Menyoroti:
1200V 15A IGBT Modul EasyPIM
, 1200V 15A IGBT PIM
, PIM IGBT khusus
Arus Kolektor: |
100A |
Tegangan emiter kolektor: |
1200V |
Saat ini: |
100A |
Biaya Pemancar Gerbang: |
120nC |
Resistensi Pemancar Gerbang: |
1,5Ω |
Tegangan Emitor Gerbang: |
±20V |
Berat Modul: |
200g |
Suhu operasi: |
-40°C hingga +150°C |
Jenis Paket: |
EasyPIM |
Membalikkan Waktu Pemulihan: |
50ns |
Sirkuit pendek menahan waktu: |
10μs |
Beralih Frekuensi: |
20Khz |
Ketahanan Termal: |
0.1°C/W |
Tegangan: |
1200V |
Nama produk: |
Driver IGBT Module, IGBT Transistor Module, Single Igbt Module |
Modul IGBT 1200V 15A EasyPIM DS-SPS15P12W1M4-S040600003
Kekuatan padat-DS-SPS15P12W1M4-S040600003
1200V 15A IGBT PIM Modul
1200V 15A IGBT PIM
Fitur:
D 1200V Trench+ Field Stop teknologi
□ Dioda roda bebas dengan pemulihan mundur cepat dan lembut
□ VCE (Saturday)dengan koefisien suhu positif
□ Kerugian switching rendah
□ Kerentanan sirkuit pendek
□ Servo Drive
□ Konverter
□ Inverter
Paket
| Artikel |
Simbol |
Ketentuan |
Nilai-nilai |
Satuan |
|
Tegangan uji isolasi
|
VISOL |
RMS, f = 50 Hz, t = 1 min |
2.5
|
kV
|
|
Isolasi internal
|
|
(kelas 1, IEC 61140)
Isolasi dasar (kelas 1, IEC 61140)
|
Al2O3
|
|
|
Jarak merangkak
|
Dcreep |
terminal ke heatsink |
11.5 |
mm
|
| Dcreep |
terminal ke terminal |
6.3 |
|
Pengumuman
|
DClear |
terminal ke heatsink |
10.0 |
mm
|
| DClear |
terminal ke terminal |
5.0 |
|
Indeks pelacakan komparatif
|
CTI |
|
> 200
|
|
| |
|
| Artikel |
Simbol |
Ketentuan |
Nilai-nilai |
Satuan |
| Min. |
Seperti itu. |
Max. Apa yang terjadi? |
|
Modul induktansi yang sesat
|
LsCE |
|
|
30
|
|
nH
|
|
Modul resistensi timbal, terminal - chip
|
RCC+EE |
|
TC= 25°C |
|
8.00 |
|
mΩ
|
| RAA+CC |
6.00 |
|
Suhu penyimpanan
|
Tstg |
|
- 40
|
|
125
|
°C
|
|
Kekuatan pemasangan per penjepit
|
F |
|
20
|
|
50
|
N
|
|
Berat badan
|
G |
|
|
23
|
|
g
|
IGBT,/ IGBT, Inverter
Maksimal Berkualitas Nilai-nilai
| Artikel |
Simbol |
Ketentuan |
Nilai-nilai |
Satuan |
|
Tegangan kolektor-emitter
|
VCES |
|
Tvj= 25°C |
1200
|
V
|
|
Tegangan maksimum gate-emitter
|
VGES |
|
± 20
|
V
|
|
Tegangan transisi gerbang-emitter
|
VGES |
tp≤ 10μs, D=0.01 |
± 30
|
V
|
|
Arus DC kolektor terus menerus
|
AkuC |
|
TC= 25°C |
20 |
A
|
| TC= 80°C |
15 |
|
Listrik kolektor berdenyut,tp terbatas oleh Tjmax
|
ICpulse |
|
30
|
A
|
|
