A
Resistensi termal IGBT, kasus persimpangan	RthJC					0.25	K / W
Suhu operasi	TJop			- 40		150	°C

Dioda

Maksimal Berkualitas Nilai-nilai

Artikel	Simbol	Ketentuan		Nilai-nilai	Satuan
Tegangan terbalik berulang	VRRM		T_vj= 25°C	1200	V
Listrik terus menerus DC ke depan	Aku_F			150	A
Dioda arus berdenyut,tp dibatasi oleh T_Jmax	IFpulse			300	A

Karakteristik Nilai-nilai

Artikel	Simbol	Ketentuan		Nilai-nilai			Satuan
				Min.	Seperti itu.	Max. Apa yang terjadi?
Tegangan ke depan	V_F	Aku_F= 150A, V_GE=0V	T_vj= 25°C		2.30	2.70	V
			T_vj= 125°C		2.50
			T_vj= 150°C		2.50
Waktu pemulihan terbalik	trr	Aku_F=150A DI_F/dt=-3300A/μs (T)_vj= 150°C) V_R=600V, V_GE=-15V	T_vj= 25°C		94		ns
			T_vj= 125°C		117
			T_vj= 150°C		129
arus pemulihan terbalik puncak	IRRM		T_vj= 25°C		151		A
			T_vj= 125°C		166
			T_vj= 150°C		170
Biaya pemulihan terbalik	QRR		T_vj= 25°C		15.6		μC
			T_vj= 125°C		23.3
			T_vj= 150°C		24.9
Kehilangan energi pemulihan terbalik per denyut nadi	Erec		T_vj= 25°C		6.7		mJ
			T_vj= 125°C		10.9
			T_vj= 150°C		11.9
Resistensi termal dioda, kasus persimpangan	RthJCD					0.46	K / W
Suhu operasi	TJop			- 40		150	°C

Output karakteristik (tipikal) Output karakteristik (tipikal)

Aku_C= f (V_CE) I_C= f (V_CE) T_vj= 150°C

150A Modul IGBT Daya Tinggi 34mm DS-SPS150B12G3M4-S0401G0021 V1.0. 5

IGBT

Transfer karakteristik (tipikal) Pergantian kerugian IGBT(biasanya)

Aku_C= f (V_GE) E = f (R_G)

V_CE= 20V V_GE= ±15V, I_C= 150A, V_CE= 600V

150A Modul IGBT Daya Tinggi 34mm DS-SPS150B12G3M4-S0401G0021 V1.0. 6

IGBT RBSOA

Mengganti kerugian IGBT(biasanya) Kembali bias aman mengoperasikan Area (RBSOA)

E = f (I_C) I_C=f (V)_CE)

V_GE= ± 15V, R_G= 3.3Ω, V_CE= 600V V_GE= ± 15V, R_Goff= 5.1Ω, T_vj= 150°C

150A Modul IGBT Daya Tinggi 34mm DS-SPS150B12G3M4-S0401G0021 V1.0. 7

Tipikal Kapasitas sebagai a fungsi dari kolektor-emitter tegangan Muatan gerbang (tipikal)

C = f (V)_CE) V_GE= f (Q_G)

f = 100 kHz, V_GE= 0V I_C= 150A, V_CE= 600V

150A Modul IGBT Daya Tinggi 34mm DS-SPS150B12G3M4-S0401G0021 V1.0. 8

IGBT ke depan karakteristik dari Dioda (tipikal)

IGBT sementara termal impedansi sebagai a fungsi dari denyut nadi lebarAku_F= f (V_F)

Zth ((j-c) = f (t)

150A Modul IGBT Daya Tinggi 34mm DS-SPS150B12G3M4-S0401G0021 V1.0. 9

Kehilangan switching Diode ((tipikal) Switchingkehilangan Diode (biasanya)

E_Rek= f (R_G) E_Rek= f (I_F)

Aku_F= 150A, V_CE= 600V R_G= 3.3Ω, V_CE= 600V

150A Modul IGBT Daya Tinggi 34mm DS-SPS150B12G3M4-S0401G0021 V1.0. 10

Dioda sementara termal impedansi sebagai a fungsi dari denyut nadi lebar

Zth ((j-c) = f (t)

150A Modul IGBT Daya Tinggi 34mm DS-SPS150B12G3M4-S0401G0021 V1.0. 11

"1200V 150A IGBT Half Bridge Module" mengintegrasikan dua IGBT dalam konfigurasi half-bridge.menawarkan kontrol yang tepat atas tegangan (1200V) dan arus (150A)Pendinginan yang efektif sangat penting untuk operasi yang dapat diandalkan, dan spesifikasi rinci dapat ditemukan di lembar data produsen.

Sirkuit Diagram Judul

150A Modul IGBT Daya Tinggi 34mm DS-SPS150B12G3M4-S0401G0021 V1.0. 12

Paket garis besar

Dimensi dalam (mm)

Tags:

Modul IGBT 34mm

Modul IGBT 62mm

Modul IGBT EconoDual3

Modul IGBT EasyPIM

Modul IGBT EconoPack

Modul IGBT EconoPIM

Modul Otomotif

Discretes SiC hibrida

MOSFET diskrit

IGBT diskrit

150A Modul IGBT Daya Tinggi 34mm DS-SPS150B12G3M4-S0401G0021 V1.0.

High Power IGBT Module 34mm

150A High Power IGBT Modul

150A IGBT Modul 34mm

Maksimal Berkualitas Nilai-nilai

Maksimal Berkualitas Nilai-nilai

Modul Brake Chopper,

Modul IGBT Otomotif,

Modul Helikopter IGBT

Modul Setengah Jembatan IGBT 75A 1200V Daya Padat-DS-SPS150B17G3-S04010005

Half Bridge Power Module IGBT 1200V 75A Solid Power-DS-SPS75B12G3H6-S04010018 V-2.0

IGBT Mosfet Modul Setengah Jembatan 1200V 50A Solid Power-DS-SPS50B12G3H6-S04010020 V-3.0

1700V 75A H Bridge IGBT Modul DS-SPS75B17G3-S04010014 V1.0.

OEM 1200V 100A H Bridge Mosfet Module DS-SPS100B12G3H6-S04010019

Custom Automotive IGBT Modules 34mm DS-SPS100B17G3R8-S04010015 V1.0