Produk

Rumah > Produk > Modul Otomotif > 750V 820A Modul Daya Otomotif Elektronik Full Bridge IGBT Modul OEM

Kategori

IGBT diskrit

(2)

Kontak

Kontak: Mr. Zhou

Telp: 86-1360-528-8329

Hubungi Sekarang

Kirimkan Kami

750V 820A Modul Daya Otomotif Elektronik Full Bridge IGBT Modul OEM

Name: 750V 820A Modul Daya Otomotif Elektronik Full Bridge IGBT Modul OEM
Brand: 750V 820A Modul Daya Otomotif Elektronik Full Bridge IGBT Modul OEM
SKU: SPS820F08HDM4
Rating: 4.8 (136 reviews)

Rincian produk

Nomor model: SPS820F08HDM4

Syarat Pembayaran & Pengiriman

Dapatkan Harga Terbaik

Rincian produk

Deskripsi Produk

Menyoroti: 
                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                750V 820A Modul Daya Otomotif, Full Bridge IGBT Module OEM, Modul Elektronik Otomotif OEM
                              

sertifikasi:	CE, FCC, RoHS	Warna:	Hitam
Kompatibilitas:	Kompatibel dengan sebagian besar kendaraan modern	Konektivitas:	Kabel
Ukuran:	Berbeda-beda tergantung pada modul tertentu	fungsi:	Mengontrol dan memantau berbagai sistem di kendaraan
Bahan:	Plastik dan logam	Suhu operasi:	-40°C hingga 85°C
Tegangan operasi:	12v	Jenis:	Elektronik
Jaminan:	1 Tahun	Berat badan:	Berbeda-beda tergantung pada modul tertentu

sertifikasi:	CE, FCC, RoHS
Warna:	Hitam
Kompatibilitas:	Kompatibel dengan sebagian besar kendaraan modern
Konektivitas:	Kabel
Ukuran:	Berbeda-beda tergantung pada modul tertentu
fungsi:	Mengontrol dan memantau berbagai sistem di kendaraan
Bahan:	Plastik dan logam
Suhu operasi:	-40°C hingga 85°C
Tegangan operasi:	12v
Jenis:	Elektronik
Jaminan:	1 Tahun
Berat badan:	Berbeda-beda tergantung pada modul tertentu

750V 820A Modul Daya Otomotif Elektronik Full Bridge IGBT Modul OEM

Solid Power-DS-SPS820F08HDM4-S04090002

750V 820A IGBT Penuh Jembatan Modul

750V 820A IGBT

750V 820A Modul Daya Otomotif Elektronik Full Bridge IGBT Modul OEM 0

Fitur:

D 750V Trench+ Field Stop teknologi

□ Dioda roda bebas dengan pemulihan mundur cepat dan lembut

□ V_{CE (Saturday)}dengan koefisien suhu positif

□ Kerugian switching rendah

□ Kerentanan sirkuit pendek

Tipikal Aplikasi:

□ Penggerak motor

□ Kendaraan listrik hibrida

□ Aplikasi otomotif

D Kendaraan pertanian komersial

Paket

Artikel	Simbol	Ketentuan		Nilai-nilai			Satuan
Tegangan uji isolasi	VISOL	RMS, f = 0 Hz, t = 1 s		4.2			kV
Bahan baseplate modul				Cu
Isolasi internal		(kelas 1, IEC 61140) Isolasi dasar (kelas 1, IEC 61140)		Al₂O₃
Jarak merangkak	Dcreep	terminal ke heatsink		9.0			mm
	Dcreep	terminal ke terminal		9.0
Pengumuman	DClear	terminal ke heatsink		4.5			mm
	DClear	terminal ke terminal		4.5
Indeks pelacakan komparatif	CTI			> 200

Artikel	Simbol	Ketentuan		Nilai-nilai			Satuan
				Min.	Seperti itu.	Max. Apa yang terjadi?
Modul induktansi yang sesat	LsCE				10		nH
Modul resistensi timbal, terminal - chip	RCC+EE		T_C= 25°C		0.75		mΩ
Suhu penyimpanan	Tstg			- 40		125	°C
Torsi pemasangan untuk pemasangan modul	M4	baseplate untuk heatsinks		1.8		2.2	Nm
	M3	PCB ke bingkai		0.45		0.55	Nm
Berat badan	G				725		g

IGBT

Maksimal Berkualitas Nilai-nilai

Artikel	Simbol	Ketentuan		Nilai-nilai	Satuan
Tegangan kolektor-emitter	VCES		T_vj= 25°C	750	V
Tegangan maksimum gate-emitter	VGES			± 20	V
Tegangan transisi gerbang-emitter	VGES	t_p≤ 10μs, D=0.01		± 30	V
Arus kolektor yang diimplementasikan	ICN			820	A
Arus DC kolektor terus menerus	Aku_C	T_F= 80°C, T_vjmax= 175°C		450	A
Listrik kolektor berdenyut,tp terbatas oleh T_jmax	ICpulse			1640	A
Penghambatan daya	Ptot		T_F= 75°C	769	W