Penghambatan daya
|
Ptot |
|
130
|
W
|
Karakteristik Nilai-nilai
| Artikel |
Simbol |
Ketentuan |
Nilai-nilai |
Satuan |
| Min. |
Seperti itu. |
Max. Apa yang terjadi? |
|
Tegangan jenuh kolektor-emitter
|
VCE (sat) |
AkuC=15A, VGE=15V |
Tvj= 25°C |
|
1.95 |
2.40 |
V
|
| Tvj= 125°C |
|
2.46 |
|
| Tvj= 150°C |
|
2.54 |
|
|
Tegangan ambang gerbang
|
VGE (th) |
VCE=VGEAkuC= 0,48mA |
5.1
|
5.7
|
6.3
|
V
|
|
Arus pemotongan kolektor-emitter
|
ICES |
VCE= 1200V, VGE=0V |
Tvj= 25°C |
|
|
100 |
μA |
| Tvj= 150°C |
|
|
5 |
mA |
|
Arus kebocoran gate-emitter
|
IGES |
VCE=0V,VGE=±20V, Tvj= 25°C |
-100
|
|
100
|
nA
|
|
Biaya Gerbang
|
QG |
VCE=600V, IC= 15A, VGE= ± 15V |
|
0.1 |
|
μC |
|
Kapasitas Masuk
|
Ces |
VCE= 25V, VGE=0V, f =1MHz |
|
0.9 |
|
nF
|
|
Kapasitas transfer terbalik
|
Cres |
|
0.04 |
|
|
Resistor gerbang internal
|
RGint |
Tvj= 25°C |
|
0 |
|
Oh |
|
Waktu penundaan menyala, beban induktif
|
Pada saat ini |
VCC=600V,IC=15A RG= 40Ω VGE= ± 15V |
Tvj= 25°C |
|
46 |
|
ns |
| Tvj= 125°C |
|
42 |
|
ns |
| Tvj= 150°C |
|
44 |
|
ns |
|
Waktu kebangkitan, beban induktif
|
tr |
Tvj= 25°C |
|
38 |
|
ns |
| Tvj= 125°C |
|
41 |
|
ns |
| Tvj= 150°C |
|
39 |
|
ns |
|
Waktu penundaan mati, beban induktif
|
td (off) |
VCC=600V,IC=15A RG= 40Ω VGE= ± 15V |
Tvj= 25°C |
|
215 |
|
ns |
| Tvj= 125°C |
|
249 |
|
ns |
| Tvj= 150°C |
|
259 |
|
ns |
|
Waktu jatuh, beban induktif
|
tf |
Tvj= 25°C |
|
196 |
|
ns |
| Tvj= 125°C |
|
221 |
|
ns |
| Tvj= 150°C |
|
203 |
|
ns |
|
Kerugian energi saat menyala per denyut nadi
|
Eon |
VCC=600V,IC=15A RG= 40Ω VGE= ± 15V |
Tvj= 25°C |
|
1.57 |
|
mJ |
| Tvj= 125°C |
|
2.12 |
|
mJ |
| Tvj= 150°C |
|
2.25 |
|
mJ |
|
Matikan kehilangan energi per denyut nadi
|
Eoff |
Tvj= 25°C |
|
0.89 |
|
mJ |
| Tvj= 125°C |
|
1.07 |
|
mJ |
| Tvj= 150°C |
|
1.16 |
|
mJ |
|
Data SC
|
ISC |
VGE≤15V, VCC=800V |
tp≤10μs Tvj= 150°C |
|
70
|
|
A
|
|
Resistensi termal IGBT, kasus persimpangan
|
RthJC |
|
|
|
1.15 |
K / W |
|
Suhu operasi
|
TJop |
|
- 40 |
|
150 |
°C |
Dioda, Inverter
Maksimal Berkualitas Nilai-nilai
| Artikel |
Simbol |
Ketentuan |
Nilai-nilai |
Satuan |
|
Tegangan terbalik berulang
|
VRRM |
|
Tvj= 25°C |
1200
|
V
|
|
Listrik terus menerus DC ke depan
|
AkuF |
|
15
|
A
|
|
Dioda arus berdenyut,tp dibatasi oleh TJmax
|
IFpulse |
|
30
|
|
Aku2nilai t
|
Aku2t |
tp=10ms |
Tvj= 125°C |
