Menyoroti:
Kerugian switching rendah Infineon IGBT diskrit
, IGBT Transistor Module OEM
, Low Switching Losses IGBT Transistor Module
Kapasitas kolektor emitter: |
170 hal |
Konfigurasi: |
Single |
Kolektor arus terus menerus: |
50 A |
Kolektor arus berdenyut: |
200 A |
Biaya Gerbang: |
80 nC |
Gaya Pemasangan: |
Melalui Lubang |
Jangkauan suhu operasi: |
-55 hingga 150 derajat Celcius |
Jenis Paket: |
KE-247 |
Paket/Kasus: |
KE-247-3 |
Membalikkan Waktu Pemulihan: |
50 ns |
Polaritas transistor: |
Saluran-N |
Pemecahan Voltage Collector Emitter Max: |
1200 V |
Tegangan Kolektor Emitor Saturasi Maks: |
2.2 V |
Sempadan Pemancar Gerbang Tegangan Max: |
5 V |
Nama produk: |
modul transistor igt, modul igt sic, transistor igt |
Kerugian Switching Rendah Infineon Modul Transistor IGBT Diskrit OEM
Solid Power-DS-SPS40G12E3S-S03010001 V1.0
1200V 40A IGBT Mendiamkan
1200V 40A IGBT
Umum Deskripsi
SOLIDPOWER IGBT Discrete memberikan kerugian switching rendah serta kemampuan RBSOA yang tinggi.Inverter senar surya tiga tingkat, pengelasan dll.
Fitur:
▪ Teknologi Trench Field Stop 1200V
▪ SiC SBD Freewheeling Diode
▪ Rugi yang rendah
▪ Biaya gerbang rendah
Tipikal Aplikasi:
▪ UPS industri
▪ Pengecas
▪ Menyimpan energi
▪ Inverter
▪ Pengelasan
IGBT IGBT
Karakteristik output IGBT Karakteristik output IGBT
IC=f ((VCE),Tvj=25°C IC=f ((VCE), Tvj=175°C
FRD IGBT
Karakteristik output FRD Voltan jenuh kolektor-emitter IGBT
IF=f(VF) VCE(sat)=f (Tj)
FRD IGBT
Tegangan jenuh kolektor-emitter FRD Gate-emitter threshold voltage IGBT
VF=f (Tj) VGE(th) =f (Tj)
FRD IGBT
Karakteristik output FRD Kolektor arus IGBT
IF=f ((VF) IC=f ((TC)
VGE≥15V,Tvj≤175°C
Karakteristik Muatan Gerbang Karakteristik Kapasitas
VGE ((th) =f (Qg) VCE=25V, VGE=0V, f=1MHZ
VGE = 15V, IC = 40A
IGBT IGBT
Waktu beralih IGBT Waktu beralih IGBT
ts=f (IC), Tvj=25°C ts=f (IC), Tvj=175°C
IGBT IGBT
Waktu beralih IGBT Waktu beralih IGBT
ts=f (RG), Tvj=25°C ts=f (RG), Tvj=175°C
VGE=15V, VCE=600V, IC=40A VGE=15V, VCE=600V, IC=40A
IGBT IGBT
Waktu Pergantian IGBT Kehilangan Pergantian IGBT
ts=f (Tj) E=f (Tj)
VGE=15V, VCE=600V, RG=12Ω, IC=40A VGE=15V, VCE=600V, RG=12Ω, IC=40A
IGBT IGBT
Kehilangan beralih IGBT Kehilangan beralih IGBT
E=f (IC) E=f (IC)
VGE = 15V, VCE = 600V, RG = 12Ω, Tvj = 25°C VGE = 15V, VCE = 600V, RG = 12Ω, Tvj = 175°C
IGBT IGBT
Kehilangan beralih IGBT Kehilangan beralih IGBT
E=f (RG) E=f (RG)
VGE = 15V, VCE = 600V, IC = 40A, Tvj = 25°C VGE = 15V, VCE = 600V, IC = 40A, Tvj = 175°C
IGBT IGBT
Kehilangan beralih IGBT Kehilangan beralih IGBT
E=f (VCE), Tvj=25°C E=f (VCE), Tvj=175°C
VGE=15V, RG=12Ω, IC=40A VGE=15V, RG=12Ω, IC=40A
IGBT
Ke depan bias SOA Impedansi termal sementara IGBT
TC=25°C, VGE=15V, Tvj≤175°C ZthJA=f (t)
Ini adalah Transistor Bipolar Isolated Gate (IGBT) diskrit dengan tegangan nominal 1200V dan arus nominal 40A.IGBT umumnya digunakan dalam aplikasi elektronik daya untuk beralih tegangan tinggi dan arusSpesifikasi menunjukkan bahwa IGBT khusus ini dapat menangani tegangan maksimum 1200V dan arus maksimum 40A.sirkuit drive yang tepat dan pertimbangan disipasi panas penting untuk memastikan keandalan dan kinerja IGBT.
Sirkuit Diagram Judul
Paket garis besar
Pesan Anda harus antara 20-3.000 karakter!