Artikel	Simbol	Ketentuan		Nilai-nilai			Satuan
Artikel	Simbol	Ketentuan		Min.	Seperti itu.	Max. Apa yang terjadi?	Satuan
Tegangan jenuh kolektor-emitter	VCE (sat)	Aku_C=450A, V_GE=15V	T_vj= 25°C		1.20	1.40	V
			T_vj= 125°C		1.24
			T_vj= 150°C		1.27
		Aku_C=820A, V_GE=15V	T_vj= 25°C		1.40	1.60
			T_vj= 125°C		1.55
			T_vj= 150°C		1.60
Tegangan ambang gerbang	VGE (th)	V_CE=V_GEAku_C= 9,6mA		5.1	5.8	6.5	V
Arus pemotongan kolektor-emitter	ICES	V_CE=750V, V_GE=0V	T_vj= 25°C			100	μA
Arus pemotongan kolektor-emitter	ICES	V_CE=750V, V_GE=0V	T_vj= 150°C			5	mA
Arus kebocoran gate-emitter	IGES	V_CE=0V,V_GE=±20V, T_vj= 25°C		-200		200	nA
Biaya Gerbang	Q_G	V_CE= 400V, I_C= 450A, V_GE=-8/+15V			1.6		μC
Resistor gerbang internal	RGint				0.8		Oh
Kapasitas Masuk	Ces	V_CE= 25V, V_GE=0V, f =100kHz			42.4		nF
Kapasitas output	Coes				3.1
Kapasitas transfer terbalik	Cres				0.8
Waktu penundaan menyala, beban induktif	Pada saat ini	V_CC= 400V,I_C=450A R_Gon= 2,5Ω, V_GE=-8/+15V	T_vj= 25°C		90		ns
			T_vj= 125°C		92		ns
			T_vj= 150°C		96		ns
Waktu kebangkitan, beban induktif	t_r		T_vj= 25°C		64		ns
			T_vj= 125°C		68		ns
			T_vj= 150°C		70		ns
Waktu penundaan mati, beban induktif	td (off)	V_CC= 400V,I_C=450A R_Goff= 5,1Ω, V_GE=-8/+15V	T_vj= 25°C		520		ns
			T_vj= 125°C		580		ns
			T_vj= 150°C		590		ns
Waktu jatuh, beban induktif	t_f		T_vj= 25°C		200		ns
			T_vj= 125°C		310		ns
			T_vj= 150°C		320		ns
Kerugian energi saat menyala per denyut nadi	Eon	V_CC= 400V,I_C=450A R_G= 2,5Ω,R_Goff= 5,1Ω V_GE=-8/+15V	T_vj= 25°C		15.0		mJ
			T_vj= 125°C		18.0		mJ
			T_vj= 150°C		20.0		mJ
Matikan kehilangan energi per denyut nadi	Eoff		T_vj= 25°C		33.5		mJ
			T_vj= 125°C		41.0		mJ
			T_vj= 150°C		43.0		mJ

Artikel	Simbol	Ketentuan		Nilai-nilai			Satuan
Artikel	Simbol	Ketentuan		Min.	Seperti itu.	Max. Apa yang terjadi?	Satuan
Data SC	ISC	V_GE≤15V, V_CC=400V	tp≤3μs T_vj= 150°C			5400	A
Resistensi termal IGBT, cairan pendingin persimpangan	RthJF					0.13	K / W
Suhu operasi	TJop			- 40		175	°C

Dioda

Maksimal Berkualitas Nilai-nilai

Artikel	Simbol	Ketentuan		Nilai-nilai	Satuan
Tegangan terbalik berulang	VRRM		T_vj= 25°C	750	V
Arus ke depan yang diterapkan	ICN			820	A
Listrik terus menerus DC ke depan	Aku_F	T_F= 80°C, T_vjmax= 175°C		450	A
Dioda arus berdenyut,tp dibatasi oleh T_Jmax	IFpulse			1640	A

