Jiangsu Solid Power Semiconductor Co.,Ltd
Produk
Produk
Rumah > Produk > Modul IGBT 34mm > 1700V 75A H Bridge IGBT Modul DS-SPS75B17G3-S04010014 V1.0.

1700V 75A H Bridge IGBT Modul DS-SPS75B17G3-S04010014 V1.0.

Rincian produk

Nomor model: SPS75B17G3

Syarat Pembayaran & Pengiriman

Dapatkan Harga Terbaik
Menyoroti:

Modul IGBT Jembatan 75A H

,

Modul IGBT Jembatan 1700V H

,

Modul IGBT 1700V

1700V 75A H Bridge IGBT Modul DS-SPS75B17G3-S04010014 V1.0.

Solid Power-DS-SPS75B17G3-S04010014 V1.0.

 

1700V 75A IGBT Setengah Jembatan Modul

1700V 75A H Bridge IGBT Modul DS-SPS75B17G3-S04010014 V1.0. 0

 

Fitur:

  • 1700V Trench Gate & Field Stop Struktur
  • Kapasitas Sirkuit Singkat Tinggi
  • Kerugian Pergantian Rendah
  • Keandalan Tinggi
  • Koefisien suhu positif

 

 

Tipikal Aplikasi:

  • Penggerak Motor
  • Servo Drive
  • Inverter dan Sumber Daya
  • Fotovoltaik

 

IGBT, Inverter / IGBT, inversor

Nilai Nominal Maksimal / maksimal

 

Artikel

 

Simbol

 

Ketentuan

 

Nilai

 

Satuan

 

集电极-发射极电压

Keluar dari kolektorr tegangan

 

VCES

 

Tvj= 25°C

 

1700

 

V

 

连续集电极直流电流

Berkelanjutan DC PembuanganCtor arus

 

AkuC nama

 

 

75

 

 

A

 

集电极重复 puncak nilai arus listrik

Puncak Ulangimengaktifkan arus kolektor

 

AkuCRM

 

tp=1ms

 

150

 

A

 

total kerugian daya

Total daya bercampurPeraturan

 

Puntuk

 

TC= 25°C,Tvjmax= 175°C

 

535

 

W

 

Tekanan listrik puncak

Kapasitas maksimumTegangan emitter e

 

VGES

 

 

±20

 

V

 

Maksimum suhu

Juntio maksimumn suhu

 

Tvjmax

 

 

175

 

°C

 

KarakterNilai/ 特征值

 

Artikel

 

Simbol

 

Ketentuan

 

Min. Tipe. Max.

 

Satuan

 

集电极- 发射极 和电压

Pengumpul-penerbit stegangan aturasi

 

VCE(duduk)

 

AkuC=75,VGE=15V

 

Tvj= 25°C Tvj= 125°C Tvj= 150°C

 

2.24

2.51 2.56

 

2.60

 

V

V

V

 

极 值 tegangan listrik

Batas batas gerbangtegangan

 

VGE (th)

 

AkuC=3mA, VCE=VGE, Tvj= 25°C

 

4.5 5.9 6.5

 

V

 

¥极电荷

Gerbang biaya

 

 

QG

 

VGE=-15V...+15V

 

0.47

 

uC

 

内部 极电阻

Gerbang internal resistor

 

RGint

 

Tvj= 25°C

 

10.8

 

Oh

 

input kapasitas listrik

Input capketegangan

 

 

C- Tidak

 

 

f=1MHz, Tvj= 25°C, VCE= 25V, VGE=0V

 

5.03

 

nF

 

Kapasitas transmisi listrik sebaliknya

Kembali ke belakangKapasitas sfera

 

Cres

 

f=1MHz, Tvj= 25°C, VCE=10V, VGE=0V

 

0.18

 

 

nF

 

集电极-发射极截止电流 (menerbitkan arus listrik)

Pengumpul-penerbit potong-off arus

 

AkuCES

 

VCE=1700V, VGE=0V, Tvj= 25°C

 

3.00

 

mA

 

-发射极漏电流

Pemancar gerbang kebocoran arus

 

AkuGES

 

VCE=0V, VGE=20V, Tvj= 25°C

 

400

 

 

nA

 

开通延迟时间 (untuk waktu yang lama)( listrik beban)

Menghidupkan waktu keterlambatan, induktif beban

 

 

td(pada)

 

 

 

 

 

 

 

AkuC= 75A, VCE=900V

VGE= ± 15V

RGon= 6,6Ω

RGoff= 6,6Ω

 

Induktif Load,

 

