Produk

Rumah > Produk > Modul IGBT 34mm > Custom Automotive IGBT Modules 34mm DS-SPS100B17G3R8-S04010015 V1.0

Kategori

IGBT diskrit

(2)

Kontak

Kontak: Mr. Zhou

Telp: 86-1360-528-8329

Hubungi Sekarang

Kirimkan Kami

Custom Automotive IGBT Modules 34mm DS-SPS100B17G3R8-S04010015 V1.0

Name: Custom Automotive IGBT Modules 34mm DS-SPS100B17G3R8-S04010015 V1.0
Brand: Custom Automotive IGBT Modules 34mm DS-SPS100B17G3R8-S04010015 V1.0
SKU: SPS100B17G3R8
Rating: 5 (136 reviews)

Rincian produk

Nomor model: SPS100B17G3R8

Syarat Pembayaran & Pengiriman

Dapatkan Harga Terbaik

Rincian produk

Deskripsi Produk

Menyoroti: 
                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                Modul IGBT Otomotif Khusus, Modul IGBT Otomotif 34mm, Modul khusus 34mm
                              

Konfigurasi:	Inverter 3 Fasa	Arus - Kolektor (Ic) (Maks):	200A
Arus - Batas Kolektor (Maks):	1mA	Biaya Gerbang:	100nC
Tipe masukan:	Standar	Tipe pemasangan:	Dudukan Chasis
Suhu operasi:	-40°C ~ 150°C	Paket / Kasus:	Modul 34mm
Jenis Paket:	Modul	Daya - Maks:	1.2kw
Membalikkan Waktu Pemulihan (trr):	100ns	Beralih energi:	1.2mJ
Tegangan - Kerusakan Emitor Kolektor (Maks):	600V	Tegangan - Saturasi kolektor emitter (Max):	1.8V

Konfigurasi:	Inverter 3 Fasa
Arus - Kolektor (Ic) (Maks):	200A
Arus - Batas Kolektor (Maks):	1mA
Biaya Gerbang:	100nC
Tipe masukan:	Standar
Tipe pemasangan:	Dudukan Chasis
Suhu operasi:	-40°C ~ 150°C
Paket / Kasus:	Modul 34mm
Jenis Paket:	Modul
Daya - Maks:	1.2kw
Membalikkan Waktu Pemulihan (trr):	100ns
Beralih energi:	1.2mJ
Tegangan - Kerusakan Emitor Kolektor (Maks):	600V
Tegangan - Saturasi kolektor emitter (Max):	1.8V

Custom Automotive IGBT Modules 34mm DS-SPS100B17G3R8-S04010015 V1.0

Solid Power-DS-SPS100B17G3R8-S04010015 V1.0

1700V 100A IGBT Setengah Jembatan Modul

1700V 100A IGBT

Custom Automotive IGBT Modules 34mm DS-SPS100B17G3R8-S04010015 V1.0 0

Fitur:

D 1700V Trench+ Field Stop teknologi

□ Dioda roda bebas dengan pemulihan mundur cepat dan lembut

□ V_{CE (Saturday)}dengan koefisien suhu positif

□ Kerugian switching rendah

Tipikal Aplikasi:

□ Motor/Servo Drive

□ Konverter bertenaga tinggi

□ UPS

□ Fotovoltaik

Paket

Artikel	Simbol	Ketentuan		Nilai-nilai			Satuan
Tegangan uji isolasi	VISOL	RMS, f = 50 Hz, t = 1 min		4.0			kV
Bahan baseplate modul				Cu
Isolasi internal		(kelas 1, IEC 61140) Isolasi dasar (kelas 1, IEC 61140)		Al₂O₃
Jarak merangkak	Dcreep	terminal ke heatsink		17.0			mm
	Dcreep	terminal ke terminal		20.0
Pengumuman	DClear	terminal ke heatsink		17.0			mm
	DClear	terminal ke terminal		9.5
Indeks pelacakan komparatif	CTI			> 200

Artikel	Simbol	Ketentuan		Nilai-nilai			Satuan
				Min.	Seperti itu.	Max. Apa yang terjadi?
Modul induktansi yang sesat	LsCE				20		nH
Modul resistensi timbal, terminal - chip	RCC+EE		T_C= 25°C		0.65		mΩ
Suhu penyimpanan	Tstg			- 40		125	°C
Torsi pemasangan untuk pemasangan modul	M6			3.0		5.0	Nm
Torsi koneksi terminal	M5			2.5		5.0	Nm
Berat badan	G				160		g