136
|
A2s |
Karakteristik Nilai-nilai
| Artikel |
Simbol |
Ketentuan |
Nilai-nilai |
Satuan |
| Min. |
Seperti itu. |
Max. Apa yang terjadi? |
|
Tegangan ke depan
|
VF |
AkuF= 15A, VGE=0V |
Tvj= 25°C |
|
1.60 |
2.10 |
V
|
| Tvj= 125°C |
|
1.75 |
|
| Tvj= 150°C |
|
1.78 |
|
|
arus pemulihan terbalik puncak
|
IRRM |
AkuF=15A
DIF/dt=-250A/μs (T)vj= 150°C) VR=600V,
VGE=-15V
|
Tvj= 25°C |
|
13 |
|
A
|
| Tvj= 125°C |
15 |
| Tvj= 150°C |
17 |
|
Biaya pemulihan terbalik
|
QRR |
Tvj= 25°C |
|
1.87 |
|
μC
|
| Tvj= 125°C |
3.33 |
| Tvj= 150°C |
3.82 |
|
Kehilangan energi pemulihan terbalik per denyut nadi
|
Erec |
Tvj= 25°C |
|
0.70 |
|
mJ
|
| Tvj= 125°C |
1.28 |
| Tvj= 150°C |
1.45 |
|
Resistensi termal dioda, kasus persimpangan
|
RthJCD |
|
|
|
1.90
|
K / W
|
|
Suhu operasi
|
TJop |
|
- 40
|
|
150
|
°C
|
Dioda, Pengoreksi
Maksimal Berkualitas Nilai-nilai
| Artikel |
Simbol |
Ketentuan |
Nilai-nilai |
Satuan |
|
Tegangan terbalik berulang
|
VRRM |
|
Tvj= 25°C |
1600
|
V
|
| RMS arus depan maksimum per chip |
IFRMSM |
|
TC= 80°C |
16
|
A
|
|
Arus RMS maksimum pada output rectifier
|
IRMSM |
|
TC= 80°C |
16
|
|
Listrik ke depan
|
IFSM |
tp= 10ms |
Tvj= 25°C |
190
|
|
I2t - nilai
|
Aku2t |
tp= 10ms |
Tvj= 25°C |
181
|
A2s |
Karakteristik Nilai-nilai
| Artikel |
Simbol |
Ketentuan |
Nilai-nilai |
Satuan |
| Min. |
Seperti itu. |
Max. Apa yang terjadi? |
|
Tegangan ke depan
|
VF |
AkuF=15A |
Tvj= 25°C |
|
0.95
|
|
V
|
|
arus terbalik
|
AkuR |
VR=1600V |
Tvj= 25°C |
|
|
5
|
μA
|
|
Resistensi termal dioda, kasus persimpangan
|
RthJCD |
|
|
|
1.50
|
K / W
|
|
Suhu operasi
|
TJop |
|
- 40
|
|
150
|
°C
|
IGBT, Brake-Chopper/IGBT
Maksimal Berkualitas Nilai-nilai
| Artikel |
Simbol |
Ketentuan |
Nilai-nilai |
Satuan |
|
Tegangan kolektor-emitter
|
VCES |
|
Tvj= 25°C |
1200
|
V
|
|
Tegangan maksimum gate-emitter
|
VGES |
|
± 20
|
V
|
|
Tegangan transisi gerbang-emitter
|
VGES |
tp≤ 10μs, D=0.01 |
± 30
|
V
|
|
Arus DC kolektor terus menerus
|
AkuC |
|
TC= 80°C |
15
|
A
|
|
Listrik kolektor berdenyut,tp terbatas oleh Tjmax
|
ICpulse |
|
30
|
A
|
|
Penghambatan daya
|
Ptot |
|
130
|
W
|
IGBT, Brake-Chopper/IGBT
Karakteristik Nilai-nilai
| Artikel |
Simbol |
Ketentuan |
Nilai-nilai |
Satuan |
| Min. |
Seperti itu. |
Max. Apa yang terjadi? |
|
Tegangan jenuh kolektor-emitter
|
VCE (sat) |
AkuC=15A, VGE=15V |
