Produk

Rumah > Produk > Discretes SiC hibrida > 1200V Hybrid SiC Discretes Mosfet DS-SPS40MA12E4S-S03130001 V1.0 OEM

Kategori

IGBT diskrit

(2)

Kontak

Kontak: Mr. Zhou

Telp: 86-1360-528-8329

Hubungi Sekarang

Kirimkan Kami

1200V Hybrid SiC Discretes Mosfet DS-SPS40MA12E4S-S03130001 V1.0 OEM

Name: 1200V Hybrid SiC Discretes Mosfet DS-SPS40MA12E4S-S03130001 V1.0 OEM
Brand: 1200V Hybrid SiC Discretes Mosfet DS-SPS40MA12E4S-S03130001 V1.0 OEM
SKU: SPS40MA12E4S
Rating: 4.6 (179 reviews)

Rincian produk

Nomor model: SPS40MA12E4S

Syarat Pembayaran & Pengiriman

Dapatkan Harga Terbaik

Rincian produk

Deskripsi Produk

Menyoroti: 
                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                1200V hibrida SiC diskrit, 1200V Sic Mosfet, OEM Hybrid SiC Discretes
                              

Penurunan Tegangan Dioda Tubuh:	1.5V	Peringkat saat ini:	20A
Biaya Gerbang:	20nC	Tegangan ambang gerbang:	4V
Tegangan Isolasi:	2500V	Suhu Persimpangan Maksimum:	175°C
Perlawanan Dalam Negeri:	0,1Ω	kapasitansi keluaran:	50pF
Jenis Paket:	KE-247	Membalikkan Waktu Pemulihan:	20 detik
Sirkuit pendek menahan waktu:	10μs	Beralih Frekuensi:	100kHz
Kisaran suhu:	-55°C hingga +175°C	Nomor tegangan:	1200V

Penurunan Tegangan Dioda Tubuh:	1.5V
Peringkat saat ini:	20A
Biaya Gerbang:	20nC
Tegangan ambang gerbang:	4V
Tegangan Isolasi:	2500V
Suhu Persimpangan Maksimum:	175°C
Perlawanan Dalam Negeri:	0,1Ω
kapasitansi keluaran:	50pF
Jenis Paket:	KE-247
Membalikkan Waktu Pemulihan:	20 detik
Sirkuit pendek menahan waktu:	10μs
Beralih Frekuensi:	100kHz
Kisaran suhu:	-55°C hingga +175°C
Nomor tegangan:	1200V

1200V Hybrid SiC Discretes Mosfet DS-SPS40MA12E4S-S03130001 V1.0 OEM

Solid Power-DS-SPS40MA12E4S-S03130001 V1.0

1200V 40mΩ SiC MOSFET

1200V Hybrid SiC Discretes Mosfet DS-SPS40MA12E4S-S03130001 V1.0 OEM 0

Fitur:

□ Tegangan blokir tinggi dengan resistensi On rendah

□ Pergantian kecepatan tinggi dengan kapasitas rendah

□ Dioda intrinsik cepat dengan pemulihan kebalikan rendah (Qrr)

Tipikal Aplikasi:

□ Inverter PV

□ Baterai Pengisian

D Sistem penyimpanan energi

D Pasokan listrik industri

□ Motor Industri

Maksimal Ratings @Tc=25°C (kecuali Jika tidak ditentukan)

Artikel	Simbol	Ketentuan	Nilai-nilai	Satuan
Tegangan sumber pembuangan	VDSmax	VGS=0V, ID=100μA	1200	V
Tegangan Sumber Gerbang	VGSop	Statik	-5/+20	V
Tegangan sumber gerbang maksimum	VGSmax	Statik	-8/+22	V
Arus pembuangan terus menerus	ID	VGS=20V, Tc=25°C	75	A
Arus pembuangan terus menerus	ID	VGS=20V, Tc=100°C	53
Arus pembuangan pulsa	ID (pulsa)	Lebar denyut tp terbatas oleh Tjmax	120	A
Pembuangan Kekuatan	PD	TC=25°C, Tj=175°C	366	W
Jarak Jalur Operasi	Tj		-55 sampai +175	°C
Rentang suhu penyimpanan	Tstg		-55 sampai +175	°C

Listrik Karakteristik @Tc=25°C (kecuali Jika tidak ditentukan)