IGBT

Maksimal Berkualitas Nilai-nilai

Artikel	Simbol	Ketentuan		Nilai-nilai	Satuan
Tegangan kolektor-emitter	VCES		T_vj= 25°C	1700	V
Tegangan maksimum gate-emitter	VGES			± 20	V
Tegangan transisi gerbang-emitter	VGES	t_p≤ 10μs, D=0.01		± 30	V
Arus DC kolektor terus menerus	Aku_C		T_C= 25°C	180	A
Arus DC kolektor terus menerus	Aku_C		T_C= 100°C	100	A
Listrik kolektor berdenyut,tp terbatas oleh T_jmax	ICpulse			200	A
Penghambatan daya	Ptot			535	W

Karakteristik Nilai-nilai

Artikel	Simbol	Ketentuan		Nilai-nilai			Satuan
Artikel	Simbol	Ketentuan		Min.	Seperti itu.	Max. Apa yang terjadi?	Satuan
Tegangan jenuh kolektor-emitter	VCE (sat)	Aku_C=100A, V_GE=15V	T_vj= 25°C		1.65	1.95	V
			T_vj= 125°C		1.90
			T_vj= 150°C		1.92
Tegangan ambang gerbang	VGE (th)	V_CE=V_GEAku_C=4mA		5.0	5.8	6.5	V
Arus pemotongan kolektor-emitter	ICES	V_CE=1700V, V_GE=0V	T_vj= 25°C			100	μA
Arus pemotongan kolektor-emitter	ICES	V_CE=1700V, V_GE=0V	T_vj= 150°C			5	mA
Arus kebocoran gate-emitter	IGES	V_CE=0V,V_GE=±20V, T_vj= 25°C		-200		200	nA
Biaya Gerbang	Q_G	V_CE= 900V, I_C= 75A, V_GE= ± 15V			0.6		μC
Kapasitas Masuk	Ces	V_CE= 25V, V_GE=0V, f =100kHz			9.00		nF
Kapasitas output	Coes				0.58
Kapasitas transfer terbalik	Cres				0.14
Resistor gerbang internal	RGint	T_vj= 25°C			9		Oh
Waktu penundaan menyala, beban induktif	Pada saat ini	V_CC=900V,I_C=100A R_G=5.1Ω, V_GE= ± 15V	T_vj= 25°C		194		ns
			T_vj= 125°C		218		ns
			T_vj= 150°C		222		ns
Waktu kebangkitan, beban induktif	t_r		T_vj= 25°C		48		ns
			T_vj= 125°C		60		ns
			T_vj= 150°C		66		ns
Waktu penundaan mati, beban induktif	td (off)	V_CC=900V,I_C=100A R_G=5.1Ω, V_GE= ± 15V	T_vj= 25°C		322		ns
			T_vj= 125°C		494		ns
			T_vj= 150°C		518		ns
Waktu jatuh, beban induktif	t_f		T_vj= 25°C		500		ns
			T_vj= 125°C		676		ns
			T_vj= 150°C		740		ns
Kerugian energi saat menyala per denyut nadi	Eon	V_CC=900V,I_C=100A R_G=5.1Ω, V_GE= ± 15V	T_vj= 25°C		20.1		mJ
			T_vj= 125°C		33.4		mJ
			T_vj= 150°C		36.8		mJ
Matikan kehilangan energi per denyut nadi	Eoff		T_vj= 25°C		20.7		mJ
			T_vj= 125°C		30.6		mJ
			T_vj= 150°C		32.8		mJ
Data SC	ISC	V_GE≤15V, V_CC=900V	tp≤10μs T_vj= 150°C			360	A
Resistensi termal IGBT, kasus persimpangan	RthJC					0.28	K / W
Suhu operasi	TJop			- 40		175	°C

Dioda

Maksimal Berkualitas Nilai-nilai

Artikel	Simbol	Ketentuan		Nilai-nilai	Satuan
Tegangan terbalik berulang	VRRM		T_vj= 25°C	1700	V
Listrik terus menerus DC ke depan	Aku_F		T_C= 25°C	140	A
Listrik terus menerus DC ke depan	Aku_F		T_C= 100°C	100
Dioda arus berdenyut,tp dibatasi oleh T_Jmax	IFpulse			200

Karakteristik Nilai-nilai

Artikel	Simbol	Ketentuan		Nilai-nilai			Satuan
				Min.	Seperti itu.	Max. Apa yang terjadi?
Tegangan ke depan	V_F	Aku_F= 100A, V_GE=0V	T_vj= 25°C		2.00	2.40	V
			T_vj= 125°C		2.15
			T_vj= 150°C		2.20
Waktu pemulihan terbalik	trr	Aku_F=100A DI_F/dt=-2100A/μs (T)_vj= 150°C) V_R= 900V, V_GE=-15V	T_vj= 25°C		120		ns
			T_vj= 125°C		180
			T_vj= 150°C		200
arus pemulihan terbalik puncak	IRRM		T_vj= 25°C		193		A
			T_vj= 125°C		216
			T_vj= 150°C		218
Biaya pemulihan terbalik	QRR		T_vj= 25°C		20		μC
			T_vj= 125°C		40
			T_vj= 150°C		47
Kehilangan energi pemulihan terbalik per denyut nadi	Erec		T_vj= 25°C		4.9		mJ
			T_vj= 125°C		21.2
			T_vj= 150°C		24.1
Resistensi termal dioda, kasus persimpangan	RthJCD					0.40	K / W
Suhu operasi	TJop			- 40		175	°C