Tvj= 25°C Tvj= 125°C Tvj= 150°C Tvj= 25°C Tvj= 125°C Tvj= 150°C Tvj= 25°C Tvj= 125°C Tvj= 150°C Tvj= 25°C Tvj= 125°C Tvj= 150°C Tvj= 25°C Tvj= 125°C Tvj= 150°C Tvj= 25°C Tvj= 125°C Tvj= 150°C

 

174

184

 

188

 

ns

ns

ns

 

上升时间( listrik beban)

Waktu untuk bangun, induktif beban

 

tr

 

80

83

 

81

 

ns

ns

ns

 

关断延迟时间( listrik beban)

Putus dwaktu elay, induktif beban

 

td(off)

 

319

380

 

401

 

ns

ns

ns

 

下降时间( listrik beban)

Waktu musim gugur, induktif beban

 

tf

 

310

562

 

596

 

ns

ns

ns

 

开通 损耗能量(Setiap impuls)

Menghidupkan energi kerugian per PuItu.

 

 

Epada

 

24.7

27.6

28.4

 

mJ

mJ

 

关断损耗能量 (mengurangi konsumsi energi)(Setiap denyut nadi)

Energi pemadam kerugian per denyut nadi

 

Eoff

 

10.9

16.1

17.5

 

mJ

mJ

 

短路数据

SC data

 

AkuSC

 

VGE≤15V, VCC=1000V

VCEmax=VCES- LSCE·di/dt, tp=10μs, Tvj= 150°C

 

 

240

 

A

 

结-外 热阻

Termal resistensi, juPembagian kasus

 

 

RthJC

 

 

Per IGBT / SetiapIGBT

 

 

0.28 K/W

 

suhu kerja

Suhu danMengganti kondisi

 

Tvjop

 

 

- 40 150 °C

 

Dioda, Inverter/ 二极管, inverter

Maksimal Nilai Nominal/ maksimal

 

Artikel

 

Simbol

 

Ketentuan

 

Nilai Satuan

 

Tegangan puncak yang berulang kebalikan

Puncak berulang tegangan terbalike

 

 

VRRM

 

 

Tvj= 25°C

 

1700 V

 

terus menerus lurus arus listrik

Berkelanjutan DC untukarus ruang

 

 

AkuF

 

 

75 A

 

正向重复 puncak arus listrik

Puncak arus maju berulang

 

AkuFRM

 

 

tp=1ms

 

150 A

 

KarakterNilai/ 特征值

 

Artikel

 

Simbol

 

Ketentuan

 

Min. Tipe Max. Satuan

 

Tegangan listrik

Tegangan ke depan

 

 

VF

 

AkuF= 75A

 

Tvj= 25°C

Tvj= 125°C

Tvj= 150°C

 

1.59

1.72 1.71

 

2.25

 

V

V

V

 

arus listrik puncak pemulihan kebalikan

 

Puncak Kembali Pemulihan cbiaya

 

AkuRM

 

 

AkuF= 75A

- DiF/dtoff=1100A/μs

VR =900 V

 

VGE=-15V

 

Tvj= 25°C

Tvj= 125°C

Tvj= 150°C

 

85

101

 

108

 

A

A

A

 

恢复电荷

Biaya Pemulihan

 

Qr

 

Tvj= 25°C

Tvj= 125°C

Tvj= 150°C

 

23.5

32.9 36.2

 

uC

uC

uC

 

Kehilangan pemulihan terbalik (setiap denyut nadi)

Kembali Pemulihan energi (per jantung)

 

ERek

 

Tvj= 25°C

Tvj= 125°C

Tvj= 150°C

 

11.8

17.8 19.6

 

mJ

mJ

mJ

 

结-外 热阻

Termal resistensi, juPembagian kasus

 

RthJC

 

Per dioda/ Setiap pipa

 

0.48 K/W

 

suhu kerja

Suhu danMengganti kondisi

 

 

Tvjop

 

 

 

- 40 150 °C

 

 

Modul / 模块

 

Artikel

 

Simbol

 

Ketentuan

 

Nilai

 

Satuan

s

 

绝缘 pengujian tekanan listrik

Isolasitegangan uji

 

VISOL

 

RMS, f=50Hz, t=1min

 

4.0

 

 

kV

 

模块基板材料

Bahan dari modul baseplate

   

 

Cu

 

 

内部绝缘

Internal isolasi

 

 

基本绝缘(kelas 1, AkuEC 61140)

Dasar isolasi (kelas 1, IEC 61140)

 

Al2O3

 

 

爬电距离

MenjijikkanTante

 

 

端子-散热片/ terminal to heatsink

端子-端子/ terminal ke terMinal

 

17

 

20

 

 

mm

 

电气间隙

Pengumuman

 

 

端子-散热片/ terminal to heatsink

端子-端子/ terminal ke terMinal

 

17

9.5

 

 

mm

 

Indeks tanda listrik

Pelacakan komparatif indeks

 

CTI

 

 

> 200

 

 

 

Artikel

 

Simbol

 

Ketentuan

 

Min.