Artikel	Simbol	Ketentuan	Min.	Nilai-nilai Tip.	Max.	Satuan
Tegangan pemisahan sumber pembuangan	V ((BR) DSS	VGS=0V, ID=100μA	1200	-	-	V
Tegangan ambang gerbang	VGS (th)	VDS=VGS, ID=10mA	2.0	2.8	3.5	V
Tegangan ambang gerbang	VGS (th)	VDS=VGS, ID=10mA, Tj=175°C	-	1.9	-	V
Zero Gate Voltage Drain Current	IDSS	VDS = 1200V, VGS = 0V	-	1	100	μA
Listrik kebocoran sumber gerbang	IGSS	VGS = 20V, VDS = 0V	-	10	100	nA
Resistensi pada keadaan sumber pembuangan	RDS (menyala)	VGS=20V, ID=35A	-	40	60	mΩ
		VGS=20V, ID=35A, Tj=175°C	-	64	-
		VGS=18V, ID=35A	-	43	70
		VGS=18V, ID=35A, Tj=175°C	-	67	-
Transkonduktansi	gfs	VDS = 20V, IDS = 35A	-	20	-	S
Transkonduktansi	gfs	VDS=20V, IDS=35A, Tj=175°C	-	18	-	S
Menghidupkan energi beralih (body diode FWD)	Eon	VDS = 800V, VGS=-5V/20V, ID=35A,	-	635	-
		VDS = 800V, VGS=-5V/20V, ID=35A,
Energi pemutus (body diode FWD)	Eoff	RG ((ext) = 2,5Ω, L=200μH, Tj=25°C FWD=SPS40MA12E4S	-	201	-	μJ
Menyalakan Waktu Penundaan	Pada saat ini		-	9	-
Waktu Bangkit	tr	VDD = 800V,	-	30	-
Waktu Bangkit	tr	VGS=-5V/20V, ID=35A,	-	30	-	ns
Waktu penundaan penutupan	td (off)	VGS=-5V/20V, ID=35A,	-	31	-	ns
Waktu penundaan penutupan	td (off)	RG ((ext) = 2,5Ω, L=200μH	-	31	-
Waktu Musim Gugur	Tf		-	12	-
Pengisian Gate to Source	Qgs	VDS=800V, VGS=-5V/20V, ID=35A	-	40	-
Pengisian gerbang ke saluran pembuangan	Qgd		-	60	-	nC
Total Biaya Gerbang	Qg		-	163	-
Kapasitas Masuk	Ciss	VGS = 0V, VDS = 1000V f=1MHz VAC=25mV	-	2534	-	pF
Kapasitas output	Coss		-	110	-
Kapasitas transfer terbalik	Crss		-	26	-
COSS Energi Tersimpan	Eoss		-	70	-	μJ
Resistensi gerbang internal	RG ((int)	f=1MHz, VAC=25mV	-	1.6	-	Oh

Kembali Dioda Karakteristik @Tc=25°C (kecuali Jika tidak ditentukan)

Artikel	Simbol	Ketentuan	Min.	Nilai-nilai Tip.	Max.	Satuan
Tegangan Dioda Ke Depan	VSD	VGS=-5V, ISD=20A	-	4.9	7	V
Tegangan Dioda Ke Depan	VSD	VGS=-5V, ISD=20A, Tj=175°C	-	4.1	-	V
Arus Depan Dioda Kontinyu	IS	VGS=-5V	-	75	-	A
Waktu pemulihan terbalik	trr	VGS=-5V,	-	32	-	ns
Biaya Pemulihan Kembali	Qrr	ISD=35A,	-	769	-	nC
Skala puncak arus pemulihan terbalik	Irrm	VR=800V, di/dt=3000A/μs	-	39	-	A

Kembali Dioda Karakteristik @Tc=25°C (kecuali Jika tidak ditentukan)

Artikel	Simbol	Ketentuan	Min.	Nilai-nilai Tip.	Max.	Satuan
Ketahanan termal dari simpang ke kasus	RθJC		-	0.41	-	°C/W

Tipikal Kinerja

1200V Hybrid SiC Discretes Mosfet DS-SPS40MA12E4S-S03130001 V1.0 OEM 3

1200V Hybrid SiC Discretes Mosfet DS-SPS40MA12E4S-S03130001 V1.0 OEM 4

1200V Hybrid SiC Discretes Mosfet DS-SPS40MA12E4S-S03130001 V1.0 OEM 5

Tipikal Kinerja

Tipikal Kinerja

1200V Hybrid SiC Discretes Mosfet DS-SPS40MA12E4S-S03130001 V1.0 OEM 12

1200V Hybrid SiC Discretes Mosfet DS-SPS40MA12E4S-S03130001 V1.0 OEM 13

1200V Hybrid SiC Discretes Mosfet DS-SPS40MA12E4S-S03130001 V1.0 OEM 14

Tipikal Kinerja

1200V Hybrid SiC Discretes Mosfet DS-SPS40MA12E4S-S03130001 V1.0 OEM 15

Ini adalah Silicon Carbide (SiC) Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor (MOSFET) dengan tegangan nominal 1200V dan resistensi on-state (RDS(on)) 40 milliohms (40mΩ).SiC MOSFET dikenal karena kemampuan tegangan tinggi dan resistensi pada keadaan rendah, membuat mereka cocok untuk aplikasi elektronik daya efisien seperti konverter frekuensi tinggi dan kendaraan listrik.Resistensi 40mΩ pada keadaan menunjukkan kerugian daya yang relatif rendah selama konduksi, berkontribusi pada peningkatan efisiensi dalam aplikasi daya tinggi.

Paket Bentuknya: TO-247-4L

Tags:

Modul IGBT 34mm

Modul IGBT 62mm

Modul IGBT EconoDual3

Modul IGBT EasyPIM

Modul IGBT EconoPack

Modul IGBT EconoPIM

Modul Otomotif

Discretes SiC hibrida

MOSFET diskrit

IGBT diskrit

1200V Hybrid SiC Discretes Mosfet DS-SPS40MA12E4S-S03130001 V1.0 OEM

1200V hibrida SiC diskrit

1200V Sic Mosfet

OEM Hybrid SiC Discretes

Solid Power-DS-SPS40MA12E4S-S03130001 V1.0

1200V 40mΩ SiC MOSFET

Listrik Karakteristik @Tc=25°C (kecuali Jika tidak ditentukan)

Tipikal Kinerja

Tipikal Kinerja

Tipikal Kinerja

Sic Power Mosfet,

Mobil Sic Mosfet,

Tekanan Tinggi Sic Mosfet

1200V 12mΩ Sic Power Mosfet Discretes DS-SPS12MA12E4S Disesuaikan

Otomotif Tegangan Tinggi Sic Mosfet DS-SPS75MA12E4S-S03130002 V1.0. OEM

Modul IGBT 34mm

Modul IGBT 62mm

Modul IGBT EconoDual3

Modul IGBT EasyPIM

Modul IGBT EconoPack

Modul IGBT EconoPIM

Modul Otomotif