Karakteristik Nilai-nilai

Artikel	Simbol	Ketentuan		Nilai-nilai			Satuan
				Min.	Seperti itu.	Max. Apa yang terjadi?
Tegangan ke depan	V_F	Aku_F= 450A, V_GE=0V	T_vj= 25°C		1.20	1.60	V
			T_vj= 125°C		1.16
			T_vj= 150°C		1.14
		Aku_F= 820A, V_GE=0V	T_vj= 25°C		1.42	1.80
			T_vj= 125°C		1.43
			T_vj= 150°C		1.44
Waktu pemulihan terbalik	trr	Aku_F= 450A DI_F/dt=-6700A/μs (T)_vj= 150°C) V_R= 400V, V_GE=-8V	T_vj= 25°C		122		ns
			T_vj= 125°C		160
			T_vj= 150°C		172
arus pemulihan terbalik puncak	IRRM		T_vj= 25°C		295		A
			T_vj= 125°C		360
			T_vj= 150°C		375
Biaya pemulihan terbalik	QRR		T_vj= 25°C		28.5		μC
			T_vj= 125°C		40.5
			T_vj= 150°C		43.5
Kehilangan energi pemulihan terbalik per denyut nadi	Erec		T_vj= 25°C		6.2		mJ
			T_vj= 125°C		11.7
			T_vj= 150°C		13.2
Resistensi termal dioda, cairan pendingin persimpangan	RthJFD					0.25	K / W
Suhu operasi	TJop			- 40		175	°C

NTC-Thermistor

Karakteristik Nilai-nilai

Artikel

Simbol

Ketentuan

Nilai-nilai

Satuan

Resistensi nominal

R25

T_C= 25°C

5.00

kΩ

Nilai B

R25/50

3375

Output karakteristik (tipikal) Output karakteristik (tipikal)

Aku_C= f (V_CE) T_vj= 150°C

750V 820A Modul Daya Otomotif Elektronik Full Bridge IGBT Modul OEM 5

IGBT

Transfer Karakteristik (typical) Kehilangan switching IGBT (typical)

Aku_C= f (V_GE) V_CE= 20V E = f (R_G)

V_GE= -8/+15V, I_C= 450A, V_CE= 400V

750V 820A Modul Daya Otomotif Elektronik Full Bridge IGBT Modul OEM 6

IGBT(RBSOA)

Kehilangan switching IGBT (tipikal) Kebalikan bias aman mengoperasikan Area (RBSOA)

E = f (I_C) I_C=f (V)_CE)

V_GE= -8/+15V, R_Gon= 2,5Ω,R_Goff= 5.1Ω, V_CE= 400V V_GE= -8/+15V, R_Goff= 5.1Ω, T_vj= 150°C

750V 820A Modul Daya Otomotif Elektronik Full Bridge IGBT Modul OEM 7

Tipikal Kapasitas sebagai fungsi dari kolektor-emitter tegangan Muatan gerbang (tipikal)

C = f (V)_CE) V_GE= f (Q_G)

f = 100 kHz, V_GE= 0V I_C= 450A, V_CE= 400V

750V 820A Modul Daya Otomotif Elektronik Full Bridge IGBT Modul OEM 8

IGBT

IGBT sementara termal impedansi Ke depan karakteristik dari Dioda (tipikal)

Zth(j-c) = f (t) I_F= f (V_F)

750V 820A Modul Daya Otomotif Elektronik Full Bridge IGBT Modul OEM 9

Kehilangan switching Diode ((tipikal) Kehilangan switching Diode ((tipikal)

E_Rek= f (R_G) E_Rek= f (I_F)

Aku_F= 450A, V_CE= 400V R_G= 2,5Ω, V_CE= 400V

750V 820A Modul Daya Otomotif Elektronik Full Bridge IGBT Modul OEM 10

Dioda panas sementara impedansi NTC-Termistor-suhu karakteristik (tipikal)

Zth ((j-c) = f (t) R = f (T)

750V 820A Modul Daya Otomotif Elektronik Full Bridge IGBT Modul OEM 11

Modul IGBT dalam inverter adalah perakitan kompak yang berisi Transistor Bipolar Isolated Gate (IGBT) dan komponen lainnya.IGBT memainkan peran penting dalam beralih dan mengubah arus searah (DC) ke arus bolak-balik (AC) dalam perangkat seperti drive motorModul ini menyederhanakan integrasi, dan pendinginan yang tepat sangat penting untuk efisiensi dan keandalan.

Sirkuit Diagram Judul

750V 820A Modul Daya Otomotif Elektronik Full Bridge IGBT Modul OEM 12

Paket garis besar

750V 820A Modul Daya Otomotif Elektronik Full Bridge IGBT Modul OEM 14

Dimensi dalam (mm)

Tags:

Modul IGBT 34mm

Modul IGBT 62mm

Modul IGBT EconoDual3

Modul IGBT EasyPIM

Modul IGBT EconoPack

Modul IGBT EconoPIM

Modul Otomotif

Discretes SiC hibrida

MOSFET diskrit

IGBT diskrit

750V 820A Modul Daya Otomotif Elektronik Full Bridge IGBT Modul OEM