 

Seperti itu.

 

Max. Apa yang terjadi?

 

Satuan

 

杂散电感, modul

Pergilah Induktansi modul

 

LSCE

   

 

30

 

 

nH

 

模块引脚电阻, 端子- chip

 

Modul Timah Resistensi ,Terminal-Cpinggul

 

RCC+EE

RAA+CC

   

 

 

0.65

 

 

 

 

temperatur penyimpanan

 

Tem penyimpananperatur

 

Tstg

 

 

- 40

 

 

125

 

°C

 

模块安装的安装扭距

Tor pemasanganyang untuk modul pemasangan

 

 

M

 

M6

 

3.00

 

 

5.00

 

 

Nm

 

端子联接扭距

Koneksi terminaln torsi

 

M

 

M5

 

3.00

 

 

5.00

 

Nm

 

Berat badan

 

Berat badan

 

G

   

 

160

 

 

g

 

 

IGBT IGBT

Karakteristik output IGBT, Inverter (tipis) Karakteristik output IGBT, Inverter (tipis)

IC=f (VCE) IC=f ((VCE)

VGE=15V Tvj=150°C

 

1700V 75A H Bridge IGBT Modul DS-SPS75B17G3-S04010014 V1.0. 1

                                                                                        

                                                                                               

IGBT IGBT

Karakteristik transfer IGBT, Inverter (tipis) Kehilangan switching IGBT, Inverter (tipis)

IC=f ((VGE) E=f ((IC)

VCE = 20V VGE = ± 15V, RG = 6,6Ω, VCE = 900V

 

1700V 75A H Bridge IGBT Modul DS-SPS75B17G3-S04010014 V1.0. 2

 

 

IGBT IGBT

IGBT, Inverter (tipis)

E=f (RG) E=f ((IC)

VGE=±15V, IC=75A, VCE=900V VGE=±15V, RG=6.6Ω, VCE=900V

 

1700V 75A H Bridge IGBT Modul DS-SPS75B17G3-S04010014 V1.0. 3

 

IGBT IGBT

Kehilangan switching IGBT, Inverter (tipis) Impedansi termal sementara IGBT, Inverter

E=f (RG) ZthJC=f (t)

VGE = ± 15V, IC = 75A, VCE = 900V

 

1700V 75A H Bridge IGBT Modul DS-SPS75B17G3-S04010014 V1.0. 4

 

IGBT, RBSOA

Area operasi aman bias terbalik IGBT, Inverter (RBSOA) Karakteristik ke depan Diode, Inverter (tipis)

AkuC=f(VCE)AkuF=f(VF)

VGE= ± 15V, RGoff= 6,6Ω, Tvj = 150°C

1700V 75A H Bridge IGBT Modul DS-SPS75B17G3-S04010014 V1.0. 5

 

 

 

Kehilangan switching Diode, Inverter (tipis) Kehilangan switching Diode, Inverter (tipis)

Erec=f (IF) Erec=f (RG)

RG=6.6 Ω, VCE=900V IF=75A, VCE=900V

 

1700V 75A H Bridge IGBT Modul DS-SPS75B17G3-S04010014 V1.0. 6

 

 

Dioda impedansi termal sementara, Inverter

ZthJC=f (t)

1700V 75A H Bridge IGBT Modul DS-SPS75B17G3-S04010014 V1.0. 7

 

 

"1700V IGBT" adalah Transistor Bipolar Gerbang Terisolasi yang mampu menangani tegangan maksimum 1700 volt.seperti inverter bertenaga tinggi, drive motor, atau catu daya. sirkuit pendinginan dan drive gerbang yang tepat sangat penting untuk kinerja optimal. Spesifikasi rinci dapat ditemukan di lembar data produsen.

 

 

1700V 75A H Bridge IGBT Modul DS-SPS75B17G3-S04010014 V1.0. 8

Sirkuit Diagram Judul 

 

1700V 75A H Bridge IGBT Modul DS-SPS75B17G3-S04010014 V1.0. 9

 

 

 

 

 

Paket garis besar 

 

1700V 75A H Bridge IGBT Modul DS-SPS75B17G3-S04010014 V1.0. 10