Output karakteristik (tipikal) Output karakteristik (tipikal)

Aku_C= f (V_CE) I_C= f (V_CE) T_vj= 150°C

Custom Automotive IGBT Modules 34mm DS-SPS100B17G3R8-S04010015 V1.0 5

Transfer karakteristik (tipikal) Pergantian kerugian IGBT(biasanya)

Aku_C= f (V_GE) E = f (R_G)

V_CE= 20V V_GE= ±15V, I_C= 100A, V_CE= 900V

Custom Automotive IGBT Modules 34mm DS-SPS100B17G3R8-S04010015 V1.0 6

IGBT RBSOA

Mengganti kerugian IGBT(biasanya) Kembali bias aman mengoperasikan Area (RBSOA)

E = f (I_C) I_C=f (V)_CE)

V_GE= ± 15V, R_G= 5.1Ω, V_CE= 900V V_GE= ± 15V, R_Goff= 5.1Ω, T_vj= 150°C

Custom Automotive IGBT Modules 34mm DS-SPS100B17G3R8-S04010015 V1.0 7

Tipikal Kapasitas sebagai a fungsi dari kolektor-emitter tegangan Muatan gerbang (tipikal)

C = f (V)_CE) V_GE= f (Q_G)

f = 100 kHz, V_GE= 0V I_C= 100A, V_CE= 900V

IGBT

IGBT sementara termal impedansi sebagai a fungsi dari denyut nadi lebar Ke depan karakteristik dari Dioda (tipikal)

Zth(j-c) = f (t) I_F= f (V_F)

Custom Automotive IGBT Modules 34mm DS-SPS100B17G3R8-S04010015 V1.0 9

Kehilangan switching Diode ((tipikal) Switchingkehilangan Diode (biasanya)

E_Rek= f (R_G) E_Rek= f (I_F)

Aku_F= 100A, V_CE= 900V R_G= 5.1Ω, V_CE= 900V

Custom Automotive IGBT Modules 34mm DS-SPS100B17G3R8-S04010015 V1.0 10

Dioda sementara termal impedansi sebagai a fungsi dari denyut nadi lebar

Zth ((j-c) = f (t)

Custom Automotive IGBT Modules 34mm DS-SPS100B17G3R8-S04010015 V1.0 11

"1700V 100A IGBT Half Bridge Module" mengintegrasikan dua IGBT dalam konfigurasi half-bridge, cocok untuk aplikasi yang membutuhkan daya sedang.Ini memberikan kontrol yang tepat atas tegangan (1700V) dan arus (100A), yang membutuhkan pendinginan yang efektif untuk operasi yang dapat diandalkan. Spesifikasi rinci dapat ditemukan di lembar data produsen.

Sirkuit Diagram Judul

Custom Automotive IGBT Modules 34mm DS-SPS100B17G3R8-S04010015 V1.0 12

Paket garis besar

Custom Automotive IGBT Modules 34mm DS-SPS100B17G3R8-S04010015 V1.0 13

Dimensi dalam (mm)

Tags:

Modul IGBT 34mm

Modul IGBT 62mm

Modul IGBT EconoDual3

Modul IGBT EasyPIM

Modul IGBT EconoPack

Modul IGBT EconoPIM

Modul Otomotif

Discretes SiC hibrida

MOSFET diskrit

IGBT diskrit

Custom Automotive IGBT Modules 34mm DS-SPS100B17G3R8-S04010015 V1.0

Modul IGBT Otomotif Khusus

Modul IGBT Otomotif 34mm

Modul khusus 34mm

Maksimal Berkualitas Nilai-nilai

Maksimal Berkualitas Nilai-nilai

Modul Brake Chopper,

Modul IGBT Otomotif,

Modul Helikopter IGBT

Modul Setengah Jembatan IGBT 75A 1200V Daya Padat-DS-SPS150B17G3-S04010005

Half Bridge Power Module IGBT 1200V 75A Solid Power-DS-SPS75B12G3H6-S04010018 V-2.0

IGBT Mosfet Modul Setengah Jembatan 1200V 50A Solid Power-DS-SPS50B12G3H6-S04010020 V-3.0

1700V 75A H Bridge IGBT Modul DS-SPS75B17G3-S04010014 V1.0.

OEM 1200V 100A H Bridge Mosfet Module DS-SPS100B12G3H6-S04010019