Tvj= 25°C |
|
2.08 |
2.50 |
V
|
| Tvj= 125°C |
|
2.37 |
|
| Tvj= 150°C |
|
2.45 |
|
|
Tegangan ambang gerbang
|
VGE (th) |
VCE=VGEAkuC= 0,48mA |
5.1
|
5.7
|
6.3
|
V
|
|
Arus pemotongan kolektor-emitter
|
ICES |
VCE= 1200V, VGE=0V |
Tvj= 25°C |
|
|
100 |
μA |
| Tvj= 150°C |
|
|
5 |
mA |
|
Arus kebocoran gate-emitter
|
IGES |
VCE=0V,VGE=±20V, Tvj= 25°C |
-100
|
|
100
|
nA
|
|
Biaya Gerbang
|
QG |
VCE=600V, IC= 15A, VGE= ± 15V |
|
0.1 |
|
μC |
|
Kapasitas Masuk
|
Ces |
VCE= 25V, VGE=0V, f =1MHz |
|
0.86 |
|
nF
|
|
Kapasitas transfer terbalik
|
Cres |
|
0.02 |
|
|
Resistor gerbang internal
|
RGint |
Tvj= 25°C |
|
0 |
|
Oh |
|
Waktu penundaan menyala, beban induktif
|
Pada saat ini |
VCC=600V,IC=15A RG= 40Ω VGE= ± 15V |
Tvj= 25°C |
|
51 |
|
ns |
| Tvj= 125°C |
|
47 |
|
ns |
| Tvj= 150°C |
|
40 |
|
ns |
|
Waktu kebangkitan, beban induktif
|
tr |
Tvj= 25°C |
|
44 |
|
ns |
| Tvj= 125°C |
|
48 |
|
ns |
| Tvj= 150°C |
|
56 |
|
ns |
|
Waktu penundaan mati, beban induktif
|
td (off) |
VCC=600V,IC=15A RG= 40Ω VGE= ± 15V |
Tvj= 25°C |
|
216 |
|
ns |
| Tvj= 125°C |
|
254 |
|
ns |
| Tvj= 150°C |
|
262 |
|
ns |
|
Waktu jatuh, beban induktif
|
tf |
Tvj= 25°C |
|
194 |
|
ns |
| Tvj= 125°C |
|
213 |
|
ns |
| Tvj= 150°C |
|
219 |
|
ns |
|
Kerugian energi saat menyala per denyut nadi
|
Eon |
VCC=600V,IC=15A RG= 40Ω VGE= ± 15V |
Tvj= 25°C |
|
0.92 |
|
mJ |
| Tvj= 125°C |
|
1.21 |
|
mJ |
| Tvj= 150°C |
|
1.31 |
|
mJ |
|
Matikan kehilangan energi per denyut nadi
|
Eoff |
Tvj= 25°C |
|
0.88 |
|
mJ |
| Tvj= 125°C |
|
1.11 |
|
mJ |
| Tvj= 150°C |
|
1.15 |
|
mJ |
|
Resistensi termal IGBT, kasus persimpangan
|
RthJC |
|
|
|
1.15 |
K / W |
|
Suhu operasi
|
TJop |
|
- 40 |
|
150 |
°C |
Diode, Brake-Chopper
Maksimal Berkualitas Nilai-nilai
| Artikel |
Simbol |
Ketentuan |
Nilai-nilai |
Satuan |
|
Tegangan terbalik berulang
|
VRRM |
|
Tvj= 25°C |
1200
|
V
|
|
Listrik terus menerus DC ke depan
|
AkuF |
|
8
|
A
|
|
Dioda arus berdenyut,tp dibatasi oleh TJmax
|
IFpulse |
|
16
|
|
Aku2nilai t
|
Aku2t |
tp=10ms |
Tvj= 125°C |
25
|
A2s |
Karakteristik Nilai-nilai
| Artikel |
Simbol |
Ketentuan |
Nilai-nilai |
Satuan |
| Min. |
Seperti itu. |
Max. Apa yang terjadi? |
|
Tegangan ke depan
|
VF |
AkuF= 8A, VGE=0V |
Tvj= 25°C |
|
1.88 |
2.40 |
V
|
| Tvj= 125°C |
|
1.96 |
|
| Tvj= 150°C |
|
1.90 |
|
|
arus pemulihan terbalik puncak
