Produk

Rumah > Produk > IGBT diskrit > 1500V 3A IGBT Diskrit N Channel Sic IGBT Modul DS-SPS03NM15E3-S03050001 V1.0

Kategori

IGBT diskrit

(2)

Kontak

Kontak: Mr. Zhou

Telp: 86-1360-528-8329

Hubungi Sekarang

Kirimkan Kami

1500V 3A IGBT Diskrit N Channel Sic IGBT Modul DS-SPS03NM15E3-S03050001 V1.0

Name: 1500V 3A IGBT Diskrit N Channel Sic IGBT Modul DS-SPS03NM15E3-S03050001 V1.0
Brand: 1500V 3A IGBT Diskrit N Channel Sic IGBT Modul DS-SPS03NM15E3-S03050001 V1.0
SKU: SPS03NM15E3
Rating: 5 (119 reviews)

Rincian produk

Nomor model: SPS03NM15E3

Syarat Pembayaran & Pengiriman

Dapatkan Harga Terbaik

Rincian produk

Deskripsi Produk

Menyoroti: 
                                                1500V 3A IGBT diskrit, 1500V 3A Sic IGBT Modul, N Channel Sic IGBT Modul
                              

1500V 3A IGBT Diskrit N Channel Sic IGBT Modul DS-SPS03NM15E3-S03050001 V1.0

Solid Power-DS-SPS03NM15E3-S03050001 V1.0

1500V 3A N-Channel MOS Discrete

1500V 3A MOSFET

1500V 3A IGBT Diskrit N Channel Sic IGBT Modul DS-SPS03NM15E3-S03050001 V1.0 0

Fitur:

Pergantian Cepat
Resistensi ON rendah
Biaya Gerbang Rendah Mengurangi kehilangan Switch
Dioda tubuh pemulihan cepat

Tipikal Aplikasi:

Adaptor
Pengisi daya
Daya Standby SMPS

1500V 3A IGBT Diskrit N Channel Sic IGBT Modul DS-SPS03NM15E3-S03050001 V1.0 1

1500V 3A IGBT Diskrit N Channel Sic IGBT Modul DS-SPS03NM15E3-S03050001 V1.0 2

1500V 3A IGBT Diskrit N Channel Sic IGBT Modul DS-SPS03NM15E3-S03050001 V1.0 3

MOSFET MOSFET

Karakteristik output MOSFET Karakteristik transfer MOSFET

IDS=f(VDS), Tvj=25°C IDS=f(VGS), VDS=20V, Tvj=25°C

Sumber pembuangan normal pada resistensi

RDSon (P.U.) = f (Tvj) RDSon (F (IDS) Tvj = 25°C

IDS=1,3A VGS=10V VGS=10V

1500V 3A IGBT Diskrit N Channel Sic IGBT Modul DS-SPS03NM15E3-S03050001 V1.0 5

MOSFET

Karakteristik ke depan dari karakteristik muatan Diode Gate MOSFET

IDS=f(VDS) VGS=f(QG

VDS=750V, IDS=3A, Tvj=25°C

1500V 3A IGBT Diskrit N Channel Sic IGBT Modul DS-SPS03NM15E3-S03050001 V1.0 6

MOSFET

Karakteristik Kapasitas MOSFET Dissipasi Daya Maksimal

C=f (VDS) PD=f (TC)

VGS=0V, Tvj=25°C, f=1MHz

Daerah Operasi Aman Berbias Ke Depan (FBSOA)

ID=f ((TC)

1500V 3A IGBT Diskrit N Channel Sic IGBT Modul DS-SPS03NM15E3-S03050001 V1.0 8

MOSFET

MOSFET impedansi termal sementara

ZthJC=f (t)

1500V 3A IGBT Diskrit N Channel Sic IGBT Modul DS-SPS03NM15E3-S03050001 V1.0 9

Ini adalah N-Channel Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor (MOSFET) diskrit dengan tegangan nominal 1500V dan arus nominal 3A.MOSFET N-Channel adalah perangkat semikonduktor yang umum digunakan dalam berbagai aplikasi elektronik1500V menunjukkan tegangan maksimum yang dapat ditangani perangkat, sementara 3A mewakili arus maksimum yang dapat ditampung.Dalam aplikasi khusus, sirkuit drive yang tepat dan disipasi panas harus dipertimbangkan untuk memastikan keandalan dan kinerja MOSFET.

Paket garis besar

1500V 3A IGBT Diskrit N Channel Sic IGBT Modul DS-SPS03NM15E3-S03050001 V1.0 10

Tags:

Modul IGBT 34mm

Modul IGBT 62mm

Modul IGBT EconoDual3

Modul IGBT EasyPIM

Modul IGBT EconoPack

Modul IGBT EconoPIM

Modul Otomotif

Discretes SiC hibrida

MOSFET diskrit

IGBT diskrit

1500V 3A IGBT Diskrit N Channel Sic IGBT Modul DS-SPS03NM15E3-S03050001 V1.0