OEM 1200V 100A H Bridge Mosfet Module DS-SPS100B12G3H6-S04010019

Kekuatan padat-DS-SPS100B12G3H6-S04010019

1200V 100A IGBT Setengah Jembatan Modul

1200V 100A IGBT 

Fitur:

D 1200V Trench+ Field Stop teknologi

□ Dioda roda bebas dengan pemulihan mundur cepat dan lembut

□ V_{CE (Saturday)}dengan koefisien suhu positif

□ Kerugian switching rendah

TipikalAplikasi: 

□ Pengelasan

Output karakteristik (tipikal) Output karakteristik (tipikal)

Aku_C= f (V_CE) I_C= f (V_CE) T_vj= 150°C

                                                                                                                   IGBT

Transfer karakteristik (tipikal) Pergantian kerugian IGBT(biasanya)

Aku_C= f (V_GE) E = f (R_G)

V_CE= 20V V_GE= ±15V, I_C= 30A, V_CE= 600V

IGBT RBSOA

 Mengganti kerugian IGBT(biasanya) Kembali bias aman mengoperasikan Area (RBSOA)

E = f (I_C) I_C=f (V)_CE)

V_GE= ± 15V, R_G= 10Ω, V_CE= 600V V_GE= ± 15V, R_Goff= 10Ω, T_vj= 150°C

Tipikal Kapasitas sebagai a fungsi dari kolektor-emitter Gerbang tegangan biaya(biasanya)

C = f (V)_CE) V_GE= f (Q_G)

f = 100 kHz, V_GE= 0V I_C= 100A, V_CE= 600V

IGBT

IGBT sementara termal impedansi sebagai a fungsi dari denyut nadi lebar Ke depan karakteristik dari Dioda (tipikal)

Zth(j-c) = f (t) I_F= f (V_F)

   Mengganti kerugian Diode (biasanya) Switch kerugian Dioda (biasanya)

E_Rek= f (R_G) E_Rek= f (I_F)

Aku_F= 30A, V_CE= 600V R_G= 10Ω, V_CE= 600V

Dioda sementara termal impedansi sebagai a fungsi dari denyut nadilebar

Zth ((j-c) = f (t)