|
IRRM |
AkuF=8A
DIF/dt=-200A/μs (T)vj= 150°C) VR=600V,
VGE=-15V
|
Tvj= 25°C |
|
6 |
|
A
|
| Tvj= 125°C |
7 |
| Tvj= 150°C |
8 |
|
Biaya pemulihan terbalik
|
QRR |
Tvj= 25°C |
|
0.68 |
|
μC
|
| Tvj= 125°C |
1.22 |
| Tvj= 150°C |
1.32 |
|
Kehilangan energi pemulihan terbalik per denyut nadi
|
Erec |
Tvj= 25°C |
|
0.27 |
|
mJ
|
| Tvj= 125°C |
0.49 |
| Tvj= 150°C |
0.53 |
|
Resistensi termal dioda, kasus persimpangan
|
RthJCD |
|
|
|
1.90
|
K/W
|
|
Suhu operasi
|
TJop |
|
- 40
|
|
150
|
°C
|
NTC-Thermistor
Karakteristik Nilai-nilai
| Artikel |
Simbol |
Ketentuan |
Nilai-nilai |
Satuan |
|
Resistensi nominal
|
R25 |
|
TC= 25°C |
5.00
|
kΩ
|
|
Nilai B
|
R25/50 |
|
3375
|
K
|
IGBT IGBT
Output karakteristik IGBT, Inverter (biasanya) output karakteristik IGBT, Inverter (biasanya)
AkuC= f (VCE) IC= f (VCE) Tvj= 150°C
IGBT IGBT
Transfer karakteristik IGBT, Inverter (biasanya) kerugian IGBT, Inverter (tipikal)
AkuC= f (VGE) E = f (RG)
VCE= 20V VGE= ±15V, IC= 15A, VCE= 600V
IGBT IGBT,(RBSOA)
Mengganti kerugian IGBT, Inverter(Tipikal) Kembali bias aman mengoperasikan area IGBT, Inverter ((RBSOA)
E = f (IC) IC=f (V)CE)
VGE= ± 15V, RG= 40Ω, VCE= 600V VGE= ± 15V, RGoff= 40Ω, Tvj= 150°C
IGBT
Transitory termal impedansi IGBT, Inverter ke depan karakteristik dari Dioda, Inverter (tipikal)
Zth(j-c) = f (t) IF= f (VF)
Mengganti kerugian Dioda, Inverter (biasanya) kerugian Dioda, Inverter (biasanya)
ERek= f (RG) ERek= f (IF)
AkuF= 15A, VCE= 600V RG= 40Ω, VCE= 600V
Transitory termal impedansi Dioda, Inverter ke depan karakteristik dari Dioda, Pengoreksi (tipikal)
Zth(j-c) = f (t) IF= f (VF)
IGBT
Output karakteristik, Brake-Chopper ((tipikal) Ke depan karakteristik dari Diode, Brake-Chopper (tipikal)
AkuC= f (VCE) IF= f (VF)
NTC-Thermistor-temperature karakteristik (tipikal)
R = f (T)
"IGBT 15A 1200V" mengacu pada Transistor Bipolar Gerbang Terisolasi dengan arus nominal 15 ampere dan tegangan nominal 1200 volt.Jenis IGBT ini cocok untuk aplikasi dengan kebutuhan daya sedang, seperti peralatan rumah tangga, penggerak motor kecil, dan inverter bertenaga rendah.dan spesifikasi teknis khusus dan pedoman penggunaan dapat ditemukan di lembar data pabrikan berdasarkan persyaratan aplikasi khusus.
Sirkuit Diagram Judul
Paket garis besar
Dimensi dalam (mm)
mm
Pesan Anda harus antara 20-3.000 karakter!
